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유기 트랜지스터 및 그 제조 방법
- 기술번호 : KST2015159620
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 본 발명은 테프론 계열의 고분자를 이용하여 액상 물질에 의한 유기물 반도체의 손상을 방지함으로써 수직 적층 구조(다층 구조)의 유기 트랜지스터를 실현할 수 있도록 한다는 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 게이트 전극, 유기물 반도체 층 및 소오스/드레인 전극을 포함하는 하층의 유기 트랜지스터 구조에 유기물 반도체 층의 노출 부위와 소오스/드레인 전극의 상부 일부에 테프론 계열의 고분자를 형성함으로써 유기물 반도체 층이 액상 물질에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있고, 수직 구조로 형성되는 하층과 상층의 유기 트랜지스터 구조 사이에 형성된 평탄화막 영역에 금속막을 형성함으로써 하층 및 상층 유기 트랜지스터 구조간에 발생 가능한 크로스 토킹을 차단할 수 있으며, 또한 다층 구조의 보호막 형성을 통해 유기물 반도체가 공기나 수분 등에 노출되는 것을 효과적으로 차단할 수 있어 소자의 수명 연장은 물론 신뢰도를 대폭 개선할 수 있는 것이다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 51/05 (2006.01.01) H01L 51/10 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 51/0545(2013.01) H01L 51/0545(2013.01) H01L 51/0545(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070055633 (2007.06.07) |
| 출원인 | 솔브레인홀딩스 주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단, 주식회사 미뉴타텍 |
| 등록번호/일자 | 10-0828967-0000 (2008.05.06) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20080514) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.06.07) |
| 심사청구항수 | 29 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 솔브레인홀딩스 주식회사 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
| 2 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 3 | 주식회사 미뉴타텍 | 대한민국 | 경기도 오산시 가장 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이홍희 | 대한민국 | 서울 관악구 |
| 2 | 서순민 | 대한민국 | 서울 강서구 |
| 3 | 백귀종 | 대한민국 | 대전 서구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 장성구 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유)) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 2 | 주식회사 미뉴타텍 | 대한민국 | 경기도 오산시 가장 |
| 3 | 솔브레인 주식회사 | 경기도 성남시 분당구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.06.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0414373-03 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2007.08.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2007-5128375-94 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2007.10.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2007-0018956-70 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.02.04 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.03.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0014296-02 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.04.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0214242-76 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.06.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-0011731-76 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5003668-41 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5003671-89 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5202810-07 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.10.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5211952-16 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.10.30 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5225821-16 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5010029-20 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.05.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5067798-25 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0028755-86 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5154825-24 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5059812-14 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.10.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5222921-35 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 유기물 반도체 층을 갖는 유기 트랜지스터로서,게이트 전극, 유기물 반도체 층 및 소오스/드레인 전극을 포함하여 기판 상에 형성되는 제 1 유기 트랜지스터 구조와,상기 유기물 반도체 층의 노출 부위와 상기 소오스/드레인 전극의 상부 일부에 형성되는 고분자의 제 1 보호막과,상기 제 1 유기 트랜지스터 구조와 제 1 보호막 상의 전면에 형성되는 제 2 보호막과,상기 제 2 보호막 상에 형성되는 평탄화막과,게이트 전극, 유기물 반도체 층 및 소오스/드레인 전극을 포함하여 상기 평탄화막 상에 형성되는 제 2 유기 트랜지스터 구조를 포함하는 유기 트랜지스터 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 제 1 보호막은, 테프론 계열의 고분자인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 제 2 보호막은, PMMA인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 |
| 4 |
4 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 평탄화막은,상기 제 2 보호막 상에 형성되는 제 1 평탄화막과,상기 제 1 평탄화막 상에 형성되는 간섭 차단막과,상기 간섭 차단막 상에 형성되는 제 2 평탄화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 평탄화막은, UV 경화가 가능한 PUA계열의 고분자인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서,상기 PUA 계열의 고분자는, 첨가물이 혼합된 폴리우레탄아크릴레이트 물질인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 |
| 7 |
7 제 4 항에 있어서,상기 간섭 차단막은, 상기 제 1 및 제 2 유기 트랜지스터 구조간의 크로스 토킹을 차단하는 금속막인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 |
| 8 |
8 유기물 반도체 층을 갖는 유기 트랜지스터를 제조하는 방법으로서,기판 상에 게이트 전극, 유기물 반도체 층 및 소오스/드레인 전극을 포함하는 제 1 유기 트랜지스터 구조를 형성하는 과정과,상기 유기물 반도체 층의 노출 부위와 상기 소오스/드레인 전극의 상부 일부에 제 1 보호막을 형성하는 과정과,상기 제 1 보호막이 형성된 상기 제 1 유기 트랜지스터 구조의 전면에 제 2 보호막을 형성하는 과정과,상기 제 2 보호막 상에 평탄화막을 형성하는 과정과,상기 평탄화막 상에 게이트 전극, 유기물 반도체 층 및 소오스/드레인 전극을 포함하는 제 2 유기 트랜지스터 구조를 형성하는 과정을 포함하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 9 |
9 제 8 항에 있어서,상기 제 1 보호막은, 테프론 계열의 고분자인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 10 |
10 제 9 항에 있어서,상기 테프론은, FEP인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 11 |
11 제 9 항에 있어서,상기 테프론은, 증착 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 12 |
12 제 8 항에 있어서,상기 제 2 보호막은, PMMA인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서,상기 PMMA는, 스핀 코팅 방법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 14 |
14 제 8 항에 있어서,상기 평탄화막은,상기 제 2 보호막 상에 형성되는 제 1 평탄화막과,상기 제 1 평탄화막 상에 형성되는 간섭 차단막과,상기 간섭 차단막 상에 형성되는 제 2 평탄화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 15 |
15 제 14 항에 있어서,상기 제조 방법은,상기 제 2 보호막 상에 제 1 평탄화 물질을 도포하는 과정과,제 1 평탄화 공정을 실시하여 상기 제 1 평탄화 물질의 상부를 평탄화 시킴으로써 상기 제 1 평탄화막을 형성하는 과정과,상기 제 1 평탄화막 상에 상기 간섭 차단막을 형성하는 과정과,상기 간섭 차단막 상에 제 2 평탄화 물질을 도포하는 과정과,제 2 평탄화 공정을 실시하여 상기 제 2 평탄화 물질의 상부를 평탄화 시킴으로써 상기 제 2 평탄화막을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서,상기 제조 방법은, 상기 제 1 평탄화 물질과 제 2 평탄화 물질을 평탄화하기 전에 가열 공정을 각각 실시하여 용매를 제거하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 17 |
17 제 15 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 평탄화 공정은, 평탄 PDMS를 이용하는 UV 경화 공정을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 18 |
18 제 15 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 평탄화 물질은, UV 경화가 가능한 PUA 계열의 고분자인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 19 |
19 제 18 항에 있어서,상기 PUA 계열의 고분자는, 첨가물이 혼합된 폴리우레탄아크릴레이트 물질인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 20 |
20 제 19 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 평탄화 물질은, 스핀 코팅 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 21 |
21 제 15 항에 있어서,상기 간섭 차단막은, 상기 제 1 및 제 2 유기 트랜지스터 구조간의 크로스 토킹을 차단하는 금속막인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 22 |
22 유기물 반도체 층을 갖는 유기 트랜지스터를 제조하는 방법으로서,기판 상에 게이트 전극, 유기물 반도체 층 및 소오스/드레인 전극을 포함하는 제 1 유기 트랜지스터 구조를 형성하는 과정과,상기 유기물 반도체 층의 노출 부위와 상기 소오스/드레인 전극의 상부 일부에 제 1 보호막을 형성하는 과정과,상기 제 1 보호막이 형성된 상기 제 1 유기 트랜지스터 구조의 전면에 제 2 보호막을 형성하는 과정과,상기 제 2 보호막 상에 제 1 평탄화막을 형성함으로써 하부의 유기 트랜지스터 구조물을 완성하는 과정과,몰드 상에 상기 제 1 유기 트랜지스터 구조의 역상 구조를 갖는 제 2 유기 트랜지스터 구조를 형성하는 과정과,상기 제 2 트랜지스터 구조 전면에 제 2 평탄화막을 형성함으로써 상부의 유기 트랜지스터 구조물을 완성하는 과정과,상기 하부의 유기 트랜지스터 구조물의 전면에 상기 몰드 상에 형성된 상기 상부의 유기 트랜지스터 구조물의 대응 면을 정렬시킨 후 가압하는 과정과,상기 몰드를 탈거하는 과정을 포함하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 23 |
23 제 22 항에 있어서,상기 제조 방법은,상기 제 1 평탄화막을 형성한 후 그 위에 간섭 차단막을 형성하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 24 |
24 제 23 항에 있어서,상기 간섭 차단막은, 상기 제 1 및 제 2 유기 트랜지스터 구조간의 크로스 토킹을 차단하는 금속막인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 25 |
25 제 22 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 보호막은, 테프론 계열의 고분자인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 26 |
26 제 25 항에 있어서,상기 테프론은, FEP인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 27 |
27 제 22 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 보호막은, PMMA인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 28 |
28 제 22 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 평탄화막은, UV 경화가 가능한 PUA 계열의 고분자인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 29 |
29 제 28 항에 있어서,상기 PUA 계열의 고분자는, 첨가물이 혼합된 폴리우레탄아크릴레이트 물질인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
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| 특허 등록번호 | 10-0828967-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20070607 출원 번호 : 1020070055633 공고 연월일 : 20080514 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080422 청구범위의 항수 : 29 유별 : H01L 21/335 발명의 명칭 : 유기 트랜지스터 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
| 1 |
(권리자) 주식회사 미뉴타텍 경기도 오산시 가장... |
| 1 |
(권리자) 솔브레인홀딩스 주식회사 경기도 성남시 분당구... |
| 2 |
(의무자) 솔브레인홀딩스 주식회사 경기도 성남시 분당구... |
| 2 |
(권리자) 솔브레인 주식회사 경기도 성남시 분당구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 685,500 원 | 2008년 05월 06일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 678,000 원 | 2011년 05월 04일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 813,600 원 | 2012년 06월 04일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 678,000 원 | 2013년 05월 06일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 1,202,000 원 | 2014년 04월 18일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 1,202,000 원 | 2015년 03월 18일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 1,202,000 원 | 2016년 03월 08일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 1,835,000 원 | 2017년 03월 08일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 1,835,000 원 | 2018년 03월 19일 | 납입 |
| 제 12 년분 | 금 액 | 1,835,000 원 | 2019년 03월 11일 | 납입 |
| 제 13 년분 | 금 액 | 1,955,000 원 | 2020년 03월 09일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2007.06.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0414373-03 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2007.08.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2007-5128375-94 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2007.10.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2007-0018956-70 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.02.04 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 | 2008.03.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0014296-02 |
| 7 | 등록결정서 | 2008.04.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0214242-76 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.06.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-0011731-76 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5003668-41 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5003671-89 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5202810-07 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.10.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5211952-16 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.10.30 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5225821-16 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5010029-20 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.05.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5067798-25 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0028755-86 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5154825-24 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5059812-14 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.10.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5222921-35 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345071015 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A1903 |
| 연구과제명 | 화공분야연구인력양성사업단 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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