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유기물 인버터 및 그 제조 방법
- 기술번호 : KST2015160573
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 본 발명은 유전박막을 사용하는 두 개의 트랜지스터로 된 유기물 인버터에 관한 것으로, 기판 상에 평면으로 트랜지스터들을 제조하며 각 트랜지스터에 동일한 물질의 유전 박막을 사용하는 종래의 유기물 인버터와는 달리, 기판 상에 수직 적층 구조의 트랜지스터를 구현하며, 각 트랜지스터(구동 트랜지스터와 부하 트랜지스터)에 사용되는 유전 박막으로서 전기적 특성이 서로 다른 물질을 이용함으로써, 인버터의 성능 개선을 통해 용도에 따른 인버터의 적용 범위를 광범위하게 확장할 수 있으며, 또한 수직 적층 구조의 트랜지스터를 기판 상에 구현함으로써, 유기물 인버터 소자가 점유하는 면적의 간소화를 실현할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/786 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 27/283(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080009651 (2008.01.30) |
| 출원인 | 주식회사 미뉴타텍, 재단법인서울대학교산학협력재단, 솔브레인홀딩스 주식회사 |
| 등록번호/일자 | 10-0975958-0000 (2010.08.09) |
| 공개번호/일자 | 10-2009-0083691 (2009.08.04) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20100816) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.01.30) |
| 심사청구항수 | 24 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 주식회사 미뉴타텍 | 대한민국 | 경기도 오산시 가장 |
| 2 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 3 | 솔브레인홀딩스 주식회사 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이홍희 | 대한민국 | 서울 관악구 |
| 2 | 백창훈 | 대한민국 | 서울 마포구 |
| 3 | 서순민 | 대한민국 | 서울특별시 용산구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 장성구 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유)) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 주식회사 미뉴타텍 | 대한민국 | 경기도 오산시 가장 |
| 2 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 3 | 솔브레인 주식회사 | 경기도 성남시 분당구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.01.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0078904-99 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.06.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-0011731-76 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2009.09.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.10.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0056124-76 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.01.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0002298-19 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.03.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0136074-06 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.03.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0136069-77 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.05.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0233726-11 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5003671-89 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5003668-41 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5202810-07 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.10.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5211952-16 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.10.30 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5225821-16 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5010029-20 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.05.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5067798-25 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0028755-86 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5154825-24 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5059812-14 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.10.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5222921-35 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판 상에 형성된 게이트 전극을 매립하는 형태로 형성된 하부 유전 박막 위에 하부 유기 반도체 층과 하부 소오스/드레인 전극이 형성되는 구조의 하부 트랜지스터와, 상기 하부 트랜지스터를 매립하는 형태로 형성된 상부 유전 박막 위에 상부 유기 반도체 층과 일측이 비아를 통해 상기 하부 소오스 전극 또는 하부 드레인 전극에 연결된 상부 소오스/드레인 전극이 형성되는 적층 구조의 상부 트랜지스터 를 포함하며, 상기 하부 유전 박막과 상부 유전 박막은 전기적 특성이 서로 다른 유기물 또는 무기물인 유기물 인버터 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 하부 유전 박막은 전류 상승 모드(enhancement-mode) 특성을 갖는 유기물 또는 무기물이고, 상기 상부 유전 박막은 전류 하강 모드(depletion-mode) 특성을 갖는 유기물 또는 무기물인 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 하부 유전 박막과 상부 유전 박막은, 고분자 유기물과 고분자 유기물, 고분자 유기물과 저분자 유기물, 저분자 유기물과 고분자 유기물, 저분자 유기물과 저분자 유기물의 조합 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 하부 유전 박막은 PMMA(polymethylmetacrylate)이고, 상기 상부 유전 박막은 PVPh(polyvinylphenol)인 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 하부 유전 박막과 상부 유전 박막은, 서로 다른 계열의 SAM(self-assembled mono-layer : 자기조립 모노층) 물질인 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서, 상기 SAM 물질은, 알킬 싸이올(Alkyl thiol) 계열, 알킬 실란(Alkyl silane) 계열, 알킬 카르복시레이트(Alkyl carboxylate) 계열 및 클로로실란(Chlorosilane) 계열 중 어느 한 계열인 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 |
| 7 |
7 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기물 인버터는, 상기 하부 유기물 반도체층의 상부와 하부 소오스/드레인 전극의 상부 일부에 형성된 보호막 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 보호막은, FEP(fluoro ethylene proplylene)인 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 |
| 9 |
9 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부 소오스 전극 또는 하부 드레인 전극은, 상기 상부 트랜지스터의 게이트 전극으로서 기능하는 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 |
| 10 |
10 두 개의 트랜지스터를 갖는 유기물 인버터를 제조하는 방법으로서, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 과정과, 상기 게이트 전극을 매립하는 형태로 하부 유전 박막을 형성하는 과정과, 상기 하부 유전 박막 상에 임의의 패턴을 각각 갖는 하부 유기 반도체 층과 하부 소오스/드레인 전극을 순차 형성하는 과정과, 상기 기판의 전면에 상기 하부 유전 박막과는 다른 전기적 특성을 갖는 다른 물질의 상부 유전 박막을 형성하는 과정과, 상기 상부 유전 박막 상에 상부 유기 반도체 층을 형성하는 과정과, 상기 상부 유전 박막의 일부를 선택 제거하여 상기 하부 소오스 전극 또는 드레인 전극의 상부 일부를 노출시키는 비아홀을 형성하는 과정과, 증착 공정을 실시하여 상기 비아홀에 금속 물질이 매립되는 비아홀과 이 비이홀에 일측이 연결되는 상부 소오스/드레인 전극을 형성하는 과정 을 포함하는 유기물 인버터 제조 방법 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 하부 유전 박막 및 상부 유전 박막은, 스핀 코팅 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 제조 방법 |
| 12 |
12 제 10 항에 있어서, 상기 하부 유전 박막은 전류 상승 모드(enhancement-mode) 특성을 갖는 유기물 또는 무기물이고, 상기 상부 유전 박막은 전류 하강 모드(depletion-mode) 특성을 갖는 유기물 또는 무기물인 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 제조 방법 |
| 13 |
13 제 10 항에 있어서, 상기 하부 유전 박막과 상부 유전 박막은, 고분자 유기물과 고분자 유기물, 고분자 유기물과 저분자 유기물, 저분자 유기물과 고분자 유기물, 저분자 유기물과 저분자 유기물의 조합 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 제조 방법 |
| 14 |
14 제 10 항에 있어서, 상기 하부 유전 박막은 PMMA(polymethylmetacrylate)이고, 상기 상부 유전 박막은 PVPh(polyvinylphenol)인 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 제조 방법 |
| 15 |
15 제 10 항에 있어서, 상기 하부 유전 박막과 상부 유전 박막은, 서로 다른 계열의 SAM(self-assembled mono-layer : 자기조립 모노층) 물질인 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 제조 방법 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서, 상기 SAM 물질은, 알킬 싸이올(Alkyl thiol) 계열, 알킬 실란(Alkyl silane) 계열, 알킬 카르복시레이트(Alkyl carboxylate) 계열 및 클로로실란(Chlorosilane) 계열 중 어느 한 계열인 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 제조 방법 |
| 17 |
17 제 10 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제조 방법은, 상기 상부 유전 박막을 형성하기 전에, 상기 하부 유기 반도체 층의 노출 영역과 상기 하부 소오스/드레인 전극의 상부 일부 영역에 보호막을 형성하는 과정 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 제조 방법 |
| 18 |
18 제 17 항에 있어서, 상기 보호막은, FEP(fluoro ethylene proplylene)인 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 제조 방법 |
| 19 |
19 두 개의 트랜지스터를 갖는 유기물 인버터를 제조하는 방법으로서, 게이트 전극, 이 게이트 전극을 매립하는 형태의 하부 유전 박막, 이 하부 유전 박막 상에 형성된 하부 유기 반도체 층 및 하부 소오스/드레인 전극으로 된 하부 트랜지스터가 제작된 기판을 준비하는 과정과, 상부 소오스/드레인 전극, 상부 유기 반도체 층, 상기 하부 유전 박막과는 다른 전기적 특성을 갖는 다른 물질의 상부 유전 박막 및 비아를 갖는 역상 구조의 상부 트랜지스터가 제작된 몰드를 준비하는 과정과, 상기 비아와 상부 유전 박막이 형성된 몰드 면을 상기 하부 트랜지스터의 구조물 전면에 밀착 접촉시킴으로써, 상기 상부 트랜지스터를 상기 하부 트랜지스터의 구조물 전면으로 전사하는 과정 을 포함하는 유기물 인버터 제조 방법 |
| 20 |
20 제 19 항에 있어서, 상기 하부 유전 박막은 전류 상승 모드(enhancement-mode) 특성을 갖는 유기물 또는 무기물이고, 상기 상부 유전 박막은 전류 하강 모드(depletion-mode) 특성을 갖는 유기물 또는 무기물인 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 제조 방법 |
| 21 |
21 기판 상에 형성된 하부 소오스/드레인 전극과 하부 유기 반도체 층과, 상기 하부 유기 반도체 층을 매립하는 형태로 형성된 하부 유전 박막과, 상기 하부 유전 박막 상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 매립하는 형태로 형성되며, 상기 하부 유전 박막과는 다른 전기적 특성을 갖는 다른 물질로 된 상부 유전 박막과, 상기 상부 유전 박막 상에 형성된 상부 유기 반도체 층과, 상기 상부 유전 박막의 상부 일부와 상기 상부 유기 반도체 층의 상부 일부 상에 형성된 상부 소오스/드레인 전극과, 상기 상부 소오스 전극과 상부 드레인 전극 중 어느 하나와 상기 하부 소오스 전극과 하부 드레인 전극 중 어느 하나를 연결하는 비아 를 포함하는 유기물 인버터 |
| 22 |
22 제 21 항에 있어서, 상기 하부 유기 반도체 층은 p-타입 또는 n-타입 반도체이고, 상기 상부 유기 반도체 층은 n-타입 또는 p-타입 반도체인 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 |
| 23 |
23 두 개의 트랜지스터를 갖는 유기물 인버터를 제조하는 방법으로서, 증착 공정을 실시하여 기판 상에 하부 소오스/드레인 전극을 형성하는 과정과, 하부 유전 박막과 하부 유기 반도체 층을 순차 형성한 몰드를 준비하는 과정과, 상기 하부 유기 반도체 층이 형성된 몰드 면을 상기 기판의 소오스/드레인 전극 면측에 밀착 접촉시킴으로서, 상기 하부 유기 반도체 층과 하부 유전 박막을 상기 하부 소오스/드레인 전극 상에 전사하는 과정과, 증착 공정을 실시하여 상기 하부 유전 박막 상에 게이트 전극을 형성하는 과정과, 상기 게이트 전극을 매립하는 형태로 상부 유전 박막을 형성하는 과정과, 상기 상부 유전 박막 상에 상부 유기 반도체 층을 형성하는 과정과, 상기 상부 유전 박막과 하부 유전 박막의 일부를 선택 제거하여 상기 하부 소오스 전극 또는 드레인 전극의 상부 일부를 노출시키는 비아홀을 형성하는 과정과, 증착 공정을 실시하여 상기 비아홀에 금속 물질이 매립되는 비아홀과 이 비이홀에 일측이 연결되는 상부 소오스/드레인 전극을 형성하는 과정 을 포함하는 유기물 인버터 제조 방법 |
| 24 |
24 제 23 항에 있어서, 상기 하부 유기 반도체 층은 p-타입 또는 n-타입 반도체이고, 상기 상부 유기 반도체 층은 n-타입 또는 p-타입 반도체인 것을 특징으로 하는 유기물 인버터 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
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- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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| 특허 등록번호 | 10-0975958-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20080130 출원 번호 : 1020080009651 공고 연월일 : 20100816 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100531 청구범위의 항수 : 24 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 유기물 인버터 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 주식회사 미뉴타텍 경기도 오산시 가장... |
| 1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
| 1 |
(권리자) 솔브레인홀딩스 주식회사 경기도 성남시 분당구... |
| 2 |
(의무자) 솔브레인홀딩스 주식회사 경기도 성남시 분당구... |
| 2 |
(권리자) 솔브레인 주식회사 경기도 성남시 분당구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 981,000 원 | 2010년 08월 10일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 568,000 원 | 2013년 08월 09일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 397,600 원 | 2014년 06월 18일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 397,600 원 | 2015년 06월 12일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 1,012,000 원 | 2016년 06월 08일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 708,400 원 | 2017년 06월 21일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 708,400 원 | 2018년 06월 04일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 1,560,000 원 | 2019년 06월 03일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 1,560,000 원 | 2020년 06월 09일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.01.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0078904-99 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.06.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-0011731-76 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2009.09.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2009.10.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0056124-76 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2010.01.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0002298-19 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.03.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0136074-06 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.03.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0136069-77 |
| 8 | 등록결정서 | 2010.05.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0233726-11 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5003671-89 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5003668-41 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5202810-07 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.10.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5211952-16 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.10.30 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5225821-16 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5010029-20 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.05.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5067798-25 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0028755-86 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5154825-24 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5059812-14 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.10.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5222921-35 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345071015 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A1903 |
| 연구과제명 | 화공분야연구인력양성사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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