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반도체 물질의 입계를 전하저장소로 이용하는 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2018008809
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 소스와 드레인 사이에 하나 이상의 입계(grain boundary)를 가진 플로팅 바디를 구비하고, 상기 입계를 전하저장소로 이용함으로써, 소자의 바디 두께가 최대 공핑층 두께보다 작아도 공핑층에서 생성된 과잉 홀이나 전자가 바디의 입계에 저장되어 1T DRAM 등의 휘발성 메모리 소자나 단기기억이 가능한 시냅스 모방 소자로 사용될 수 있고, 하나 이상의 입계를 가진 플로팅 바디를 사이에 두고 비대칭 제 1, 2 게이트를 형성함으로써, 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리 소자를 동시 구현 가능하고, 전하저장층이 포함된 게이트 절연막 스택이 형성된 제 2 게이트를 통해 장기기억 전환이 가능한 시냅스 모방 소자를 구현할 수 있으며, 3차원 적층이 가능한 반도체 물질의 입계를 전하저장소로 이용하는 반도체 소자를 제공한다.
Int. CL H01L 29/788 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/423 (2006.01.01)
CPC H01L 29/788(2013.01) H01L 29/788(2013.01) H01L 29/788(2013.01) H01L 29/788(2013.01) H01L 29/788(2013.01)
출원번호/일자 1020160176237 (2016.12.22)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0072942 (2018.07.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020180142454;
심사청구여부/일자 Y (2016.12.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병국 대한민국 서울특별시 서초구
2 백명현 대한민국 서울특별시 동작구
3 김형진 대한민국 서울특별시 관악구
4 권민우 대한민국 서울특별시 관악구
5 황성민 대한민국 서울특별시 강서구
6 장태진 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권오준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-1259758-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.11.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.12.08 수리 (Accepted) 9-1-2017-0040771-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0121849-66
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0390283-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0390257-32
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0590046-98
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0938687-59
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.09.20 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2018-0938656-44
10 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2018.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0710338-07
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0710339-42
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2018.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-1148171-73
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 도전형 반도체 물질로 주변과 전기적으로 고립된 플로팅 바디;상기 제 1 도전형과 반대 타입의 제 2 도전형 반도체 물질로 상기 플로팅 바디를 사이에 두고 상기 플로팅 바디의 양측과 접하며 서로 이격되어 형성된 소스와 드레인; 및상기 플로팅 바디 상에 게이트 절연막을 사이에 두고 형성된 제 1 게이트를 포함하여 구성되되,상기 플로팅 바디는 상기 소스와 드레인 사이에 하나 이상의 입계(grain boundary)를 가지고, 상기 입계를 전하저장소로 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 플로팅 바디를 사이에 두고 상기 제 1 게이트와 마주보는 위치에 제 2 게이트가 더 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
3 3
제 2 항에 있어서,상기 플로팅 바디와 상기 제 2 게이트 사이에는 전하저장층이 포함된 게이트 절연막 스택이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
4 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 플로팅 바디는 상기 소스 및 상기 드레인과 pn 접합으로 접하고, 상기 드레인 쪽의 공핍층에서 충격이온화로 생성된 과잉 홀(excess hole) 또는 상기 소스 쪽의 공핍층에서 충격이온화로 생성된 과잉 전자(excess electron)는 상기 입계에 저장되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
5 5
제 4 항에 있어서,상기 입계는 상기 소스 및 상기 드레인 중 어느 한 쪽에 편중되어 더 많이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
6 6
제 4 항에 있어서,상기 플로팅 바디는 상기 소스 및 상기 드레인 사이의 채널 영역에 1~10개의 입계를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
7 7
제 4 항에 있어서,상기 플로팅 바디는 다결정 반도체 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101965798 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서울대학교산학협력단 원천기술개발사업 poly-Si TFT 기반 시냅스 모방 소자, 시냅스 구동회로 및 아키텍처 개발