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이온 다이오드

  • 기술번호 : KST2020010724
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이온 다이오드는, 기판, 상기 기판에 고분자전해질(polyelectrolyte) 젤로 형성된 p형 젤, 상기 기판에 고분자전해질 젤로 형성되고, 상기 p형 젤의 일면에 일면이 접하는 n형 젤, 상기p형 젤의 타면에 접하는 제1 저장소, 상기n형 젤의 타면에 접하는 제2 저장소, 및 상기 p형 젤, 상기 n형 젤, 상기 제1 저장소, 및 상기 제2 저장소를 덮는 봉지 층을 포함하고, 상기 봉지 층에서, 상기 p형 젤과 상기 n형 젤이 접하는 경계 영역에 대응하는 위치에, 이온 입력을 주입하기 위한 주입부가 형성되고, 상기 p형 젤과 상기n형 젤 사이에 역 바이어스 전압이 인가될 때 상기 주입부를 통해주입된 이온 입력이 증폭되어 피크 이온 전류가 발생한다.
Int. CL H01L 29/868 (2006.01.01) H01L 21/265 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 29/868(2013.01) H01L 29/868(2013.01) H01L 29/868(2013.01) H01L 29/868(2013.01) H01L 29/868(2013.01)
출원번호/일자 1020190064011 (2019.05.30)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2143185-0000 (2020.08.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20200810) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.05.30)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 선정윤 서울특별시 관악구
2 주영창 서울특별시 강남구
3 정택동 경기도 과천시 별양로 **,
4 이해령 서울특별시 관악구
5 임승민 서울특별시 관악구
6 한석희 경기도 남양주시
7 유현재 경기도 성남시 수정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2019-0558325-79
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2020-0009879-96
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0295682-77
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.06.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0646341-11
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2020-0646340-65
8 등록결정서
Decision to grant
2020.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0495828-82
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판에 고분자전해질(polyelectrolyte) 젤로 형성된 p형 젤;상기 기판에 고분자전해질 젤로 형성되고, 상기 p형 젤의 일면에 일면이 접하는 n형 젤; 상기 p형 젤의 타면에 접하는 제1 저장소;상기 n형 젤의 타면에 접하는 제2 저장소; 및상기 p형 젤, 상기 n형 젤, 상기 제1 저장소, 및 상기 제2 저장소를 덮는 봉지 층을 포함하고,상기 봉지 층에서, 상기 p형 젤과 상기n형 젤이 접하는 경계 영역에 대응하는 위치에, 이온 입력 주입을 위한 주입부가 형성되고, 상기 p형 젤과 상기 n형 젤 사이에 역 바이어스 전압이 인가될 때 상기 주입부를 통해주입된 이온 입력이 증폭되어 피크 이온 전류가 발생하는, 이온 다이오드
2 2
고분자전해질인 p형 젤;상기 p형 젤의 일측에 접하고 고분자전해질인 n 형 젤;상기 p형 젤의 일측과 마주보는 상기 p형 젤의 타측에 접한 제1 저장소; 및상기 p형 젤과 접한 일측과 마주보는 상기 n형 젤의 타측에 접한 제2 저장소를 포함하고,상기 p형 젤과 상기 n형 젤에 역 바이어스 전압에 의한 공핍 영역이 형성되고, 상기 공핍 영역에 주입된 이온 입력에 의해 상기 제1 저장소 및 상기 제2 저장소로부터 유입되는 추가 이온에 의해 피크 이온 전류가 발생하는,이온 다이오드
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 저장소 및 상기 제2 저장소 각각으로부터 이온이 추가되어, 상기 이온 입력이 증폭되는,이온 다이오드
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 역 바이어스 전압이 증가할수록 상기 피크 이온 전류가 증가하는,이온 다이오드
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 이온 입력의 종류에 따라 상기 피크 이온 전류가 변하는,이온 다이오드
6 6
제5항에 있어서,상기 이온 입력의 양이온이 수화되었을 때, 상기 수화된 양이온의 반경이 작을수록 상기 피크 이온 전류가 증가하는, 이온 다이오드
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 저장소 및 상기 제2 저장소의 이온 농도에 따라 상기 피크 이온 전류가 변하는,이온 다이오드
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 저장소 및 상기 제2 저장소의 이온 종류에 따라 상기 피크 이온 전류가 변하는,이온 다이오드
9 9
제8항에 있어서,상기 제1 저장소 및 상기 제2 저장소의 양이온이 수화되었을 때, 상기 수화된 양이온의 반경이 작을수록 상기 피크 이온 전류가 증가하는, 이온 다이오드
10 10
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 p형 젤 및 상기 n형 젤의 너비가 좁을수록 상기 피크 이온 전류가 증가하고,상기 p형 젤 및 상기 n형 젤의 너비는 상기 p형 젤 및 상기 n형 젤이 접한 경계면으로부터 상기 각 젤이 형성되어 있는 위치까지의 거리인,이온 다이오드
11 11
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 p형 젤 및 상기 n형 젤의 너비가 좁을수록 동작 속도가 증가하고,상기 p형 젤 및 상기 n형 젤의 너비는 상기 p형 젤 및 상기 n형 젤이 접한 경계면으로부터 상기 각 젤이 형성되어 있는 위치까지의 거리인,이온 다이오드
12 12
제2항에 있어서,상기 이온 다이오드는,상기 p형 젤, 상기 n형 젤, 상기 제1 저장소, 및 상기 제2 저장소를 덮는 봉지 층을 더 포함하고,상기 봉지 층에 형성된 주입부를 통해 상기 이온 입력이 주입되는,이온 다이오드
13 13
제12항에 있어서,상기 주입부의 위치는 상기 p 형 젤과 상기 n형 젤이 접한 계면에 대응하는 영역에 위치하는,이온 다이오드
14 14
저장소;상기 저장소 내에 위치하는 고분자전해질인 p형 젤; 및상기 저장소 내에 위치하고, 상기 p형 젤의 일측에 접하는 고분자전해질인 n 형 젤을 포함하고, 상기 p형 젤과 상기 n형 젤에 역 바이어스 전압에 의한 공핍 영역이 형성되고, 상기 공핍 영역에 주입된 이온 입력에 의해 상기 저장소로부터 유입되는 추가 이온에 의해 피크 이온 전류가 발생하며,상기 p형 젤은 poly 3-sulfopropyl acrylate potassium salt, poly vinylsulfonic acid(pVSA), poly styrene sulfonic acid(pSS), 및 poly 2-acrylamide-2-methyl-1-propanesulfonic acid(pAMPSA) 중 어느 하나로 구성되고,상기 n형 젤은 poly diallyl-dimethylammonium chloride, poly N-[3-(N,N-dimethylamino)propyl] acrylamide methyl chloride quarternary(pDMAPAA-Q), 및 Poly(2-[acryloyloxy ethyl] trimethyl ammonium chloride(pAETMAC) 중 어느 하나로 구성되는,이온 다이오드
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