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표면 개질된 기판을 이용한 유-무기 복합 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015140917
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면 개질된 기판을 이용한 유-무기 복합 박막의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 a) 챔버 내 기판을 로딩하는 단계; b) 상기 기판 표면을 챔버 내에서 UV/O3 처리하여 표면을 개질하는 단계; c) 상기 표면 개질된 기판 상에 원자층 증착법으로 무기 박막을 형성하는 단계; 및 d) 상기 무기 박막 상에 자기조립 단분자막 형태의 유기 박막을 형성하는 단계를 포함하는 표면 개질된 기판을 이용한 유-무기 복합 박막의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 의해 UV/O3 처리를 통해 기판의 표면을 개질하여, 실리콘 기판 뿐만 아니라 고분자 기판 상에도 유-무기 복합 박막을 단시간 내 형성시킨다.기판, 표면, 개질, 원자층 증착법, 자기조립 단분자막
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/0262(2013.01) H01L 21/0262(2013.01) H01L 21/0262(2013.01) H01L 21/0262(2013.01)
출원번호/일자 1020070077940 (2007.08.03)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0013852 (2009.02.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.03)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성명모 대한민국 서울 서초구
2 이병훈 대한민국 서울 구로구
3 이송언 대한민국 경기 부천시 소사구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0566070-49
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.06.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.06.20 수리 (Accepted) 9-1-2008-0039358-64
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0637746-29
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0091275-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 챔버 내 기판을 로딩하는 단계; b) 상기 기판 표면을 챔버 내에서 UV/O3 처리하여 표면을 개질하는 단계;c) 상기 표면 개질된 기판 상에 원자층 증착법으로 무기 박막을 형성하는 단계; 및d) 상기 무기 박막 상에 자기조립 단분자막 형태의 유기 박막을 형성하는 단계를 포함하는 표면 개질된 기판을 이용한 유-무기 복합 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,추가로 단계 a) 이전에 기판의 표면을 UV/O3 처리하는 단계를 수행하는 것인 유-무기 복합 박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 기판은 금속 기판, 금속 산화물 기판, 반도체 기판, 유리 기판, 또는 플라스틱 기판인 것인 유-무기 복합 박막의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 금속 기판은 Au, Pt, Ni, Cu, Co, Pd, Al 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속을 포함하는 것인 유-무기 복합 박막의 제조방법
5 5
제3항에 있어서,상기 금속 산화물 기판은 Au, Pt, Ni, Cu, Co, Pd, Al, Zn 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속의 산화물을 포함하는 것인 유-무기 복합 박막의 제조방법
6 6
제3항에 있어서,상기 반도체 기판은 Si, Ge, C, Ga, As, P, B, Zn, Se, Cd, Sn, In, SiGe, GaAs, AlGaAs, GaAsP, InAs, Sn, InAsP, InGaAs, AlAs, InP, GaP, ZnSe, CdS, ZnCdS, CdSe 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것인 유-무기 복합 박막의 제조방법
7 7
제3항에 있어서,상기 플라스틱 기판은 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethylene ether phthalate), 폴리에틸렌프탈레이트(polyethylene phthalate), 폴리부틸렌프탈레이트(polybuthylene phthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰(polyether sulfone), 폴리디메틸실록산(polydimethyl siloxane; PDMS), 폴리이미드 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 재질을 포함하는 것인 유-무기 복합 박막의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 기판은 Si 기판 또는 폴리디메틸실록산(PDMS) 기판인 것인 유-무기 복합 박막의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 단계 b)의 UV는 100 내지 500 nm의 강도로 10초 내지 60분간 조사하는 것인 유-무기 복합 박막의 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 단계 b)는 챔버 내 압력을 1 내지 10 mtorr으로 감압시킨 후 500 내지 1000 mtorr의 사이의 공정 압력을 유지하여 수행하는 것인 유-무기 복합 박막의 제조방법
11 11
제1항에 있어서,상기 단계 c)의 무기 박막은 Al, Si, Zr, Ti, Hf, La, Ta, Mg, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 원소의 산화물을 포함하는 것인 유-무기 복합 박막의 제조방법
12 12
제1항에 있어서,상기 단계 c)의 원자층 증착법은c1) 원료 기체를 주입하여 개질된 기판 상에 금속 박막을 증착시키고,c2) 퍼징 가스를 유입하여 미반응 원료 기체나 증착 부산물을 제거하고,c3) 산소 공급원으로 O2, O3, H2O, H2O2, N2O, CH3OH, C2H5OH, C3H7OH 또는 이들의 혼합 기체를 주입하여 상기 금속 박막을 산화시켜 금속 산화물이 형성된 무기 박막을 형성하고,c4) 퍼징 가스를 유입하여 미반응 H2O나 증착 부산물을 제거하는 단계를 포함하여 수행하는 것인 유-무기 복합 박막의 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 원료 기체로는 Al, Si, Zr, Ti, Hf, La, Ta, Mg 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속을 포함하는 알콕사이드, 염화물, 수산화물, 옥시수산화물, 질산염, 탄산염, 초산염, 옥살산염 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것인 유-무기 복합 박막의 제조방법
14 14
제1항에 있어서,상기 단계 c)의 원자층 증착법은 25 내지 250 ℃의 온도에서 1 내지 10,000 mTorr의 압력 하에서 수행하는 것인 유-무기 복합 박막의 제조방법
15 15
제1항에 있어서,상기 유기 박막은 유기 박막 형성을 위한 원료 기체를 80 내지 150 ℃에서 0
16 16
제15항에 있어서,상기 원료 기체는 C1 내지 C20의 알킬기를 포함하는 지방산, C1 내지 C20의 알킬기를 포함하는 알킬트리할로실란, C1 내지 C20의 알킬기를 포함하는 알킬트리알콕시실란, C1 내지 C20의 알킬기를 포함하는 알킬실록산, C1 내지 C20의 알킬기를 포함하는 알킬티올, C1 내지 C20의 알킬기를 포함하는 알킬포스페이스트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것인 유-무기 복합 박막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.