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Mn+1AXn 조성의 무기 화합물로부터 A 층을 제거하고, Mn+1XnTs 조성의 나노시트를 얻는 단계; 및상기 Mn+1XnTs 조성의 나노시트를 환원시켜 Mn+1Xn 조성의 멕신(MXene) 나노시트를 얻는 단계;를 포함하며, 여기서, M은 원소주기율표의 제3족, 제4족, 제5족 및 제6족 원소 중에서 선택되는 적어도 하나의 전이금속이고, A는 원소주기율표의 제12족, 제13족, 제14족, 제15족 및 제16족 원소 중에서 선택되는 적어도 하나이고, X는 탄소(C), 질소(N) 또는 이들의 조합이고, Ts는 옥사이드(O), 에폭사이드, 히드록사이드(OH), 탄소수 1-5의 알콕사이드, 플루오라이드(F), 클로라이드(Cl), 브로마이드(Br), 아이오다이드(I), 또는 이들의 조합이고, n은 1, 2 또는 3인 멕신(MXene) 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 M은 Sc, Y, Lu, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo 및 W 중에서 선택되는 적어도 하나의 전이금속인 멕신(MXene) 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 A는 Al, Si, P, S, Ga, Ge, As, Cd, In, Sn, Tl 및 Pb 중에서 선택되는 적어도 하나인 멕신(MXene) 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 Mn+1AXn 조성의 무기 화합물은 Ti2CdC, Sc2InC, Ti2AlC, Ti2GaC, Ti2InC, Ti2TIC, V2AlC, V2GaC, Cr2GaC, Ti2AlN, Ti2GaN, Ti2InN, V2GaN, Cr2GaN, Ti2GeC, Ti2SnC, Ti2PbC, V2GeC, Cr2AlC, Cr2GeC, V2PC, V2AsC, Ti2SC, Zr2InC, Zr2TlC, Nb2AlC, Nb2GaC, Nb2InC, Mo2GaC, Zr2InN, Zr2TlN, Zr2SnC, Zr2PbC, Nb2SnC, Nb2PC, Nb2AsC, Zr2SC, Nb2SC, Hf2InC, Hf2TlC, Ta2AlC, Ta2GaC, Hf2SnC, Hf2PbC, Hf2SnN, Hf2SC; Ti3AlC2, V3AlC2, Ti3SiC2, Ti3GeC2, Ti3SnC2, Ta3AlC2; Ti4AlN3, V4AlC3, Ti4GaC3, Ti4SiC3, Ti4GeC3, Nb4AlC3, 및 Ta4AlC3 중에서 선택되는 하나 이상인 멕신(MXene) 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 Mn+1XnTs 조성은 Mn+1Xn(OH)xOyFz (여기서, x, y 및 z는 Mn+1Xn 1몰당 표면에 존재하는 각 작용기의 몰비이다)인 멕신(MXene) 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 Mn+1XnTs 조성의 나노시트는 2차원 층상 구조를 갖는 멕신(MXene) 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 A 원자층의 제거 단계는 산 조건에서 수행되는 멕신(MXene) 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 A 원자층의 제거 단계는 불소 원자를 함유하는 강산을 이용하여 수행되는 멕신(MXene) 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 A 원자층의 제거 단계는, 불산(HF), LiHF2, NaHF2, KHF2, 불소화리튬(LiF), 불화나트륨(NaF), 불화마그네슘(MgF2), 불화스트론튬(SrF2), 불화베릴륨(BeF2), 불화칼슘(CaF2), 불화암모늄(NH4F), 이불화암모늄(NH4HF2), 암모늄 헥사플루오로알루미네이트((NH4)3AlF6) 또는 이들의 조합, 또는 이들과 염산, 황산 및 질산 중 하나 이상과의 조합 중에서 선택되는 하나 이상을 이용하여 수행되는 멕신(MXene) 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 A 원자층의 제거 단계는 20℃ 내지 800℃ 범위에서 수행되는 멕신(MXene) 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 환원 단계는 화학적, 열적 또는 열적-화학적 환원 공정으로 수행되는 멕신(MXene) 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 환원 단계는 환원제를 이용하여 수행되는 멕신(MXene) 나노시트의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 환원제는 알칼리금속과 아민 또는 암모니아(NH3)와의 조합인 멕신(MXene) 나노시트의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 알칼리금속은 Li, Na 및 K 중에서 선택되는 하나 이상인 멕신(MXene) 나노시트의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 아민은 에틸렌디아민(ethylene diamine), 메틸아민, 및 다이아이소프로필아민 (diisopropylamine) 중에서 선택되는 하나 이상인 멕신(MXene) 나노시트의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 환원 단계는 상기 아민 또는 암모니아의 끓는점 이하에서 수행되는 멕신(MXene) 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 환원 후 얻어진 Mn+1Xn 조성의 MXene 나노시트를 산을 이용하여 중화하는 단계를 더 포함하는 멕신(MXene) 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 Mn+1Xn 조성의 멕신(MXene) 나노시트를 알코올 용매와 함께 100℃ 내지 200℃ 온도 범위의 진공 상태에서 건조하는 단계를 더 포함하는 멕신(MXene) 나노시트의 제조방법
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표면에 관능기가 수식되어 있지 않은 멕신(MXene) 나노시트로서,전자상자성공명(electron paramagnetic resonance, EPR) 분석시 상기 멕신 나노시트의 표면에 존재하는 전이금속의 3d 오비탈의 홀전자에 기인하는 피크를 나타내는 멕신(MXene) 나노시트
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제19항에 있어서, 상기 멕신 나노시트는 단일 결정층 또는 복수의 단일 결정층들이 서로 적층된 복수층으로 이루어지는 2차원의 층상 구조를 갖는 멕신(MXene) 나노시트
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