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Pb-free 유무기 복합 페로브스카이트를 이용한 멤리스터(MEMRISTOR USING Pb-FREE ORGANIC-INORGANIC HYBRID PEROVSKITE)

  • 기술번호 : KST2017015589
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 Pb-free 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 기반으로 한 멤리스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 45/00 (2017.04.07) H01L 27/24 (2017.04.07) H01B 1/02 (2017.04.07) C07F 7/00 (2017.04.07)
CPC
출원번호/일자 1020170042077 (2017.03.31)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0113454 (2017.10.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160039758   |   2016.03.31
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020190033881;
심사청구여부/일자 Y (2017.03.31)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박남규 대한민국 서울특별시 강남구
2 김희선 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0320081-95
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0725515-41
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0751324-82
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2018-0019538-63
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0336292-11
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-0701221-17
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0811891-78
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0811892-13
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-1292950-12
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0881388-34
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2019.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0053303-19
13 법정기간연장승인서
 2019.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0012206-87
14 면담 결과 기록서
 2019.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0015536-85
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.02.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0183396-15
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0183363-19
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0144514-05
18 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2019.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0305480-71
19 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2019.05.03 수리 (Accepted) 7-8-2019-0011108-42
20 등록결정서
Decision to grant		 2019.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0916610-21
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 전극;제 2 전극; 및유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층을 포함하며,상기 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층은 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 것이며,상기 스위칭 층은 별도의 전자 형성 과정 없이 일정한 스위칭 전압에 도달하면 고저항 상태(HRS, high resistance state)에서 저저항 상태(LRS, low resistance state)로 변화하여 전류를 이동시키는 것이고,상기 유무기 복합 페로브스카이트는 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로서 표시되는 유무기 복합 페로브스카이트 물질을 포함하는 멤리스터에 있어서,상기 스위칭 층은 전압의 크기나 방향에 따라 상기 스위칭 층 내의 이온 또는 결함이 전기장 내에서 이동함으로써 야기되는 에너지분포의 변화, 구조 변화, 또는 층 내에 존재하는 이온의 산화-환원 반응에 의해 상기 스위칭 층이 고저항 상태(HRS) 또는 저저항 상태(LRS)를 유지하고, 상기 멤리스터가 작동되는 동안 전도 채널을 형성하여 온-오프 상태를 결정하는 것인, 멤리스터:[화학식 1]RMX4;[화학식 2]R3M2X9;상기 화학식 1 및 상기 화학식 2에서, 각각 독립적으로,M은 Bi, Sb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 양이온을 포함하고,R은 유기 양이온이고,X는 할라이드 음이온을 포함하는 것임
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 R은 (R1R2R3R4N)+로서 표시되는 1 가의 유기 암모늄 양이온이며,상기 R1 내지 상기 R4 은, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 선형 또는 분지형 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 20의 헤테로아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 멤리스터
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 R은 (R6R7N=CH-NR8R9)+로서 표시되는 1 가의 포름 아미디늄 양이온이며, 상기 R6 내지 상기 R9는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 멤리스터
5 5
제 1 항에 있어서,상기 R은 탄소수 1 내지 6의 알킬암모늄 양이온 또는 포름아미디늄 양이온을 포함하는 것인, 멤리스터
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제 1전극과 상기 제 2 전극은 서로 동일하거나 상이한 전극 물질을 포함하는 것인, 멤리스터
8 8
제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극에 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층을 형성하는 단계; 및상기 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 스위칭 층은 별도의 전자 형성 과정 없이 일정한 스위칭 전압에 도달하면 고저항 상태(HRS, high resistance state)에서 저저항 상태(LRS, low resistance state)로 변화하여 전류를 이동시키는 것이고,상기 유무기 복합 페로브스카이트는 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로서 표시되는 유무기 복합 페로브스카이트 물질을 포함하는 멤리스터의 제조방법에 있어서,상기 스위칭 층은 전압의 크기나 방향에 따라 상기 스위칭 층 내의 이온 또는 결함이 전기장 내에서 이동함으로써 야기되는 에너지분포의 변화, 구조 변화, 또는 층 내에 존재하는 이온의 산화-환원 반응에 의해 상기 스위칭 층이 고저항 상태(HRS) 또는 저저항 상태(LRS)를 유지하고, 상기 멤리스터가 작동되는 동안 전도 채널을 형성하여 온-오프 상태를 결정하는 것인, 멤리스터 제조방법:[화학식 1]RMX4;[화학식 2]R3M2X9;상기 화학식 1 및 상기 화학식 2에서, 각각 독립적으로, M은 Bi, Sb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 양이온을 포함하고,R은 유기 양이온이고,X는 할라이드 음이온을 포함하는 것임
9 9
제 8 항에 있어서,상기 R 은 (R1R2R3R4N)+로서 표시되는 1 가의 유기 암모늄 양이온이며, 상기 R1 내지 상기 R4 는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 선형 또는 분지형 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 20의 헤테로아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
10 10
제 8 항에 있어서,상기 R은 (R6R7N=CH-NR8R9)+로서 표시되는 1 가의 포름아미디늄 양이온이며, 상기 R6 내지 상기 R9는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
11 11
제 8 항에 있어서,상기 R은 탄소수 1 내지 6의 알킬암모늄 양이온 또는 포름아미디늄 양이온을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
12 12
삭제
13 13
제 8 항에 있어서,상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극은 서로 동일하거나 상이한 물질을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
14 14
제 8 항에 있어서,상기 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층을 형성하는 단계는, RX 및 MX3를 극성 비양성자성 용매에서 반응시킨 유무기 복합 페로브스카이트 제조용 전구체 용액을 상기 제 1 전극에 도포하는 것을 포함하며,상기 R, M, 및 X는 제 8 항 에서 정의된 것과 동일한 것인, 멤리스터 제조방법
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층을 형성하는 단계는, 상기 유무기 복합 페로브스카이트 제조용 전구체 용액을 상기 제 1 전극에 도포한 후 열처리하는 것을 추가 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
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