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제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 형성된 저항 변화층; 및상기 저항 변화층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하고,상기 저항 변화층은 엘파솔라이트 구조의 Cs2AgBiBrxI6-x (단, 0 ＜ x ＜ 6 임) 박막을 포함하는 것이고,상기 저항 변화층의 I 이온의 이동 또는 상기 박막의 포인트 결함(defect)에 의해 저항이 변화하는 것이고,상기 저항 변화층은 납(Pb)을 포함하지 않는 것인,저항 변화 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 저항 변화 메모리 소자의 구동 전압 범위는 -1
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 서로 직교하도록 배치되는 것인, 저항 변화 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 저항 변화층 상에 형성된 고분자 보호층을 추가 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자
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제 6 항에 있어서,상기 고분자 보호층은, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리디메틸실록산, 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐리덴 플루오라이드, 폴리비닐리덴플루오라이드-헥사플로로프로필렌, 폴리에틸렌이민, 폴리페닐렌 테레프탈아미드, 폴리메톡시 폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 폴리 2-메톡시 에틸글리시딜에테르 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 고분자를 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은, 각각 독립적으로 Pt, Ti, Ag, Au, Ni, Zr, Ta, Zn, Nb, Cr, Co, Mn, Fe, Al, Mg, Si, W, Cu, 란탄계 금속, 이들의 질화물, 이들의 산화물 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자
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기판 상에 제 1 전극을 증착하는 단계;상기 제 1 전극 상에 엘파솔라이트 구조를 갖는 Cs2AgBiBrxI6-x (단, 0 ＜ x ＜ 6 임) 박막을 포함하는 저항 변화층을 증착하는 단계; 및상기 저항 변화층 상에 제 2 전극을 증착하는 단계를 포함하는,제 1 항에 따른 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 저항 변화층을 증착하는 단계는 Cs, Ag, 또는 Bi 를 각각 포함하는 전구체를 상기 제 1 전극 상에 열과 함께 공급하여 박막을 형성하는 것인, 저항 메모리 소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 저항 변화층을 증착하는 단계 후, 상기 저항 변화층 상에 고분자 보호층을 형성하는 단계를 추가 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 고분자 보호층은 스핀 코팅, 바코팅, 노즐 프린팅, 스프레이 코팅, 슬롯다이코팅, 그라비아 프린팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 전기수력학적 젯 프린팅(electrohydrodynamic jet printing), 전기분무(electrospray), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 방법에 의해 코팅되는 것인, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 코팅에 사용되는 용매는 클로로벤젠, 피리딘, 아닐린, 디메틸포름아마이드, 디메틸설폭사이드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸피롤리돈, N-메틸-2-피리딘, 탄소수가 3 내지 6 인 분지형 알코올 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 기판은 ITO, Si, SiO2, SiC, Ga, SiGe, FTO, Al2O3, InAs, GaAs, InP, GaN, InGaAs, InAlAs, GaSb, AlSb, AlP, GaP 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
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