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서로 대향하게 배치된 제1 전극과 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 하기 화학식 1로 표시되고 층상 구조를 갖는 결정질 유무기 할로겐 화합물로 형성된 저항 변화층을 포함하고,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 하나는 구리(Cu), 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 포함하는 활성 전극이고, 나머지 하나는 상기 활성 전극을 형성하는 물질보다 이온화 에너지가 높은 전도성 물질로 형성된 비활성 전극인 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자:[화학식 1]상기 화학식 1에서, R은 +1가의 유기 양이온을 나타내고, X는 할로겐 음이온을 나타낸다
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제1항에 있어서,상기 R은 C6H5(CH2)nNH3(n=1, 2 또는 3)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자
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제1항에 있어서, 상기 저항 변화층은 (BzA)2CuBr4(BZA=C6H5CH2NH3)으로 형성된 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자
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제1항에 있어서, 상기 결정질 유무기 할로겐 화합물은 CuX42-의 무기 음이온층이 유기 양이온 층에 의해 분리된 구조의 층상 구조를 갖고,상기 유기 양이온은 이중층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자
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제4항에 있어서, 상기 무기 음이온층은 Cu 이온이 6개의 X 이온에 의해 배위된 CuX6 옥타헤드론이 단층으로 배열된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자
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제1항에 있어서,상기 저항 변화층의 표면들 중 상기 활성 전극과 마주보는 제1 표면에는 복수의 폐곡선을 각각 형성하는 고리 형태 복수의 제1 돌출부 또는 제1 함몰부가 형성된 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자
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7
제1항에 있어서, 상기 제1 표면에는 상기 제1 돌출부 또는 제1 함몰부의 내부 또는 외부에 형성되고 상기 제1 돌출부 또는 상기 제1 함몰부와 다른 형태를 갖는 제2 돌출부 또는 제2 함몰부가 더 형성된 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자
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제7항에 있어서, 상기 제1 표면은 100 nm 내지 140nm의 RMS 거칠기를 갖는 것을 특징으로 하는 , 멤리스터 소자
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CuBr2 및 BzABr가 용해된 전구체 용액을 불활성 전극이 형성된 기판 표면 상에 스핀 코팅하여 (BzA)2CuBr4층을 형성하는 제1 단계;상기 (BzA)2CuBr4층을 70 내지 80℃에서 어닐링 하는 제2 단계; 및상기 어닐링된 (BzA)2CuBr4층 상부에 활성 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 단계에서 상기 전구체 용액을 스핀 코팅하는 동안 디에틸 에테르 반용매를 상기 기판 상에 드리핑(Dripping)하고,상기 제1 단계에서 형성된 상기 (BzA)2CuBr4층의 표면에는 복수의 폐곡선을 각각 형성하는 고리 형태 복수의 제1 돌출부 또는 제1 함몰부가 형성된 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 제1 단계에서 상기 (BzA)2CuBr4층의 표면에는 상기 제1 돌출부 또는 제1 함몰부의 내부 또는 외부에 형성되고 상기 제1 돌출부 또는 상기 제1 함몰부와 다른 형태를 갖는 제2 돌출부 또는 제2 함몰부가 더 형성된 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 열처리된 (BzA)2CuBr4층의 표면은 100 nm 내지 140nm의 RMS 거칠기를 갖는 것을 특징으로 하는 , 멤리스터 소자의 제조방법
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서로 교차하는 방향으로 연장된 제1 신호라인 및 제2 신호라인; 및상기 제1 신호라인과 상기 제2 신호라인이 중첩하는 영역에서 이들 사이에 배치되고, 서로 직렬로 연결된 메모리 셀과 선택 소자를 포함하고,상기 메모리 셀은 상기 제1 신호라인과 상기 제2 신호라인 중 하나와 전기적으로 연결된 제1 전극, 상기 선택 소자와 전기적으로 연결된 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 저항 변화층을 포함하고,상기 저항 변화층은 하기 화학식 1로 표시되고 층상 구조를 갖는 결정질 유무기 할로겐 화합물로 형성된 것을 특징으로 하는, 정보 저장 장치:[화학식 1]상기 화학식 1에서, R은 +1가의 유기 양이온을 나타내고, X는 할로겐 음이온을 나타낸다
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제12항에 있어서, 상기 메모리 셀은 양극성 스위칭 특성을 갖는 것을 특징으로 하는, 정보 저장 장치
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제12항에 있어서,상기 메모리 셀은 다중레벨 저장 능력을 갖는 것을 특징으로 하는, 정보 저장 장치
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