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서로 대향하게 배치된 제1 전극과 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 하기 화학식 1로 표현되고 헥사고날 결정 구조를 갖는 유무기 할로겐 화합물로 형성된 저항 변화층을 포함하는 멤리스터 소자:[화학식 1][화학식 2] 상기 화학식 1에서, R은 화학식 2의 이미다졸륨 양이온을 나타내고, M은 금속 양이온을 나타내고, X는 할로겐 음이온을 나타내고, x, y 및 z는 서로 독립적으로 -0
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제1항에 있어서,상기 이미다졸륨 양이온은 하기 화학식 2-1의 이미다졸륨 양이온인 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자:[화학식 2-1]
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제2항에 있어서, 상기 저항 변화층은 DMF(dimethylformamide) 용매에 PbI2(Lead iodide) 및 IAI(imidazolium iodide)이 1:0
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제1항에 있어서, 상기 금속 양이온(M)은 구리 이온(Cu2+), 니켈 이온(Ni2+), 코발트 이온(Co2+), 철 이온(Fe2+), 망간 이온(Mn2+), 크롬 이온(Cr2+), 팔라듐 이온(Pd2+), 카드뮴 이온(Cd2+), 이테르븀 이온(Yb2+), 납 이온(Pb2+), 주석 이온(Sn2+), 게르마늄 이온(Ge2+), 비스무스 이온(Bi3+) 및 안티모니 이온(Sb3+)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자
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제1항에 있어서,상기 할로겐 음이온(X)은 불소 이온(F-), 염소 이온(Cl-), 브롬 이온(Br-) 및 요오드 이온(I-)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자
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제1항에 있어서, 상기 유무기 할로겐 화합물의 헥사고날 결정구조 내에서 6개의 X 이온들이 1개의 M 이온을 둘러싸서 팔면체 단위를 형성하고, 상기 팔면체 단위들은 결정의 c-축을 따라 인접하게 배치된 2개의 팔면체 단위가 하나의 면을 공유하도록 배치되어 선형 구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자
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7
제5항에 있어서,상기 헥사고날 결정구조의 ab-평면은 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극의 일면과 평행하게 배치된 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자
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8
제4항에 있어서, 상기 유무기 할로겐 화합물은 할로겐 공공을 포함하고,상기 할로겐 공공의 에너지 레벨은 상기 유무기 할로겐 화합물의 가전자대(valence band) 에너지 레벨보다 높고 전도대(conduction band) 에너지 레벨보다 낮은 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자
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서로 교차하는 방향으로 연장된 제1 신호라인 및 제2 신호라인; 및상기 제1 신호라인과 상기 제2 신호라인이 중첩하는 영역에서 이들 사이에 배치되고, 서로 직렬로 연결된 메모리 셀과 선택 소자를 포함하고,상기 메모리 셀은 상기 제1 신호라인과 상기 제2 신호라인 중 하나와 전기적으로 연결된 제1 전극, 상기 선택 소자와 전기적으로 연결된 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 저항 변화층을 포함하고,상기 저항 변화층은 하기 화학식 1로 표현되고 헥사고날 결정 구조를 갖는 유무기 할로겐 화합물로 형성된 것을 특징으로 하는, 비휘발성 메모리 소자:[화학식 1][화학식 2] 상기 화학식 1에서, R은 화학식 2의 이미다졸륨 양이온을 나타내고, M은 금속 양이온을 나타내고, X는 할로겐 음이온을 나타내고, x, y 및 z는 서로 독립적으로 -0
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제9항에 있어서, 상기 메모리 셀은 바이폴라 스위칭 특성을 갖는 것을 특징으로 하는, 비휘발성 메모리 소자
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제9항에 있어서,상기 메모리 셀은 다중레벨 저장 능력을 갖는 것을 특징으로 하는, 비휘발성 메모리 소자
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