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원자 스위칭 장치

  • 기술번호 : KST2019002878
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 원자 스위칭 장치가 개시된다. 원자 스위칭 장니는 제1 금속으로 형성된 활성 전극, 활성 전극과 대향하도록 배치되고 제1 금속보다 이온화 에너지가 높은 제2 금속으로 형성된 비활성 전극, 활성 전극과 비활성 전극 사이에 배치된 고체산화물 전해질층 및 활성 전극과 고체산화물 전해질층 사이에 배치된 산소결함 공급층을 구비한다. 이러한 원자 스위칭 장치는 낮은 작동 전압에서도 향상된 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190033567 (2019.03.25)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0034186 (2019.04.01) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2017-0096005 (2017.07.28)
관련 출원번호 1020170096005
심사청구여부/일자 Y (2019.03.25)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성주 경기도 성남시 분당구
2 주재혁 경상남도 창원시 진해구
3 장성규 경기도 부천시 장말로 ***,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2019.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0303322-29
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0366142-64
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0746487-66
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0862120-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0862111-14
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0841011-56
7 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2019.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-1315511-12
8 면담 결과 기록서
2019.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0142296-67
9 법정기간연장승인서
2019.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0203936-12
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.12.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-1340005-07
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2019-1340006-42
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0031369-77
13 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2020-0055430-70
14 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2020.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-5001869-38
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번호 청구항
1 1
구리(Cu), 은(Ag) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 제1 금속으로 형성된 활성 전극;상기 활성 전극과 대향하도록 배치되고, 상기 제1 금속보다 이온화 에너지가 높은 제2 금속으로 형성된 비활성 전극;상기 활성 전극과 상기 비활성 전극 사이에 배치되고, Ta2O5-x(0
2 2
제1항에 있어서, 상기 제2 금속은 백금(Pt), 금(Au) 및 팔라듐(Pd)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 원자 스위칭 장치
3 3
제1항에 있어서, 상기 원자 스위칭 장치는 최초 전도성 필라멘트를 형성하기 위한 포밍(Forming) 과정이 요구되지 않는 것을 특징으로 하는, 원자 스위칭 장치
4 4
기판 상에 제2 금속으로 이루어진 비활성 전극을 형성하는 단계;상기 비활성 전극이 형성된 상기 기판 상에 Ta2O5-x(0
5 5
삭제
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020190012666 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 미래반도체신소자원천기술개발사업(신소자집적·검증기술) BEOL Via 집적형 신소자 공정플랫폼 및 응용소자 개발
2 교육부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 이공학개인기초연구사업(기본연구지원사업_후속연구지원) 이차원 나노융복합소재를 이용한 신기능성 차세대 ICT 정보처리소자 개발
3 과학기술정보통신부 광주과학기술원 글로벌프론티어사업(하이브리드 인터페이스 기반 미래소재 연구) 3D 집적 반도체소재 원천기술 및 응용 연구
4 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 기초연구실지원사업 비선형 부성저항 특성 기반 한계극복 ICT정보처리 소자 개발