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부성 미분 전달컨덕턴스(negative differential transconductance) 특성을 갖는 반도체 소자의 제조 방법에 있어서,(a) 기판 상에 절연층을 형성하는 단계;(b) 상기 절연층 상에 반도체 물질층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 반도체 물질층의 단부에 각각 결합되는 전극층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 반도체 물질층은 제1영역 및 제2영역으로 구분되고, 상기 제1영역 및 상기 제2영역에 대응하는 각 반도체 물질층은 서로 다른 문턱 전압을 가지며, 게이트 전압의 크기에 따라 공통된 전도도 구간이 발생하는 경우 부성 미분 전달컨덕턴스 특성을 나타내고,상기 (a) 단계는 (a-1) 상기 제1영역에 대응하는 기판 상에 제1절연층을 형성하고, 상기 제2영역에 대응하는 기판 상에 상기 제1절연층과 접하도록 제2절연층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1절연층 및 상기 제2절연층은 서로 다른 유전 상수를 갖도록 형성된 것인,반도체 소자의 제조 방법
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부성 미분 전달컨덕턴스(negative differential transconductance) 특성을 갖는 반도체 소자의 제조 방법에 있어서,(a) 기판 상에 절연층을 형성하는 단계;(b) 상기 절연층 상에 반도체 물질층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 반도체 물질층의 단부에 각각 결합되는 전극층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 반도체 물질층은 제1영역 및 제2영역으로 구분되고, 상기 제1영역 및 상기 제2영역에 대응하는 각 반도체 물질층은 서로 다른 문턱 전압을 가지며, 게이트 전압의 크기에 따라 공통된 전도도 구간이 발생하는 경우 부성 미분 전달컨덕턴스 특성을 나타내고,상기 (a) 단계는(a-2) 상기 제1영역에 대응하는 기판 상에 제1두께를 갖도록 상기 절연층을 형성하고, 상기 제2영역에 대응하는 기판 상에 제2두께를 갖도록 상기 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 것인,반도체 소자의 제조 방법
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부성 미분 전달컨덕턴스(negative differential transconductance) 특성을 갖는 반도체 소자의 제조 방법에 있어서,(a) 기판 상에 절연층을 형성하는 단계;(b) 상기 절연층 상에 반도체 물질층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 반도체 물질층의 단부에 각각 결합되는 전극층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 반도체 물질층은 제1영역 및 제2영역으로 구분되고, 상기 제1영역 및 상기 제2영역에 대응하는 각 반도체 물질층은 서로 다른 문턱 전압을 가지며, 게이트 전압의 크기에 따라 공통된 전도도 구간이 발생하는 경우 부성 미분 전달컨덕턴스 특성을 나타내고,상기 (b) 단계는(b-1) 상기 제1영역 및 상기 제2 영역에 대응하는 절연층 상부의 전 영역에 제1반도체를 형성하고, 문턱 전압 변화에 의해, 상기 제2영역에 대응하는 상기 제1반도체의 일 부분을 제2반도체로 형성하는 단계를 포함하는 것인,반도체 소자의 제조 방법
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부성 미분 전달컨덕턴스(negative differential transconductance) 특성을 갖는 반도체 소자의 제조 방법에 있어서,(a) 기판 상에 절연층을 형성하는 단계;(b) 상기 절연층 상에 반도체 물질층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 반도체 물질층의 단부에 각각 결합되는 전극층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 반도체 물질층은 제1영역 및 제2영역으로 구분되고, 상기 제1영역 및 상기 제2영역에 대응하는 각 반도체 물질층은 서로 다른 문턱 전압을 가지며, 게이트 전압의 크기에 따라 공통된 전도도 구간이 발생하는 경우 부성 미분 전달컨덕턴스 특성을 나타내고,상기 (b) 단계는 (b-2) 상기 제1영역에 대응하는 절연층 상에 제1반도체를 형성하고, 상기 제2영역에 대응하는 절연층 상에 상기 제1반도체와 이격하는 제2반도체를 형성하는 단계를 포함하는 것인,반도체 소자의 제조 방법
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부성 미분 전달컨덕턴스(negative differential transconductance) 특성을 갖는 반도체 소자의 제조 방법에 있어서,(a) 기판 상에 절연층을 형성하는 단계;(b) 상기 절연층 상에 일함수 가변 물질층을 형성하는 단계;(c) 상기 일함수 가변 물질층 상에 반도체 물질층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 반도체 물질층의 단부에 각각 결합되는 전극층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 반도체 물질층은 제1영역 및 제2영역으로 구분되는 것이고, 상기 제1영역에 대응하는 반도체 물질층 및 상기 일함수 가변 물질층과 상기 제2영역에 대응하는 반도체 물질층 및 상기 일함수 가변 물질층은 서로 다른 전위 장벽을 가지며, 게이트 전압의 크기에 따라 상기 일함수 가변 물질층의 일함수가 조절되어 부성 미분 전달컨덕턴스 특성을 나타내는 것인,반도체 소자의 제조 방법
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부성 미분 전달컨덕턴스(negative differential transconductance) 특성을 갖는 반도체 소자에 있어서,기판;상기 기판 상에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 형성된 반도체 물질층; 및상기 반도체 물질층의 단부에 각각 결합되도록 형성된 전극층을 포함하되,상기 반도체 물질층은 제1영역 및 제2영역으로 구분되고, 상기 제1영역 및 상기 제2영역에 대응하는 각 반도체 물질층은 서로 다른 문턱 전압을 가지며, 게이트 전압의 크기에 따라 공통된 전도도 구간이 발생하는 경우 부성 미분 전달컨덕턴스 특성을 나타내고,상기 절연층은상기 제1영역에 대응하는 기판 상에 형성된 제1절연층 및 상기 제2영역에 대응하는 기판 상에 형성된 제2절연층으로 구성되되,상기 제1절연층 및 상기 제2절연층은 서로 다른 유전 상수를 갖도록 형성된 것인,반도체 소자
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부성 미분 전달컨덕턴스(negative differential transconductance) 특성을 갖는 반도체 소자에 있어서,기판;상기 기판 상에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 형성된 반도체 물질층; 및상기 반도체 물질층의 단부에 각각 결합되도록 형성된 전극층을 포함하되,상기 반도체 물질층은 제1영역 및 제2영역으로 구분되고, 상기 제1영역 및 상기 제2영역에 대응하는 각 반도체 물질층은 서로 다른 문턱 전압을 가지며, 게이트 전압의 크기에 따라 공통된 전도도 구간이 발생하는 경우 부성 미분 전달컨덕턴스 특성을 나타내고,상기 절연층은상기 제1영역에 대응하는 기판 상에 제1두께를 갖도록 형성된 것이고,상기 제2영역에 대응하는 기판 상에 제2두께를 갖도록 형성된 것인,반도체 소자
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부성 미분 전달컨덕턴스(negative differential transconductance) 특성을 갖는 반도체 소자에 있어서,기판;상기 기판 상에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 형성된 반도체 물질층; 및상기 반도체 물질층의 단부에 각각 결합되도록 형성된 전극층을 포함하되,상기 반도체 물질층은 제1영역 및 제2영역으로 구분되고, 상기 제1영역 및 상기 제2영역에 대응하는 각 반도체 물질층은 서로 다른 문턱 전압을 가지며, 게이트 전압의 크기에 따라 공통된 전도도 구간이 발생하는 경우 부성 미분 전달컨덕턴스 특성을 나타내고,상기 반도체 물질층은상기 제1영역에 대응하는 절연층 상에 형성된 제1반도체 및상기 제2영역에 대응하는 절연층 상에 상기 제1반도체와 이격하도록 형성된 제2반도체로 구성되는 것인,반도체 소자
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부성 미분 전달컨덕턴스(negative differential transconductance) 특성을 갖는 반도체 소자에 있어서,기판;상기 기판 상에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 형성된 일함수 가변 물질층;상기 일함수 가변 물질층 상에 형성된 반도체 물질층; 및상기 반도체 물질층의 단부에 각각 결합되도록 형성된 전극층을 포함하되,상기 반도체 물질층은 제1영역 및 제2영역으로 구분되는 것이고, 상기 제1영역에 대응하는 반도체 물질층 및 상기 일함수 가변 물질층과 상기 제2영역에 대응하는 반도체 물질층 및 상기 일함수 가변 물질층은 서로 다른 전위 장벽을 가지며, 게이트 전압의 크기에 따라 상기 일함수 가변 물질층의 일함수가 조절되어 부성 미분 전달컨덕턴스 특성을 나타내는 것인,반도체 소자
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