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저항 메모리 소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022003096
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 형성된 저항 변화층, 및 상기 저항 변화층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하고, 상기 저항 변화층은 BiX13 (단, X1 는 F, Cl, Br, I, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 할로겐 원소) 및 Bi2X2(3-x) (단, X2 는 S, Se, Te, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 칼코겐 원소이고, x 는 0 이상 3 미만의 실수)를 함유하는 박막을 포함하는 것인, 저항 메모리 소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/141(2013.01) H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1233(2013.01)
출원번호/일자 1020200117695 (2020.09.14)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0035668 (2022.03.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.09.14)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정현석 서울특별시 송파구
2 한길상 경기도 수원시 장안구
3 이상명 경상남도 김해시 삼안로***번
4 김원빈 경기도 수원시 장안구
5 이재명 충청북도 진천군
6 김준영 경기도 수원시 장안구
7 공오영 경기도 수원시 장안구
8 최진혁 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2020-0972360-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.04.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0177511-57
4 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2021.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2021-0932514-23
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0771421-45
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-1354402-40
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2021-1354391-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 형성된 저항 변화층; 및상기 저항 변화층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하고,상기 저항 변화층은 BiX13 (단, X1 는 F, Cl, Br, I, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 할로겐 원소) 및 Bi2X2(3-x) (단, X2 는 S, Se, Te, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 칼코겐 원소이고, x 는 0 이상 3 미만의 실수)를 함유하는 박막을 포함하는 것인,저항 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 박막은 상기 BiX13 성분 및 상기 Bi2X2(3-x) 성분이 조성 구배를 가지는 것인, 저항 메모리 소자
3 3
제 2 항에 있어서,상기 박막은 상기 BiX13 의 조성 비율이 55 at% 초과인 제 1 영역, 상기 BiX13 의 조성 비율이 12 at% 초과 55 at% 이하인 제 2 영역, 및 상기 BiX13 의 조성 비율이 12 at% 이하인 제 3 영역을 포함하는 것인, 저항 메모리 소자
4 4
제 3 항에 있어서,상기 제 1 영역, 상기 제 2 영역 및 상기 제 3 영역이 각각 분리된 박막을 저항 변화층으로서 포함하는, 저항 메모리 소자
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 제 1 영역을 포함하는 저항 메모리 소자의 전류 점멸비(on/off ratio)가 104 내지 1010 인 것인, 저항 메모리 소자
6 6
제 4 항에 있어서,상기 제 2 영역을 포함하는 저항 메모리 소자는 WORM(Write once, read many)인, 저항 메모리 소자
7 7
제 1 항에 있어서,상기 저항 변화층 상에 형성된 고분자 보호층을 추가 포함하는 것인, 저항 메모리 소자
8 8
제 7 항에 있어서,상기 고분자 보호층은, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리디메틸실록산, 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐리덴 플루오라이드, 폴리비닐리덴플루오라이드-헥사플로로프로필렌, 폴리에틸렌이민, 폴리페닐렌 테레프탈아미드, 폴리메톡시 폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 폴리2-메톡시 에틸글리시딜에테르 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 고분자를 포함하는 것인, 저항 메모리 소자
9 9
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 제 2 전극은, 각각 독립적으로 Pt, Ti, Ag, Au, Ni, Zr, Ta, Zn, Nb, Cr, Co, Mn, Fe, Al, Mg, Si, W, Cu, 란탄계 금속, 이들의 질화물, 이들의 산화물 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 저항 메모리 소자
10 10
기판 상에 제 1 전극을 증착하는 단계;상기 기판 상에 BiX13 (단, X1 는 F, Cl, Br, I, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 할로겐 원소) 및 Bi2X2(3-x) (단, X2 는 S, Se, Te, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 칼코겐 원소이고, x 는 0 이상 3 미만의 실수)를 포함하는 저항 변화층을 증착하는 단계; 및상기 저항 변화층 상에 제 2 전극을 증착하는 단계;를 포함하는,저항 메모리 소자의 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 저항 변화층을 증착하는 단계는 상기 기판 상에 Bi 를 포함하는 전구체, 할로겐 원소 전구체, 칼코겐 원소 전구체, 및 열을 함께 공급하여 박막을 형성하는 것인, 저항 메모리 소자의 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 저항 변화층을 증착하는 단계에서, 상기 할로겐 원소 전구체의 할로겐 원소 및 상기 칼코겐 원소 전구체의 칼코겐 원소의 조성비에 따라, 상기 저항 변화층에서상기 BiX13 및 상기 Bi2X2(3-x) 의 농도 구배가 발생하는 것인, 저항 메모리 소자의 제조 방법
13 13
제 10 항에 있어서,상기 저항 변화층을 증착하는 단계 후, 상기 저항 변화층 상에 고분자 보호층을 형성하는 단계를 추가 포함하는 것인, 저항 메모리 소자의 제조 방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 고분자 보호층은 스핀 코팅, 바코팅, 노즐 프린팅, 스프레이 코팅, 슬롯다이코팅, 그라비아 프린팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 전기수력학적 젯 프린팅(electrohydrodynamic jet printing), 전기분무(electrospray), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 방법에 의해 코팅되는 것인, 저항 메모리 소자의 제조 방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 코팅에 사용되는 용매는 클로로벤젠, 피리딘, 아닐린, 디메틸포름아마이드, 디메틸설폭사이드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸피롤리돈, N-메틸-2-피리딘, 탄소수가 3 내지 6 인 분지형 알코올 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 저항 메모리 소자의 제조 방법
16 16
제 10 항에 있어서,상기 기판은 FTO, Si, SiO2, SiC, Ga, SiGe, ITO, Al2O3, InAs, GaAs, InP, GaN, InGaAs, InAlAs, GaSb, AlSb, AlP, GaP 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 저항 메모리 소자의 제조 방법
17 17
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 저항 메모리 소자를 포함하는, 저장 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 산학협력단 미래소재디스커버리사업 2단계1차년도 결정화학엔지니어링 기반 분자운동성 이온결정 소재 개발
2 과학기술정보통신부 성균관대학교 산학협력단 소재융합혁신기술개발 1단계 1차년도 고색재현 RGB 수광소자용 할라이드 페로브스카이트 소재 개발
3 과학기술정보통신부 성균관대학교 산학협력단 2019년도 중견연구(총연구비5억 초과)(3/3) 컴비너터리얼 방법을 이용한 금속 할로겐화 광전자 소재 엔지니어링