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저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019022035
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/14(2013.01) H01L 45/14(2013.01) H01L 45/14(2013.01)
출원번호/일자 1020170175698 (2017.12.20)
출원인 성균관대학교산학협력단, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1945814-0000 (2019.01.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.20)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정현석 서울특별시 송파구
2 장호원 서울특별시 관악구
3 이상명 경기도 수원시 장안구
4 김병조 경기도 수원시 장안구
5 전재범 경기도 수원시 장안구
6 방기주 경기도 수원시 권선구
7 김원빈 경기도 수원시 장안구
8 최재호 서울특별시 관악구
9 한지수 경기도 안산시 상록구
10 이동건 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
2 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구
3 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1268841-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.06.07 수리 (Accepted) 9-1-2018-0026122-48
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0422230-42
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0825963-39
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0825968-67
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0883907-88
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.01.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0084420-79
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-0084412-14
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0070895-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 전극 상에 형성된 저항 변화층; 및상기 저항 변화층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하고,상기 저항 변화층은 정방정계(tetragonal) 페로브스카이트 구조를 포함하는 제 1 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드 및 사방정계(orthorhombic) 페로브스카이트 구조를 포함하는 제 2 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 금속 할라이드를 포함하고,상기 저항 변화층은 상기 제 2 페로브스카이트 결정구조를 가지는 금속 할라이드를 10 중량% 이상 포함하고,상기 제 1 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드는 하기 화학식 1 로 표시되며, 상기 제 2 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 금속 할라이드는 하기 화학식 2 로 표시되는 것인, 저항 변화 메모리 소자:[화학식 1]RMX3[화학식 2]AMX3(상기 화학식 1 및 상기 화학식 2 에서, R 은 C1-24 의 치환된 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 R 이 치환된 경우, 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 사이아노기, 할로겐기, 니트로기 또는 메톡시기이고,A 는 알칼리 금속 양이온이고, M 은 Pb, Sn, Ge, Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Pd, Cd, Yb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하는 것이고, X 는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것임)
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 저항 변화층 상에 형성된 고분자 보호층을 추가 포함하는, 저항 변화 메모리 소자
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 3 항에 있어서, 상기 고분자 보호층은 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리디메틸실록산, 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐리덴 플루오라이드, 폴리비닐리덴플루오라이드-헥사플로로프로필렌, 폴리에틸렌이민, 폴리페닐렌 테레프탈아미드, 폴리메톡시 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트, 폴리 2-메톡시 에틸글리시딜에테르, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 이온 전도성 고분자를 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자
9 9
제 1 전극 상에 저항 변화층을 형성하는 단계; 및상기 저항 변화층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 저항 변화층은 정방정계(tetragonal) 페로브스카이트 구조를 포함하는 제 1 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드 및 사방정계(orthorhombic) 페로브스카이트 구조를 포함하는 제 2 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 금속 할라이드를 포함하고,상기 제 1 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드는 하기 화학식 1 로 표시되며, 상기 제 2 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 금속 할라이드는 하기 화학식 2 로 표시되고,상기 저항 변화층은 하기 화학식 3 으로 표시되는 유기 할라이드, 하기 화학식 4 로 표시되는 알칼리 금속 할라이드 및 하기 화학식 5 로 표시되는 금속 할라이드를 1-x : x : 1 의 몰 비 (0
10 10
제 9 항에 있어서,상기 저항 변화층을 형성하기 전에 상기 제 1 전극 상에 UV 오존 처리를 통해 표면 상에 친수성기를 형성하는 단계를 추가 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
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삭제
15 15
제 9 항에 있어서,상기 용액은 디메틸포름아마이드, 디메틸설폭사이드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸피롤리돈, N-메틸-2-피리딘, 피리딘, 아닐린, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 용매를 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
16 16
제 9 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 각각 독립적으로 금속, 전도성 고분자, 탄소물질, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20190189919 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2019189919 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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5 과학기술정보통신부 서울대학교 미래소재디스커버리지원 분자운동성 이온결정 소재 기반 멤리스터 제작 및 신뢰성 향상 기술 개발