| 1 |
1
제 1 전극 상에 형성된 3 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드를 포함하는 제 1 저항 변화층;상기 제 1 저항 변화층 상에 형성된 2 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드를 포함하는 제 2 저항 변화층; 및상기 제 2 저항 변화층 상에 형성된 제 2 전극;을 포함하는, 저항 변화 메모리 소자
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 제 2 저항 변화층 상에 형성된 고분자 보호층을 추가 포함하는, 저항 변화 메모리 소자
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 제 2 저항 변화층은 벌크 구조를 가지는 페로브스카이트 입자를 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 제 2 저항 변화층에 의해 상기 제 1 저항 변화층의 필라멘트 크기를 제어함으로써 상기 저항 변화 메모리 소자의 내구성을 향상시키는 것인, 저항 변화 메모리 소자
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 3 차원 페로브스카이트 결정 구조 및 상기 2 차원 페로브스카이트 결정 구조의 이종 접합 구조에 의해 수분 및 광 안정성을 가지는 것인, 저항 변화 메모리 소자
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 3 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드는 하기 화학식 1 로서 표시되는, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법:[화학식 1]RMX3(상기 R 은 C1-24 의 치환된 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 R 이 치환된 경우, 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기 또는 메톡시기이고,상기 M 은 Pb, Sn, Ge, Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Pd, Cd, Yb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하는 것이고, 상기 X 는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것임)
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 2 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드는 하기 화학식 2 로서 표시되는, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법:[화학식 2]R2MX4(상기 R 은 C1-24 의 치환된 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 R 이 치환된 경우, 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기 또는 메톡시기이고,상기 M 은 Pb, Sn, Ge, Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Pd, Cd, Yb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하는 것이고, 상기 X 는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것임)
|
| 8 |
8
제 2 항에 있어서,상기 고분자 보호층은 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리디메틸실록산, 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐리덴 플루오라이드, 폴리비닐리덴플루오라이드-헥사플로로프로필렌, 폴리에틸렌이민, 폴리페닐렌 테레프탈아미드, 폴리메톡시 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트, 폴리 2-메톡시 에틸글리시딜에테르, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 이온 전도성 고분자를 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 각각 독립적으로 금속, 전도성 고분자, 탄소물질, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자
|
| 10 |
10
기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 3 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드를 포함하는 제 1 저항 변화층을 형성하는 단계;상기 제 1 저항 변화층 상에 2 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드를 포함하는 제 2 저항 변화층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 저항 변화층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서,상기 제 1 저항 변화층을 형성하는 단계는 상기 3 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드를 제 1 용매 상에 용해시킨 용액을 상기 제 1 전극 상에 코팅하여 수행되는 것인, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서,상기 제 1 용매는 디메틸포름아마이드, 디메틸설폭사이드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸피롤리돈, N-메틸-2-피리딘, 피리딘, 아닐린, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
|
| 13 |
13
제 10 항에 있어서,상기 제 2 저항 변화층을 형성하는 단계는 유기 할라이드를 제 2 용매 상에 용해시킨 용액을 상기 제 1 저항 변화층 상에 코팅하고, 상기 제 2 용매에 의해 상기 3 차원 페로브카이트 결정의 일부가 융해되어 2 차원 페로브스카이트 결정 구조가 형성되는 것인, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
|
| 14 |
14
제 13 항에 있어서,상기 제 2 용매는 탄소수가 3 내지 6 인 분지형 알코올을 포함하는 양자성 용매인 것인, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
|
| 15 |
15
제 10 항에 있어서,상기 제 2 저항 변화층 상에 고분자 보호층을 형성하는 단계를 추가 포함하는, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
|
| 16 |
16
제 10 항에 있어서,상기 3 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드는 하기 화학식 3 으로서 표시되는, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법:[화학식 3]RMX3(상기 R 은 C1-24 의 치환된 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 R 이 치환된 경우, 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기 또는 메톡시기이고,상기 M 은 Pb, Sn, Ge, Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Pd, Cd, Yb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하는 것이고, 상기 X 는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것임)
|
| 17 |
17
제 10 항에 있어서,상기 2 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드는 하기 화학식 4 로서 표시되는, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법:[화학식 4]R2MX4(상기 R 은 C1-24 의 치환된 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 R 이 치환된 경우, 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기 또는 메톡시기이고,상기 M 은 Pb, Sn, Ge, Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Pd, Cd, Yb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하는 것이고, 상기 X 는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것임)
|
