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저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019014482
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 제 1 전극 상에 형성된 3 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드를 포함하는 제 1 저항 변화층; 상기 제 1 저항 변화층 상에 형성된 2 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드를 포함하는 제 2 저항 변화층; 및 상기 제 2 저항 변화층 상에 형성된 제 2 전극;을 포함하는, 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/12(2013.01) H01L 45/12(2013.01) H01L 45/12(2013.01) H01L 45/12(2013.01) H01L 45/12(2013.01)
출원번호/일자 1020180008156 (2018.01.23)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0089524 (2019.07.31) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020190033677;
심사청구여부/일자 Y (2018.01.23)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정현석 서울특별시 송파구
2 이상명 경기도 수원시 장안구
3 김병조 경기도 수원시 장안구
4 이동건 경기도 수원시 장안구
5 백지현 경기도 수원시 장안구
6 이재명 경기도 수원시 장안구
7 김민희 경기도 수원시 영통구
8 김원빈 경기도 수원시 장안구
9 박소연 충청북도 청주시 상당구
10 백미연 서울특별시 강남구
11 방기주 경기도 수원시 권선구
12 전재범 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
2 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0078494-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.06.07 수리 (Accepted) 9-1-2018-0026272-88
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0433927-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0839432-80
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.08.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0839433-25
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0977546-89
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0881396-00
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.01.09 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2019-0027550-25
10 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2019.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0008378-71
11 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2019.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0041313-40
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2019.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0041333-53
13 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2019.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0009134-16
14 법정기간연장승인서
 2019.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0009570-10
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0178083-12
16 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.02.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0178092-12
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0149530-97
18 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2019.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0304132-29
19 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2019.04.30 수리 (Accepted) 7-8-2019-0010674-94
20 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2020.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2020-0181535-32
21 등록결정서
Decision to grant		 2020.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0147031-93
22 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2020.04.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-5007428-57
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번호 청구항
1 1
제 1 전극 상에 형성된 3 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드를 포함하는 제 1 저항 변화층;상기 제 1 저항 변화층 상에 상기 3 차원 페로브스카이트 결정의 일부가 융해되어 형성된 2 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드를 포함하는 제 2 저항 변화층; 및상기 제 2 저항 변화층 상에 형성된 제 2 전극;을 포함하고,상기 제 2 저항 변화층에 의해 상기 제 1 저항 변화층의 필라멘트 크기를 제어하고,상기 3 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드는 하기 화학식 1 로서 표시되며, 상기 2 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드는 하기 화학식 2 로서 표시되는, 저항 변화 메모리 소자:[화학식 1]RMX3[화학식 2]R2MX4(상기 R 은 C1-24 의 치환된 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 R 이 치환된 경우, 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기 또는 메톡시기이고,상기 M 은 Pb, Sn, Ge, Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Pd, Cd, Yb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하는 것이고, 상기 X 는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것임)
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 2 저항 변화층 상에 형성된 고분자 보호층을 추가 포함하는, 저항 변화 메모리 소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 2 저항 변화층은 벌크 구조를 가지는 페로브스카이트 입자를 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 2 항에 있어서,상기 고분자 보호층은 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리디메틸실록산, 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐리덴 플루오라이드, 폴리비닐리덴플루오라이드-헥사플로로프로필렌, 폴리에틸렌이민, 폴리페닐렌 테레프탈아미드, 폴리메톡시 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트, 폴리 2-메톡시 에틸글리시딜에테르, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 이온 전도성 고분자를 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자
9 9
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 각각 독립적으로 금속, 전도성 고분자, 탄소물질, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자
10 10
기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 3 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드를 포함하는 제 1 저항 변화층을 형성하는 단계;유기 할라이드를 제 2 용매 상에 용해시킨 용액을 상기 제 1 저항 변화층 상에 코팅하고, 상기 제 2 용매에 의해 상기 3 차원 페로브스카이트 결정의 일부가 융해됨으로써 2 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드를 포함하는 제 2 저항 변화층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 저항 변화층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제 2 저항 변화층에 의해 상기 제 1 저항 변화층의 필라멘트 크기를 제어하고,상기 3 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드는 하기 화학식 1 로서 표시되며, 상기 2 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드는 하기 화학식 2 로서 표시되는, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법:[화학식 1]RMX3[화학식 2]R2MX4(상기 R 은 C1-24 의 치환된 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 R 이 치환된 경우, 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기 또는 메톡시기이고,상기 M 은 Pb, Sn, Ge, Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Pd, Cd, Yb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하는 것이고, 상기 X 는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것임)
11 11
제 10 항에 있어서,상기 제 1 저항 변화층을 형성하는 단계는 상기 3 차원 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드를 제 1 용매 상에 용해시킨 용액을 상기 제 1 전극 상에 코팅하여 수행되는 것인, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 제 1 용매는 디메틸포름아마이드, 디메틸설폭사이드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸피롤리돈, N-메틸-2-피리딘, 피리딘, 아닐린, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
13 13
삭제
14 14
제 10 항에 있어서,상기 제 2 용매는 탄소수가 3 내지 6 인 분지형 알코올을 포함하는 양자성 용매인 것인, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
15 15
제 10 항에 있어서,상기 제 2 저항 변화층 상에 고분자 보호층을 형성하는 단계를 추가 포함하는, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
16 16
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17 17
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1 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 미래소재디스커버리지원 결정화학 엔지니어링 기반 분자운동성 이온결정 소재 개발
2 과학기술정보통신부 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 글로벌프론티어지원 집중형 융합연구 및 멀티스케일 아키텍쳐링 기술
3 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 집단연구지원 초박형 System-On-Skin 소자용 저차원 무기물 전자소재 및 공정 연구
4 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 개인기초연구(미래부) 컴비너터리얼 방법을 이용한 금속 할로겐화 광전자 소재 엔지니어링