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제1 전극 및 제2 전극 사이에 적어도 하나 이상의 가변저항층을 포함하고,상기 가변저항층은 알칼리 금속이 도핑된 하기 화학식 1의 조성식을 갖는 화합물로 형성된 것을 특징으로 하는 멤리스터:[화학식 1]A3M2-YZYX9-2Y상기 화학식 1에서 A는 Cs 또는 Rb이고, M은 Bi이고, X는 I이며, Z는 알칼리 금속을 나타내고, Y는 0 초과 1 미만의 실수이다
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제1항에 있어서,상기 알칼리 금속은 Na, Li 및 이들의 혼합물 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는,멤리스터
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제2항에 있어서,상기 가변저항층은 알칼리 금속이 1% 내지 10% 포함된 것을 특징으로 하는,멤리스터
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제1 전극 상에 화합물 전구체 용액을 코팅하는 제1 단계;상기 제1 전극 상에 코팅된 화합물 전구체 용액을 후처리하여 가변저항층을 형성하는 제2 단계; 및상기 가변저항층 상에 제2 전극을 형성하는 제3 단계;를 포함하고,상기 가변저항층은 알칼리 금속이 도핑된 하기 조성식을 갖는 화합물로 형성된 것을 특징으로 하는, 멤리스터의 제조 방법:[화학식 1]A3M2-YZYX9-2Y상기 화학식 1에서 A는 Cs 또는 Rb이고, M은 Bi이고, X는 I이며, Z는 알칼리 금속을 나타내고, Y는 0 초과 1 미만의 실수이다
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제4항에 있어서,상기 제1 단계는 상기 화합물 전구체 용액을 스핀 코팅하는 것임을 특징으로 하는,멤리스터의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 제2 단계의 후처리는 반용매(anti-solvent)를 적가(dropping)하는 것임을 특징으로 하는,멤리스터의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 제2 단계의 후처리는 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는,멤리스터의 제조 방법
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서로 이격된 제1 신호라인 및 제2 신호라인;상기 제1 신호라인 및 상기 제2 신호라인 사이에 전기적으로 연결된 적어도 하나 이상의 멤리스터;상기 멤리스터는 제1 전극 및 제2 전극 사이에 적어도 하나 이상의 가변저항층을 포함하고, 상기 가변저항층은 알칼리 금속이 도핑된 하기 화학식 1의 조성식을 갖는 화합물로 형성된 것이며,[화학식 1]A3M2-YZYX9-2Y상기 화학식 1에서 A는 Cs 또는 Rb이고, M은 Bi이고, X는 I이며, Z는 알칼리 금속을 나타내고, Y는 0 초과 1 미만의 실수인 것을 특징으로 하는,저항 변화 메모리 소자
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