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제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 형성된 2 차원 절연층;상기 2 차원 절연층 상에 형성된 그래핀층;상기 그래핀층 상에 형성된 2 차원 반도체층; 및상기 2 차원 반도체층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하고,상기 2 차원 절연층의 절연 내력(dielectric strength)은 5 MV/cm 이상이고,상기 2 차원 절연층의 두께는 10 nm 내지 30 nm 이고,전압이 인가될 때 상기 제 1 전극으로부터 형성되는 필라멘트가 상기 2 차원 절연층을 관통할 수 없고,상기 2 차원 반도체층 내부의 공공 결함이 이동하는 것인, 저항 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 2 차원 절연층 및 상기 그래핀층은 선택 소자의 기능을 수행하는 것인, 저항 메모리 소자
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제 2 항에 있어서,상기 2 차원 절연층 및 상기 그래핀층은 전류점멸비(on/off ratio)가 1010 이상인 선택 소자의 기능을 수행하는 것인, 저항 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 2 차원 절연층은 육방정 보론 나이트라이드(hBN), 전이금속 칼코겐 화합물, Ca(OH)2, Mg(OH)2, SiO2, HfO2, Al2O3 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 저항 메모리 소자
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제 5 항에 있어서, 상기 2 차원 절연층은 2 차원 육방정 보론 나이트라이드(hBN) 물질이 적층되어 형성된 것인, 저항 메모리 소자
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제 5 항에 있어서, 상기 전이금속 칼코겐 화합물은, MoS2, MnO2, MoO3, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 저항 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 그래핀층 및 상기 2 차원 반도체층은 비휘발성 메모리 소자의 기능을 수행하는 것인, 저항 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 2 차원 반도체층은 육방정 보론 나이트라이드(hBN), 전이금속 칼코겐 화합물, Ca(OH)2, Mg(OH)2, SiO2, HfO2, Al2O3 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 저항 메모리 소자
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제 10 항에 있어서, 상기 2 차원 반도체층은 2 차원 육방정 보론 나이트라이드(hBN) 물질이 적층되어 형성된 것인, 저항 메모리 소자
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제 10 항에 있어서, 상기 전이금속 칼코겐 화합물은, MoS2, MnO2, MoO3, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 저항 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 그래핀층은 그래핀, 그래핀 옥사이드, 환원된 그래핀 옥사이드, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 저항 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 각각 독립적으로 금, 은, 백금, 티타늄, 니켈, 철, 코발트, 구리, 크롬, 알루미늄, 팔라듐 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인, 저항 메모리 소자
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제 1 항 내지 제 3 항, 제 5 항 내지 제 8 항, 및 제 10 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 저항 메모리 소자가 집적되어 형성된, 저항 메모리 집적 소자
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