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층상 유무기 복합 페로브스카이트를 이용한 멤리스터(MEMRISTOR USING LAYERED ORGANIC-INORGANIC HYBRID PEROVSKITE)

  • 기술번호 : KST2017015594
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 기반으로 한 멤리스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 45/00 (2017.04.07) H01L 27/24 (2017.04.07) H01B 1/02 (2017.04.07)
CPC
출원번호/일자 1020170042053 (2017.03.31)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0113453 (2017.10.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160039742   |   2016.03.31
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020190021006;
심사청구여부/일자 Y (2017.03.31)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박남규 대한민국 서울특별시 강남구
2 김희선 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 서자영 대한민국 경기도 광명시 광명로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0319951-77
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0725515-41
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0751324-82
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2018-0019478-11
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0336279-27
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0670475-79
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0670476-14
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0793116-46
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-1263284-43
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.12.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1263308-51
12 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-1292926-26
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0030110-78
14 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2019.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0102715-55
15 법정기간연장승인서
 2019.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0022196-97
16 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2019.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0189377-87
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 전극;제 2 전극; 및층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층을 포함하며,상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층이 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 것인,멤리스터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층은 상기 멤리스터가 작동되는 동안 전도 채널을 형성하여 온-오프 상태를 결정하는 것인, 멤리스터
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트는 하기 화학식 1 내지 하기 화학식 3 중 어느 하나로서 표시되는 유무기 복합 페로브스카이트 물질을 포함하는 것인, 멤리스터: [화학식 1]RR'n-1MnX3n+1;[화학식 2]RR'M2X6;[화학식 3]R2R'n-1MnX3n+1;상기 화학식 1 내지 상기 화학식 3에서, 각각 독립적으로,n은 1 이상의 수이고,M은 Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Pb2+, Sn2+, Ge2+, Bi3+, Sb3+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 양이온을 포함하고,R 및 R'은 각각 독립적으로 유기 양이온이고,X는 음이온을 포함하는 것임
4 4
제 3 항에 있어서,상기 R 및 상기 R'은, 각각 독립적으로, (R1R2R3R4N)+로서 표시되는 1 가의 유기 암모늄 양이온이며, 상기 R1 내지 상기 R4는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 선형 또는 분지형 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 20의 헤테로아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 멤리스터
5 5
제 3 항에 있어서,상기 R 및 상기 R'은, 각각 독립적으로, 화학식 (R6R7N=CH-NR8R9)+로서 표시되는 1 가의 포름아미디늄 양이온이며,상기 R6 내지 R9는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬(alkyl)기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴(aryl)기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 멤리스터
6 6
제 3 항에 있어서,상기 R 및 상기 R'은, 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 6의 알킬암모늄 양이온 또는 포름아미디늄 양이온을 포함하는 것인, 멤리스터
7 7
제 3 항에 있어서, 상기 n은 1 내지 4의 값을 갖는 것인, 멤리스터
8 8
제 3 항에 있어서,상기 X는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것인, 멤리스터
9 9
제 1 항에 있어서,상기 제 1전극과 상기 제 2 전극은 서로 동일하거나 상이한 전극 물질을 포함하는 것인, 멤리스터
10 10
제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극에 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층을 형성하는 단계; 및상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 멤리스터 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트는 하기 화학식 1 내지 하기 화학식 3 중 어느 하나로서 표시되는 유무기 복합 페로브스카이트 물질을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법: [화학식 1]RR'n-1MnX3n+1;[화학식 2]RR'M2X6;[화학식 3]R2R'n-1MnX3n+1;상기 화학식 1 내지 상기 화학식 3에서, 각각 독립적으로,n은 1 이상의 수이고,M은 Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Pb2+, Sn2+, Ge2+, Bi3+, Sb3+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 양이온을 포함하고,R 및 R'은 각각 독립적으로 유기 양이온이고,X는 음이온을 포함하는 것임
12 12
제 11 항에 있어서,상기 R 및 상기 R'은 각각 독립적으로 (R1R2R3R4N)+로서 표시되는 1 가의 유기 암모늄 이온이며, 상기 R1 내지 상기 R4는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 선형 또는 분지형 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 20의 헤테로아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 R 및 상기 R'은, 각각 독립적으로, 화학식 (R6R7N=CH-NR8R9)+로서 표시되는 1 가의 포름아미디늄 양이온이며,상기 R6 내지 R9는 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬(alkyl)기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴(aryl)기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
14 14
제 11 항에 있어서,상기 R 및 상기 R'은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬암모늄 양이온 또는 포름아미디늄 양이온을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
15 15
제 11 항에 있어서,상기 n은 1 내지 4의 값을 갖는, 멤리스터 제조방법
16 16
제 11 항에 있어서,상기 X는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
17 17
제 10 항에 있어서,상기 제 1 전극과 제 2 전극은 서로 동일하거나 상이한 물질을 포함하는, 멤리스터 제조방법
18 18
제 11 항에 있어서,상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층을 형성하는 단계는, RX, R'X, 및 MX2를 극성 비양성자성 용매에서 반응시킨 층상 유무기 복합 페로브스카이트 제조용 전구체 용액을 상기 제 1 전극에 도포하는 것을 포함하며,상기 R, R', M, 및 X는 제 11 항에서 정의된 것과 동일한 것인, 멤리스터 제조방법
19 19
제 18 항에 있어서,상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트 제조용 전구체 용액은 디메틸설폭사이드, 에테르, 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 것은 추가 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
20 20
제 18 항에 있어서, 상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층을 형성하는 단계는, 상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트 제조용 전구체 용액 도포 후 열처리하는 것을 추가 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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1 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 미래소재디스커버리사업 3/3 [EZ]결정화학엔지니어링 기반 분자운동성 이온결정 소재 개발