| 1 |
1
제 1 전극;제 2 전극; 및층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층을 포함하며,상기 스위칭 층은 별도의 전자 형성 과정 없이 일정한 스위칭 전압에 도달하면 고저항 상태(HRS, high resistance state)에서 저저항 상태(LRS, low resistance state)로 변화하여 전류를 이동시키는 것이고,상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층이 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 사이에 위치하고,상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트는 하기 화학식 3 로서 표시되는 유무기 복합 페로브스카이트 물질을 포함하는 멤리스터에 있어서,상기 스위칭 층은 전압의 크기나 방향에 따라 상기 스위칭 층 내의 이온 또는 결함이 전기장 내에서 이동함으로써 야기되는 에너지분포의 변화, 구조 변화, 또는 층 내에 존재하는 이온의 산화-환원 반응에 의해 상기 스위칭 층이 고저항 상태(HRS) 또는 저저항 상태(LRS)를 유지하고, 상기 멤리스터가 작동되는 동안 전도 채널을 형성하여 온-오프 상태를 결정하는 것인,멤리스터:[화학식 3]R2R'n-1MnX3n+1;상기 화학식 3에서,n은 1 이상의 수이고,M은 Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Pb2+, Sn2+, Ge2+, Bi3+, Sb3+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 양이온을 포함하고,R 및 R'은 각각 독립적으로 유기 양이온이고,X는 음이온을 포함하는 것임
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 R 및 상기 R'은, 각각 독립적으로, (R1R2R3R4N)+로서 표시되는 1 가의 유기 암모늄 양이온이며, 상기 R1 내지 상기 R4는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 선형 또는 분지형 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 20의 헤테로아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 멤리스터
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 R 및 상기 R'은, 각각 독립적으로, 화학식 (R6R7N=CH-NR8R9)+로서 표시되는 1 가의 포름아미디늄 양이온이며,상기 R6 내지 R9는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬(alkyl)기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴(aryl)기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 멤리스터
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 R 및 상기 R'은, 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 6의 알킬암모늄 양이온 또는 포름아미디늄 양이온을 포함하는 것인, 멤리스터
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 n은 1 내지 4의 값을 갖는 것인, 멤리스터
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 X는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것인, 멤리스터
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 제 1전극과 상기 제 2 전극은 서로 동일하거나 상이한 전극 물질을 포함하는 것인, 멤리스터
|
| 8 |
8
제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극에 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층을 형성하는 단계; 및상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 멤리스터의 제조방법에 있어서,상기 스위칭 층은 별도의 전자 형성 과정 없이 일정한 스위칭 전압에 도달하면 고저항 상태(HRS, high resistance state)에서 저저항 상태(LRS, low resistance state)로 변화하여 전류를 이동시키는 것이고,상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트는 하기 화학식 3 로서 표시되는 유무기 복합 페로브스카이트 물질을 포함하고,상기 스위칭 층은 전압의 크기나 방향에 따라 상기 스위칭 층 내의 이온 또는 결함이 전기장 내에서 이동함으로써 야기되는 에너지분포의 변화, 구조 변화, 또는 층 내에 존재하는 이온의 산화-환원 반응에 의해 상기 스위칭 층이 고저항 상태(HRS) 또는 저저항 상태(LRS)를 유지하고, 상기 멤리스터가 작동되는 동안 전도 채널을 형성하여 온-오프 상태를 결정하는 것인,멤리스터 제조방법: [화학식 3]R2R'n-1MnX3n+1;상기 화학식 3에서,n은 1 이상의 수이고,M은 Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Pb2+, Sn2+, Ge2+, Bi3+, Sb3+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 양이온을 포함하고,R 및 R'은 각각 독립적으로 유기 양이온이고,X는 음이온을 포함하는 것임
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 R 및 상기 R'은 각각 독립적으로 (R1R2R3R4N)+로서 표시되는 1 가의 유기 암모늄 이온이며, 상기 R1 내지 상기 R4는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 선형 또는 분지형 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 20의 헤테로아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
|
| 10 |
10
제 8 항에 있어서, 상기 R 및 상기 R'은, 각각 독립적으로, 화학식 (R6R7N=CH-NR8R9)+로서 표시되는 1 가의 포름아미디늄 양이온이며,상기 R6 내지 R9는 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬(alkyl)기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴(aryl)기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
|
| 11 |
11
제 8 항에 있어서,상기 R 및 상기 R'은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬암모늄 양이온 또는 포름아미디늄 양이온을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
|
| 12 |
12
제 8 항에 있어서,상기 n은 1 내지 4의 값을 갖는, 멤리스터 제조방법
|
| 13 |
13
제 8 항에 있어서,상기 X는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
|
| 14 |
14
제 8 항에 있어서,상기 제 1 전극과 제 2 전극은 서로 동일하거나 상이한 물질을 포함하는, 멤리스터 제조방법
|
| 15 |
15
제 8 항에 있어서,상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층을 형성하는 단계는, RX, R'X, 및 MX2를 극성 비양성자성 용매에서 반응시킨 층상 유무기 복합 페로브스카이트 제조용 전구체 용액을 상기 제 1 전극에 도포하는 것을 포함하며,상기 R, R', M, 및 X는 제 10 항에서 정의된 것과 동일한 것인, 멤리스터 제조방법
|
| 16 |
16
제 15 항에 있어서,상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트 제조용 전구체 용액은 디메틸설폭사이드, 에테르, 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 것은 추가 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
|
| 17 |
17
제 15 항에 있어서, 상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층을 형성하는 단계는, 상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트 제조용 전구체 용액 도포 후 열처리하는 것을 추가 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
|
