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제 1 전극;제 2 전극; 및유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층을 포함하며,상기 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 상기 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층은 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 것이고,상기 유무기 복합 페로브스카이트는 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로서 표시되는 유무기 복합 페로브스카이트 물질을 포함하는 것인, 멤리스터: [화학식 1]RMX4;[화학식 2]R3M2X9;상기 화학식 1 및 상기 화학식 2에서, 각각 독립적으로,M은 Bi, Sb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 양이온을 포함하고,R은 유기 양이온이고,X는 음이온을 포함하는 것임
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제 1 항에 있어서,상기 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 상기 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층은 상기 멤리스터가 작동되는 동안 전도 채널을 형성하여 온-오프 상태를 결정하는 것인, 멤리스터
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제 1 항에 있어서,상기 R은 (R1R2R3R4N)+로서 표시되는 1 가의 유기 암모늄 양이온이며,상기 R1 내지 상기 R4 은, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 선형 또는 분지형 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 20의 헤테로아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 멤리스터
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제 1 항에 있어서, 상기 R은 (R6R7N=CH-NR8R9)+로서 표시되는 1 가의 포름 아미디늄 양이온이며, 상기 R6 내지 상기 R9는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 멤리스터
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제 1 항에 있어서,상기 R은 탄소수 1 내지 6의 알킬암모늄 양이온 또는 포름아미디늄 양이온을 포함하는 것인, 멤리스터
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제 1 항에 있어서,상기 X는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것인, 멤리스터
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제 1 항에 있어서,상기 제 1전극과 상기 제 2 전극은 서로 동일하거나 상이한 전극 물질을 포함하는 것인, 멤리스터
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제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극에 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층을 형성하는 단계; 및상기 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 상기 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 유무기 복합 페로브스카이트는 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로서 표시되는 유무기 복합 페로브스카이트 물질을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법: [화학식 1]RMX4;[화학식 2]R3M2X9;상기 화학식 1 및 상기 화학식 2에서, 각각 독립적으로, M은 Bi, Sb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 양이온을 포함하고,R은 유기 양이온이고,X는 음이온을 포함하는 것임
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제 8 항에 있어서,상기 R 은 (R1R2R3R4N)+로서 표시되는 1 가의 유기 암모늄 양이온이며, 상기 R1 내지 상기 R4 는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 선형 또는 분지형 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 20의 헤테로아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 R은 (R6R7N=CH-NR8R9)+로서 표시되는 1 가의 포름아미디늄 양이온이며, 상기 R6 내지 상기 R9는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 R은 탄소수 1 내지 6의 알킬암모늄 양이온 또는 포름아미디늄 양이온을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 X는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극은 서로 동일하거나 상이한 물질을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 상기 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층을 형성하는 단계는, RX 및 MX3를 극성 비양성자성 용매에서 반응시킨 유무기 복합 페로브스카이트 제조용 전구체 용액을 상기 제 1 전극에 도포하는 것을 포함하며,상기 R, M, 및 X는 제 8 항 에서 정의된 것과 동일한 것인, 멤리스터 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 상기 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층을 형성하는 단계는, 상기 유무기 복합 페로브스카이트 제조용 전구체 용액을 상기 제 1 전극에 도포한 후 열처리하는 것을 추가 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법
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