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초임계수를 이용한 반도체 산화물의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015112788
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초임계수를 이용한 반도체 산화물의 제조방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 반도체 산화물 전구체를 포함하는 수용액 또는 반도체 산화물 전구체를 포함하는 수용액과 질산 수용액의 혼합물을 초임계수와 혼합시키고 물의 초임계 조건 이상에서 수열합성반응을 통하여 연속적으로 반도체 산화물을 제조하는 초임계수를 이용한 반도체 산화물의 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 상기에서 언급한 방법에 의해 제조한 반도체 산화물을 포함한다.본 발명은 상기에서 언급한 방법에 의해 제조한 반도체 산화물을 함유하는 광촉매를 포함한다.초임계수, 반도체 산화물, 광촉매
Int. CL C01G 49/02 (2006.01) C01G 23/04 (2006.01) C01G 9/02 (2006.01) C01G 25/02 (2006.01)
CPC C01G 23/053(2013.01) C01G 23/053(2013.01) C01G 23/053(2013.01) C01G 23/053(2013.01) C01G 23/053(2013.01) C01G 23/053(2013.01)
출원번호/일자 1020070086651 (2007.08.28)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0867601-0000 (2008.11.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.28)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임선기 대한민국 대전 유성구
2 김정랑 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0626724-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2008-0026274-23
4 등록결정서
Decision to grant		 2008.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0549340-10
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 산화물 전구체를 포함하는 수용액 또는 반도체 산화물 전구체를 포함하는 수용액과 질산 수용액의 혼합물을 초임계수와 혼합시키고 물의 초임계 조건 이상에서 반응시켜 반도체 산화물을 제조하는 것을 특징으로 하는 초임계수를 이용한 반도체 산화물의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 반도체 산화물 전구체를 포함하는 수용액 또는 반도체 산화물 전구체를 포함하는 수용액과 질산 수용액의 혼합물을 375∼500℃의 온도와 221∼300bar의 압력에서 1분∼30분 동안 반응시키는 것을 특징으로 하는 초임계수를 이용한 반도체 산화물의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 반도체 산화물 전구체를 포함하는 수용액과 질산 수용액의 혼합물은 반도체 산화물 전구체를 포함하는 수용액의 농도와 질산 수용액의 농도가 동일한 혼합물인 것을 특징으로 하는 초임계수를 이용한 반도체 산화물의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 초임계수는 3차 증류수를 375∼500℃의 온도와 221∼300bar의 압력에서 가열 및 가압시킨 초임계수인 것을 특징으로 하는 초임계수를 이용한 반도체 산화물의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 반도체 산화물 전구체는 질산염계 금속전구체 또는 알콕사이드 계열의 금속전구체인 것을 특징으로 하는 초임계수를 이용한 반도체 산화물의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 질산염계 금속전구체 또는 알콕사이드 계열의 금속전구체에서 금속은 Ti, Zr, Zn, Fe, W, Sn으로 이루어진 군 중에서 선택된 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 초임계수를 이용한 반도체 산화물의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 반도체 산화물 전구체는 0
8 8
특허청구범위 제1항의 방법에 의해 제조한 반도체 산화물
9 9
특허청구범위 제1항의 방법에 의해 제조한 반도체 산화물을 포함하는 광촉매
10 10
제9항에 있어서, 광촉매는 휘발성유기화합물 분해에 적용할 수 있는 것 임을 특징으로 하는 광촉매
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.