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광검출 효율이 향상된 실리콘 광전자 증배관 및 이를포함하는 감마선 검출기

  • 기술번호 : KST2015113067
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광검출 효율이 향상된 실리콘 광전자 증배관 및 이를 포함하는 감마선 검출기가 개시된다. 본 발명에 따른 광검출 효율이 향상된 실리콘 광전자 증배관은, p+ 전도성 타입의 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 상부에 형성되며, p- 전도성 타입의 에피택시 층, 상기 에피택시 층에 도핑된 전도성 타입의 p 영역, 상기 전도성 타입의 p 영역의 상부에 형성되며, 상기 에피택시 층에 도핑된 전도성 타입의 n+ 영역, 및 상기 에피택시 층과 상기 전도성 타입의 n+영역의 상부에 형성된 절연층을 포함하는 단위 마이크로 셀; 상기 n+ 영역의 상부에 형성되는 상기 단위 마이크로 셀의 메탈 라인(metal line); 및 상기 메탈 라인과 컨택에 의해 연결되며 상기 절연층의 상부에 형성된 퀀칭(quenching)용 폴리실리콘 저항을 포함하며, 상기 퀀칭용 폴리실리콘 저항은 다층 구조를 가지며, 상기 실리콘 광전자 증배관의 깊이 방향으로 상호 중첩되도록 복수 개 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 다층의 폴리실리콘 저항 및 마이크로 렌즈를 형성함으로써 섬광체에서 발생하는 가시광이 데드 영역(dead region)으로 입사하는 것을 최소화여 필 팩터를 향상시킬 수 있고, 나아가 실리콘 광전자 증배관의 광검출효율향상에 따른 마이크로 셀의 크기를 줄일수 있는 효과가 있다
Int. CL H01L 31/09 (2006.01)
CPC H01L 31/085(2013.01) H01L 31/085(2013.01) H01L 31/085(2013.01) H01L 31/085(2013.01)
출원번호/일자 1020080055226 (2008.06.12)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0987057-0000 (2010.10.05)
공개번호/일자 10-2009-0129123 (2009.12.16) 문서열기
공고번호/일자 (20101011) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.06.12)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조규성 대한민국 대전광역시 유성구
2 이채훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 김진규 대한민국 대구광역시 달서구
4 김형택 대한민국 대구광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0420090-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2009-0052330-82
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0084831-45
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0258939-12
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0258926-18
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0258436-58
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0307619-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수 개의 마이크로 셀을 포함하는 실리콘 광전자 증배관에 있어서, p+ 전도성 타입의 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 상부에 형성되며, p- 전도성 타입의 에피택시 층, 상기 에피택시 층에 도핑된 전도성 타입의 p 영역, 상기 전도성 타입의 p 영역의 상부에 형성되며, 상기 에피택시 층에 도핑된 전도성 타입의 n+ 영역, 상기 에피택시 층과 상기 전도성 타입의 n+영역의 상부에 형성된 절연층, 및 상기 반도체 기판, 에피택시 층, p 영역, n+ 영역 및 절연층을 둘러싸도록 형성된 볼록형의 마이크로 렌즈를 포함하는 단위 마이크로 셀; 상기 n+ 영역의 상부에 형성되는 상기 단위 마이크로 셀의 메탈 라인(metal line); 및 상기 메탈 라인과 컨택(contact)에 의해 연결되며 상기 절연층의 상부에 형성된 퀀칭(quenching)용 폴리실리콘 저항을 포함하며, 상기 퀀칭용 폴리실리콘 저항은 다층 구조를 가지며, 상기 실리콘 광전자 증배관의 깊이 방향으로 상호 중첩되도록 복수 개 형성되는 것을 특징으로 하는 광검출 효율이 향상된 실리콘 광전자 증배관
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 볼록형의 마이크로 렌즈는 PDMS, PMMA, 또는 포토레지스트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광검출 효율이 향상된 실리콘 광전자 증배관
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 다층 구조를 가지는 퀀칭용 폴리실리콘 저항은 일단의 폴리실리콘 저항과 타단의 폴리실리콘 저항 각각은 상기 컨택에 의해 교번되어 연결되는 것을 특징으로 하는 광검출 효율이 향상된 실리콘 광전자 증배관
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 퀀칭용 폴리실리콘 저항은 상기 컨택과 옴 접합에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는 광검출 효율이 향상된 실리콘 광전자 증배관
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 퀀칭용 폴리실리콘 저항 및 상기 메탈 라인의 상부에 형성된 유전체; 및 상기 단위 마이크로 셀을 둘러싸도록 상기 유전체의 상부에 형성된 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출 효율이 향상된 실리콘 광전자 증배관
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 반사층은 알루미늄, 텅스텐, 티타늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광검출 효율이 향상된 실리콘 광전자 증배관
8 8
실리콘 광전자 증배관을 포함하는 감마선 검출기에 있어서, p+ 전도성 타입의 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 상부에 형성되며, p- 전도성 타입의 에피택시 층, 상기 에피택시 층에 도핑된 전도성 타입의 p 영역, 상기 전도성 타입의 p 영역의 상부에 형성되며, 상기 에피택시 층에 도핑된 전도성 타입의 n+ 영역, 및 상기 에피택시 층과 상기 전도성 타입의 n+영역의 상부에 형성된 절연층을 포함하는 단위 마이크로 셀과, 상기 n+ 영역의 상부에 형성되는 상기 단위 마이크로 셀의 메탈 라인(metal line)과, 상기 메탈 라인과 컨택에 의해 연결되며, 상기 절연층의 상부에 상기 실리콘 광전자 증배관의 깊이 방향으로 상호 중첩되도록 복수 개로 형성된 다층 구조의 퀀칭(quenching)용 폴리실리콘 저항과, 상기 단위 마이크로 셀을 둘러싸도록 형성된 마이크로 렌즈를 포함하는 실리콘 광검출 증배관; 및 상기 실리콘 광검출 증배관의 상부에 형성된 광 그리스(optical grease)를 포함하는 감마선 검출기
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 광검출 증배관은 상기 퀀칭용 폴리실리콘 저항 및 상기 메탈 라인의 상부에 형성된 유전체; 및 상기 단위 마이크로 셀을 둘러싸도록 상기 유전체의 상부에 형성된 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감마선 검출기
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 절연층은 실리콘 옥사이드(SiO2), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON), 실리콘 나이트라이드(SiN), 하트늄옥사이드(HfO)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 감마선 검출기
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 마이크로 렌즈는 상기 광 그리스의 굴절률에 따라 볼록형 또는 오목형의 마이크로 렌즈로 형성되는 것을 특징으로 하는 감마선 검출기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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