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볼로미터용 니켈 산화막 및 그의 제조방법, 니켈 산화막을 이용한 적외선 감지소자

  • 기술번호 : KST2015119519
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 볼로미터용 니켈 산화막 및 그의 제조방법, 니켈 산화막을 이용한 적외선 감지소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 볼로미터용 니켈 산화막은, -3%/oC이상의 TCR과 낮은 수준의 노이즈(noise)값, 안정적이고 재현성있는 특성을 가진다. 또한, 볼로미터용 니켈 산화막을 이용한 적외선 감지소자의 제작에 적용될 수 있다. 니켈 산화막, 열처리, TCR, 1/f 노이즈, 볼로미터
Int. CL H01L 31/09 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080135149 (2008.12.29)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1078208-0000 (2011.10.25)
공개번호/일자 10-2010-0077251 (2010.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20111101) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.29)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이희철 대한민국 대전 유성구
2 김동수 대한민국 경기도 이천시
3 이용수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0895715-52
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.03.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.04.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0025094-92
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0346867-56
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.09.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0573005-49
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0573000-11
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0092975-88
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0173666-61
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0173668-52
10 등록결정서
Decision to grant
2011.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0600569-82
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
NiOx, Ni1-yO, Ni2O3, Ni(OH)2, NiSiO3, NiSiO4 중 적어도 어느 하나를 포함하고, x는 1≤x≤20, y는 0≤y≤0
2 2
삭제
3 3
제1항에 의한 볼로미터용 니켈 산화막을 제조하는 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법이고, 기판 상에 니켈을 증착하는 제1 단계; 및 상기 니켈이 증착된 기판을 산소분위기에서 설정된 시간동안 300℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하여 니켈 산화막을 형성하는 제2 단계를 포함하는, 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법
4 4
삭제
5 5
제3항에 있어서, 상기 제1단계에서는, 상기 니켈은 10nm 내지 200nm의 두께로 증착되는, 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법
6 6
제3항에 있어서, 상기 제1 단계에서는, 상기 니켈은 DC 스퍼터, rf 스퍼터, 에버퍼레이터(evaporator), MOCVD 중 어느 하나를 이용하는 방법으로 증착되는, 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 DC 스퍼터 및 rf 스퍼터는, 아르곤(Ar), 질소(N2) 플라즈마를 이용하는, 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법
8 8
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 DC 스퍼터 및 rf 스퍼터의 스퍼터 타겟과 에버퍼레이터(evaporator)의 타겟은 니켈(Ni)을 이용하는, 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법
9 9
제3항에 있어서, 상기 제2 단계에서는, 상기 니켈 산화막의 조성비는, 열처리 온도, 열처리 시간, 산소분위기 정도를 변화시켜 조절하는, 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법
10 10
삭제
11 11
제1항에 의한 볼로미터용 니켈 산화막을 제조하는 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법이고, 기판 상에 니켈 산화막을 95nm 내지 105nm의 두께로 증착하는 제1 단계; 및 상기 니켈 산화막이 증착된 기판을 질소 또는 산소분위기에서 설정된 시간동안 열처리하는 제2 단계를 포함하는, 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
제11항에 있어서, 상기 제1 단계에서는, 상기 니켈 산화막은 DC 스퍼터, rf 스퍼터, 에버퍼레이터(evaporator), MOCVD 중 어느 하나를 이용하는 방법으로 증착되는, 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 DC 스퍼터 및 rf 스퍼터는, 아르곤(Ar), 산소(O2), 질소(N2) 플라즈마나 질소(N2) 와 산소(O2) 및 아르곤(Ar) 과 산소(O2)를 혼합한 플라즈마를 이용하는, 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법
16 16
제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 DC 스퍼터 및 rf 스퍼터의 스퍼터 타겟과 에버퍼레이터(evaporator)의 타겟은 니켈(Ni)이나 니켈(Ni) 산화막을 이용하는, 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법
17 17
제11항에 있어서, 상기 제1 단계에서는, 상기 니켈 산화막의 조성비는, DC 스퍼터 및 r
18 18
제11항에 있어서, 상기 제2 단계에서는, 상기 니켈 산화막의 조성비는, 열처리 온도, 열처리 시간, 질소(N2)나 산소(O2)분위기 정도를 변화시켜 조절하는, 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법
19 19
제11항에 있어서, 상기 제2 단계에서는, 상기 열처리하는 온도는 50℃ 내지 450℃인, 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법
20 20
볼로미터를 포함하는 적외선 감지소자이고, 상기 볼로미터는, NiOx, Ni1-yO, Ni2O3, Ni(OH)2, NiSiO3, NiSiO4 중 적어도 어느 하나를 포함하고 있고 95nm 내지 105nm의 두께를 가지는 니켈 산화막을 포함하고, x는 1≤x≤20, y는 0≤y≤0
21 21
삭제
22 22
제20항에 있어서, 상기 니켈 산화막은 질소(N2)나 산소(O2)분위기에서 50℃ 내지 450℃의 온도에서 열처리하여 형성된, 적외선 감지소자
23 23
제20항에 있어서, 상기 니켈 산화막은 DC 스퍼터, rf 스퍼터, 에버퍼레이터(evaporator), MOCVD 중 어느 하나를 이용하여 증착되는, 적외선 감지소자
24 24
제23항에 있어서, 상기 DC 스퍼터 및 rf 스퍼터는, 아르곤(Ar), 산소(O2), 질소(N2) 플라즈마나 질소(N2) 와 산소(O2) 및 아르곤(Ar) 과 산소(O2)를 혼합한 플라즈마를 이용하는, 적외선 감지소자
25 25
제23항 또는 제24항에 있어서, 상기 DC 스퍼터 및 rf 스퍼터의 스퍼터 타겟과 에버퍼레이터(evaporator)의 타겟은 니켈(Ni) 또는 니켈(Ni) 산화막을 이용하는, 적외선 감지소자
26 26
제20항에 있어서, 상기 니켈 산화막의 조성비는, DC 스퍼터 및 r
27 27
삭제
28 28
제20항에 있어서, 상기 니켈은 DC 스퍼터, rf 스퍼터, 에버퍼레이터(evaporator), MOCVD 중 어느 하나를 이용하여 증착되는, 적외선 감지소자
29 29
제28항에 있어서, 상기 DC 스퍼터 및 rf 스퍼터는, 아르곤(Ar), 질소(N2) 플라즈마를 이용하는, 적외선 감지소자
30 30
제28항 또는 제29항에 있어서, 상기 DC 스퍼터 및 rf 스퍼터의 스퍼터 타겟과 에버퍼레이터(evaporator)의 타겟은 니켈(Ni)을 이용하는, 적외선 감지소자
31 31
제20항에 있어서, 상기 니켈 산화막의 조성비는, 열처리 온도, 열처리 시간, 산소분위기 정도를 변화시켜 조절하는, 적외선 감지소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08173280 US 미국 FAMILY
2 US20100167037 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010167037 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8173280 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.