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나노 임프린트 방식을 이용한 다결정 나노 패턴 제조방법

  • 기술번호 : KST2015124874
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 임프린트 방식을 비정질 실리콘의 결정화에 적용하여 패턴 형성과 동시에 다결정 실리콘을 얻을 수 있는 나노 임프린트 방식을 이용한 다결정 나노 패턴 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 나노 임프린트 방식을 이용하는 간단한 공정을 통해 비정질 실리콘의 결정화 과정시 나노 패턴을 함께 형성하는 새로운 나노 패턴 방법을 구현함으로써, 비정질 실리콘 기반에서 복잡한 포토리소그래피 공정없이도 간단하게 전하 이동도 특성이 뛰어난 다결정 실리콘 나노 패턴을 제조할 수 있는 나노 임프린트 방식을 이용한 다결정 나노 패턴 제조방법을 제공한다. 본 발명에서 제공하는 나노 임프린트 방식을 이용한 다결정 나노 패턴 제조방법에 따르면, 비정질 실리콘 기반의 TFT 제조시 복잡한 포토리소그래피 공정없이도 간단하게 우수한 특성의 다결정 실리콘 나노 패턴을 제조할 수 있고, 또 기존 설비를 이용하여 대량으로 패턴을 생산할 수 있으며, 이를 통해 초소형, 초경량화 된 디스플레이의 실현에 대한 요구에 적극 대처할 수 있다. TFT, 나노 임프린트, 나노 패턴, 비정질 실리콘, 결정화
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020070013797 (2007.02.09)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0791830-0000 (2007.12.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.09)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서대식 대한민국 서울 강남구
2 한진우 대한민국 경기 화성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0122965-06
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2007.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-5021309-12
3 [우선권증명서류]서류제출서
[Certificate of Priority] Submission of Document		 2007.08.23 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2007-5075176-35
4 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document		 2007.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0119794-17
5 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2007.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0628010-53
6 서류반려안내서
Notification for Return of Document		 2007.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0121991-08
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0644323-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비정질 실리콘 기반에서 TFT를 제조하기 위한 다결정 나노 패턴 제조방법에 있어서, 절연 기판상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 비정질 실리콘층을 포함하는 기판상에 전사될 패턴을 가지는 임프린트 마스크를 올려놓는 단계와, 상기 임프린트 마스크가 놓여진 기판에 레이저를 조사하여 임프린트 마스크를 투과한 레이저가 조사된 부분의 실리콘을 용융시킴에 따라 임프린트 마스크의 패턴을 따라 교합된 실리콘 패턴을 얻는 동시에 비정질 실리콘층을 결정화하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 나노 임프린트 방식을 이용한 다결정 나노 패턴 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 임프린트 마스크는 투명한 석영 기판인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 방식을 이용한 다결정 나노 패턴 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 레이저는 엑시머 레이저인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 방식을 이용한 다결정 나노 패턴 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 비정질 실리콘층에 레이저를 조사하기 전에 비정질 실리콘층에 탈수소화 공정을 진행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 방식을 이용한 다결정 나노 패턴 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 절연 기판과 비정질 실리콘층 사이에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 방식을 이용한 다결정 나노 패턴 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 버퍼층은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 방식을 이용한 다결정 나노 패턴 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.