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금속 덴드라이트를 이용하여 상변화 재료층과의 접촉면적을감소시킨 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015130992
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 덴드라이트를 이용하여 상변화 재료층과의 접촉면적을 감소시킨 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법이 개시된다.본 발명에 의한 상변화 메모리 소자는 제 1 전극; 상기 제 1 전극의 상부에 형성된 상변화 재료층; 상기 상변화 재료층의 상부에 형성된 고속 이온 도체층; 상기 고속 이온 도체층의 상부에 형성된 제 2 전극; 및 상기 제 2 전극에 음의 전압이 걸리도록 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극에 일정 전압을 일정 시간 인가함으로써 상기 고속이온도체층을 관통하여 상기 제 2 전극과 상기 상변화재료층을 연결하는 금속 덴드라이트를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.상변화 메모리 소자, 금속 덴드라이트
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020050021084 (2005.03.14)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0647062-0000 (2006.11.10)
공개번호/일자 10-2006-0099701 (2006.09.20) 문서열기
공고번호/일자 (20061123) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.03.14)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울 노원구
2 김봉훈 대한민국 서울 구로구
3 홍성훈 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2005-0133465-67
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0295914-02
3 의견서
Written Opinion		 2006.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0440271-64
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.06.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0440275-46
5 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0622582-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 전극층;상기 제 1 전극의 상부에 형성된 상변화 재료층;상기 상변화 재료층의 상부에 형성된 고속이온도체층;상기 고속이온도체층의 상부에 형성된 제 2 전극; 및상기 제 2 전극에 음의 전압이 걸리도록 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극에 일정 전압을 일정 시간 인가함으로써 상기 고속이온도체층을 관통하여 상기 제 2 전극과 상기 상변화재료층을 연결하는 금속 덴드라이트를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 고속이온도체는 금속 이온을 함유하는 칼코게나이드 물질을 재료로 하여 형성되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
3 3
제 2 항에 있어서,상기 칼코게나이드 물질은 황, 셀레늄 및 텔루늄으로 구성된 물질의 군으로부터 선택되며, 상기 금속 이온은 은, 구리 및 아연으로 구성된 물질의 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
4 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 제 2 전극은, 은, 구리 및 아연으로부터 구성된 군으로부터 선택되는 전기 전도성 물질을 재료로 하여 형성되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
5 5
상변화 메모리 소자를 제조하는 방법에 있어서,제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극의 상부에 상변화 재료층을 형성하는 단계;상기 상변화 재료층의 상부에 고속이온도체층을 형성하는 단계;상기 고속이온도체층의 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 전극에 음의 전압이 걸리도록 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 사이에 일정 전압을 일정 시간 인가함으로써 상기 고속 이온도체 층을 관통하여 상기 제 2 전극과 상기 상변화 재료층을 연결하는 금속 덴드라이트를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.