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자기 터널 접합 소자

  • 기술번호 : KST2015131410
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기 터널 접합 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 기판; 상기 기판상에 적층되는 시드층 (seed layer); 상기 시드층 상에 적층되는 반강자성층; 상기 반강자성층 상에 적층되는 고정층; 상기 고정층 상에 적층되는 터널장벽층; 상기 터널장벽층 상에 적층되는 자유층; 및 상기 자유층 상에 적층되는, TixAl1-x(0003c#x003c#1) 또는 ZrxAl1-x(0003c#x003c#1)을 포함하는 상지층;을 포함하는 자기 터널 접합 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 자기 터널 접합 소자는 열처리 이후에 터널장벽층 상부의 강자성층이 상지층의 영향을 받지 아니하고, 절연층에 에피텍시한 관계로 결정성장함으로써, 상온에서 높은 자기저항비를 가지는 소자로, 자기랜덤 액세스 메모리(MRAM), 자기저항 센서 등에서의 자기기억 소자로서도 활용가능하다. 자기 터널 접합 소자, MTJ, Ru, TiAl, ZrAl
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01)
출원번호/일자 1020070123736 (2007.11.30)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0968248-0000 (2010.06.29)
공개번호/일자 10-2009-0056535 (2009.06.03) 문서열기
공고번호/일자 (20100706) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.30)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성래 대한민국 서울 강남구
2 정하창 대한민국 경기 안산시 단원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0866440-98
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0041804-29
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0735489-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0311176-93
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0588805-85
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.09.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0588808-11
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2010.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0032007-98
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.02.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0077460-09
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0077431-85
13 등록결정서
Decision to grant
2010.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0269840-95
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 적층되는 시드층 (seed layer); 상기 시드층 상에 적층되는 반강자성층; 상기 반강자성층 상에 적층되는 고정층; 상기 고정층 상에 적층되는 터널장벽층; 상기 터널장벽층 상에 적층되는 자유층; 및 상기 자유층 상에 적층되는, TixAl1-x(0003c#x003c#1)를 포함하는 상지층; 을 포함하는 자기 터널 접합 소자
2 2
삭제
3 3
기판; 상기 기판 상에 적층되는 시드층 (seed layer); 상기 시드층 상에 적층되는 반강자성층; 상기 반강자성층 상에 적층되는 고정층; 상기 고정층 상에 적층되는 터널장벽층; 상기 터널장벽층 상에 적층되는 자유층; 및 상기 자유층 상에 적층되는, ZrxAl1-x(0003c#x003c#1)를 포함하는 상지층; 을 포함하는 자기 터널 접합 소자
4 4
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 시드층은 TixAl1-x(0003c#x003c#1) 또는 ZrxAl1-x(0003c#x003c#1)인 자기 터널 접합 소자
5 5
삭제
6 6
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 고정층은 NiFe, CoFe 및 CoFeB로 구성된 군에서 선택된 하나의 강자성층인 자기 터널 접합 소자
7 7
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 고정층은 Ru층을 추가적으로 포함하는 자기 터널 접합 소자
8 8
제7항에 있어서, 상기 고정층은 상기 Ru층 하부에 제1강자성층을 추가적으로 포함하는 자기 터널 접합 소자
9 9
제8항에 있어서, 상기 제1강자성층은 NiFe 또는 CoFe인 자기 터널 접합 소자
10 10
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 반강자성층 하부에 제2강자성층을 추가적으로 포함하는 자기 터널 접합 소자
11 11
제10항에 있어서, 상기 제2강자성층은 NiFe, CoFe 및 CoFeB로 구성된 군에서 선택된 어느 하나인 자기 터널 접합 소자
12 12
제7항에 있어서, 상기 반강자성층 하부에 제2강자성층을 추가적으로 포함하는 자기 터널 접합 소자
13 13
제12항에 있어서, 상기 제2강자성층은 NiFe, CoFe 및 CoFeB로 구성된 군에서 선택된 어느 하나인 자기 터널 접합 소자
14 14
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 반강자성층은 MnFe, MnIr, MnRh, PtMN 및 Ru로 구성된 군에서 선택되는 하나인 자기 터널 접합 소자
15 15
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 자기 터널 접합 소자는 스핀 밸브 타입의 자기 터널 접합 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.