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수직형 유기 발광 트랜지스터 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015133076
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직형 유기 발광 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 수직형 유기 발광 트랜지스터는 기판, 상기 기판의 상부에 위치하는 게이트 전극층, 상기 게이트 전극의 상부에 위치하는 제1 절연층, 상기 절연층의 상부에 위치하며 사이 간격이 나노 단위인 복수의 홀이 형성되어 있는 소스 전극층, 상기 복수의 홀을 제외한 상기 소스 전극층의 상부에 위치하는 제2 절연층, 상기 복수의 홀의 내부에 충진되면서 상기 제2 절연층을 덮도록 형성되는 유기 반도체층을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 51/40 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) H01L 51/05 (2006.01)
CPC H01L 51/5296(2013.01) H01L 51/5296(2013.01)
출원번호/일자 1020120017308 (2012.02.21)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1339385-0000 (2013.12.03)
공개번호/일자 10-2013-0095909 (2013.08.29) 문서열기
공고번호/일자 (20131209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.21)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주병권 대한민국 서울 종로구
2 최진환 대한민국 서울 서대문구
3 송은호 대한민국 서울 도봉구
4 박영욱 대한민국 서울 동대문구
5 동기영 대한민국 경기 용인시 수지구
6 황보연 대한민국 서울 성북구
7 박태현 대한민국 서울 성북구
8 신세중 대한민국 경기 화성시 메타폴리스로 **, *
9 이현준 대한민국 서울 강동구
10 김학구 대한민국 경기 성남시 분당구
11 박정호 대한민국 경기 고양시 일산동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0138341-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.10.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0077897-69
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0423390-23
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0754582-10
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0754581-75
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0800661-90
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수직형 유기 발광 트랜지스터에 있어서,기판,상기 기판의 상부에 위치하는 게이트 전극층,상기 게이트 전극의 상부에 위치하는 제1 절연층,상기 제1 절연층의 상부에 위치하며 사이 간격이 나노 단위인 복수의 홀이 형성되어 있는 소스 전극층,상기 복수의 홀을 제외한 상기 소스 전극층의 상부에 위치하는 제2 절연층, 및상기 복수의 홀의 내부에 충진되면서 상기 제2 절연층을 덮도록 형성되는 유기 반도체층을 포함하는 수직형 유기 발광 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 복수의 홀은 상기 제1 절연층이 노출되도록 형성되는 수직형 유기 발광 트랜지스터
3 3
제1항에 있어서, 상기 복수의 홀은 단면 형태가 원형, 삼각형, 사각형, 오각형 중 하나의 형태를 갖는 수직형 유기 발광 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서,상기 소스 전극층은 레이저 간섭 리소그래피 공정에 의해서 형성되는 수직형 유기 발광 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서,상기 유기 반도체층의 상부에 위치하는 유기 발광 다이오드, 및상기 유기 발광 다이오드의 상부에 위치하는 드레인 전극을 더 포함하는 수직형 유기 발광 트랜지스터
6 6
제1항에 있어서,상기 게이트 전극층과 상기 소스 전극층은 투명 전극으로 이루어진 수직형 유기 발광 트랜지스터
7 7
수직형 유기 발광 트랜지스터의 제조방법에 있어서,기판에 게이트 전극층을 형성하는 단계,상기 게이트 전극층의 상부에 제1 절연층을 형성하는 단계,상기 제1 절연층의 상부에 소스 전극층 및 제2 절연층을 차례로 적층하는 단계,상기 제2 절연층 및 상기 소스 전극층을 식각하여 사이 간격이 나노 단위인 복수의 홀을 형성하는 단계, 및상기 복수의 홀 및 상기 제2 절연층을 덮도록 유기 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 수직형 유기 발광 트랜지스터의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 복수의 홀은 레이저 간섭 리소그래피 공정에 의해서 형성되는 수직형 유기 발광 트랜지스터의 제조방법
9 9
제7항에 있어서,상기 복수의 홀을 형성하는 단계는,상기 제2 절연층의 상부에 포토 레지스트를 도포하고, 소프트 베이킹하는 단계,상기 복수의 홀에 대응되는 나노 패턴을 형성하기 위해 레이저 노광하는 단계,노광이 완료되면, 하드 베이킹하는 단계,현상액에 담궈 상기 포토 레지스트 중 상기 나노 패턴에 대응되는 포토 레지스트를 제거하는 단계,상기 나노 패턴에 대응하는 상기 복수의 홀이 형성되도록 상기 소스 전극층 및 상기 제2 절연층을 식각하는 단계, 및식각이 완료되면, 유기용매로 상기 포토 레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 수직형 유기 발광 트랜지스터의 제조방법
10 10
제7항에 있어서,상기 복수의 홀은 상기 제1 절연층이 노출되도록 형성되는 수직형 유기 발광 트랜지스터의 제조방법
11 11
제7항에 있어서,상기 복수의 홀은 단면 형태가 원형, 삼각형, 사각형, 오각형 중 하나의 형태를 갖는 수직형 유기 발광 트랜지스터의 제조방법
12 12
제7항에 있어서,상기 게이트 전극 및 소스 전극은 투명 전극으로 이루어진 수직형 유기 발광 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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