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상변화 메모리 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015133110
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상변화 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 하부전극 상에 콘택 플러그가 형성된 반도체 기판이 준비되는 기판준비단계; 상기 콘택플러그를 포함한 상기 반도체 기판 상에 절연막을 형성하는 절연막형성단계; 상기 콘택플러그 및 절연막 상에 상변화막을 형성하는 상변화막형성단계; 상기 상변화막의 표면을 질소로 도핑하는 질소도핑단계; 상기 질소가 도핑된 상변화막의 표면을 연마하는 연마단계; 및 상기 상변화막의 상부에 상부전극을 형성하는 전극형성단계;를 포함한다. 이러한 구성에 의해, 본 발명의 상변화 메모리 소자의 제조방법은 GST막의 표면에 질소를 도핑한 후, 화학적 또는 기계적 연마공정을 수행함으로써, 서로 다른 화합물로 이루어진 GST막을 용이하게 평탄화하여 GST막의 표면조도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020120046276 (2012.05.02)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1341807-0000 (2013.12.10)
공개번호/일자 10-2013-0123110 (2013.11.12) 문서열기
공고번호/일자 (20131217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.02)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임대순 대한민국 서울 강남구
2 신동희 대한민국 경기 고양시 덕양구
3 이동현 대한민국 서울 양천구
4 이양복 대한민국 서울 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0350647-91
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0245498-24
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0515972-29
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0515961-27
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0716166-07
6 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.11.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1024311-11
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-1024283-20
8 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0821059-50
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부전극 상에 콘택 플러그가 형성된 반도체 기판이 준비되는 기판준비단계;상기 콘택플러그를 포함한 상기 반도체 기판 상에 절연막을 형성하는 절연막형성단계;상기 콘택플러그 및 절연막 상에 상변화막을 형성하는 상변화막형성단계;상기 상변화막의 표면을 질소로 도핑하는 질소도핑단계;상기 질소가 도핑된 상변화막의 표면을 연마하는 연마단계; 및상기 상변화막의 상부에 상부전극을 형성하는 전극형성단계;를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 질소도핑단계는질소가 상기 상변화막의 표면에 20nm의 두께로 도핑되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 질소도핑단계는질소가 진공상태의 300℃에서 30분동안 상기 상변화막의 표면에 열처리되어 도핑되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 연마단계는상기 질소가 도핑된 상변화막의 표면을 도핑된 질소가 제거되도록 연마가 수행되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
6 6
하부전극 상에 콘택 플러그가 형성된 반도체 기판이 준비되는 기판준비단계;상기 콘택플러그를 포함한 상기 반도체 기판 상에 절연막을 형성하는 절연막형성단계;상기 콘택플러그 및 절연막 상에 질소가 표면에 도핑된 상변화막을 형성하는 상변화막형성단계;상기 질소가 도핑된 상변화막의 표면을 연마하는 연마단계; 및상기 상변화막의 상부에 상부전극을 형성하는 전극형성단계;를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 상변화막형성단계는질소가 상기 상변화막의 표면에 20nm의 두께로 도핑되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
8 8
삭제
9 9
제6항에 있어서,상기 상변화막형성단계는질소가 진공상태에서 300℃에서 30분동안 상기 상변화막의 표면에 열처리되어 도핑되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
10 10
제6항에 있어서,상기 상변화막형성단계는상기 상변화막이 열에 의하여 결정질 또는 비정질 상태로 변환되는 상변화물질로 형성되되,상기 상변화물질은 게르마늄(Ge), 안티몬(Sb), 텔루리움(Te)의 화합물인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 (주)하이닉스반도체 고려대학교 산학협력단 2단계BK21산업체대응 CVD-GST 막의 표면 특성에 미치는 CMP 영향 연구