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칼코제나이드계 박막 에칭방법 및 칼코제나이드계 박막 증착장치 클리닝 방법

  • 기술번호 : KST2015135345
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 NH3 플라즈마를 이용하여, 칼코제나이드계 박막을 에칭하는 방법과 칼코제나이드계 박막 증착장치를 클리닝하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 칼코제나이드계 박막 에칭 방법은 기판 상에 칼코제나이드계 박막이 형성되어 있는 적층구조물을 준비하고, 칼코제나이드계 박막 상에 NH3 플라즈마를 공급하여 칼코제나이드계 박막을 에칭한다. 그리고 본 발명에 따른 칼코제나이드계 박막 증착장치 클리닝 방법은 칼코제나이드계 박막 증착장치를 이용하여 칼코제나이드계 박막 증착을 수행한 다음, 칼코제나이드계 박막 증착장치 내부에 NH3 플라즈마를 공급하여 칼코제나이드계 박막 증착장치 내부를 클리닝한다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01)
CPC H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01)
출원번호/일자 1020090106081 (2009.11.04)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1079634-0000 (2011.10.28)
공개번호/일자 10-2011-0049182 (2011.05.12) 문서열기
공고번호/일자 (20111103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.04)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황철성 대한민국 서울특별시 강남구
2 최설 대한민국 서울특별시 종로구
3 엄태용 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0678772-00
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0086813-03
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2009.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0701500-39
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.07.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.08.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0053243-00
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0197688-63
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0309087-36
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0309077-80
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0616962-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0622596-87
13 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.07.09 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2014-0646411-12
14 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0696498-78
15 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2014.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0702081-30
16 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2014.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0124147-46
17 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2014.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0134788-71
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 칼코제나이드계 박막이 형성되어 있는 적층구조물을 준비하는 단계; 및 상기 칼코제나이드계 박막 상에 NH3 플라즈마를 공급하여 상기 칼코제나이드계 박막을 에칭하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코제나이드계 박막 에칭방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 칼코제나이드계 박막은 Ge-Te, Sb-Te 및 Ge-Sb-Te 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 칼코제나이드계 박막 에칭방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 칼코제나이드계 박막을 에칭하는 단계는 180℃ 이상의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 칼코제나이드계 박막 에칭방법
4 4
칼코제나이드계 박막 증착장치를 이용하여 칼코제나이드계 박막 증착을 수행하는 단계; 및 상기 칼코제나이드계 박막 증착장치 내부에 NH3 플라즈마를 공급하여 상기 칼코제나이드계 박막 증착장치 내부를 클리닝하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코제나이드계 박막 증착장치 클리닝 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 칼코제나이드계 박막 증착장치는 Ge-Te, Sb-Te 및 Ge-Sb-Te 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 칼코제나이드계 박막을 증착하는 박막 증착장치인 것을 특징으로 하는 칼코제나이드계 박막 증착장치 클리닝 방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 칼코제나이드계 박막 증착장치 내부를 클리닝하는 단계는 180℃ 이상의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 칼코제나이드계 박막 증착장치 클리닝 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 두뇌한국21사업 2단계bk21재료사업
2 미래창조과학부 서울대학교 산학협력단 원천기술개발사업 분자제어 기술을 통한 전자 기능 박막 제조 및 특성 평가