맞춤기술찾기
이전대상기술
기둥 구조를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그제조방법
- 기술번호 : KST2015159369
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 메모리 셀이 실리콘 기둥 측벽에 직렬로 형성되어 수직채널과 측벽 게이트 구조를 갖는 NAND 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, 하나 이상의 반도체 스트립이 각 양쪽에 나란히 이웃하고 있는 절연체 스트립 구조를 가지도록 함으로써, 메모리 셀이 차지하는 면적을 절반 이하로 줄여 집적도 향상은 물론 종래 3차원 구조가 가지고 있던 셀의 채널 절연(isolation) 문제, 트렌치 바닥의 소스/드레인 영역 절연(isolation) 문제를 근본적으로 해결하고, 기존 CMOS 공정을 그대로 이용하면서도 최소한의 마스크로 식각 공정을 수행하여 공정 비용을 획기적으로 줄일 수 있는 효과가 있다.기둥, pillar, folded, 3차원 구조, NAND, 플래시 메모리, 어레이 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) |
| CPC | H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020060055596 (2006.06.20) |
| 출원인 | 재단법인서울대학교산학협력재단 |
| 등록번호/일자 | 10-0777016-0000 (2007.11.09) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20071116) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2006.06.20) |
| 심사청구항수 | 12 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박병국 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 2 | 조성재 | 대한민국 | 서울 강남구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 권오준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.06.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0433383-15 |
| 2 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2006.11.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0885191-79 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2007.04.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2007.05.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0026913-66 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2007.05.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0303239-69 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2007.07.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0489451-02 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2007.07.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0489454-38 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2007.10.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0584683-85 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 반도체 기판에 소정의 간격으로 돌출된 기둥 형상을 갖는 하나 이상의 절연체 스트립과;상기 절연체 스트립 사이에 나란하게 돌출된 기둥 형상을 갖는 하나 이상의 반도체 스트립과;상기 하나 이상의 절연체 스트립과 상기 하나 이상의 반도체 스트립에 의하여 형성된 하나 이상의 트렌치와;상기 각 트렌치의 양 측벽과 바닥 일부에 형성된 전하트랩층을 포함하는 2개 또는 3개의 유전층과;상기 유전층 상부에 형성된 측벽 게이트와;상기 각 트렌치 바닥의 반도체 스트립 상부에 형성된 제 1 소스/드레인 영역과;상기 각 반도체 스트립의 돌출된 기둥 상부에 형성된 제 2 소스/드레인 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 기둥 구조를 갖는 NAND 플래시 메모리 어레이 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 각 반도체 스트립의 일측에 형성된 제 2 소스/드레인 영역에는 비트 라인 콘택이 형성되어 있고,상기 비트 라인 콘택이 형성된 상기 각 반도체 스트립의 기둥 일 측벽을 따라 형성된 측벽 게이트는 제 1 선택 게이트로 제 1 선택라인에 연결되고,상기 각 반도체 스트립의 타측에 형성된 제 2 소스/드레인 영역에는 소스 라인 콘택이 형성되어 있고,상기 소스 라인 콘택이 형성된 상기 각 반도체 스트립의 기둥 일 측벽을 따라 형성된 측벽 게이트는 제 2 선택 게이트로 제 2 선택라인에 연결되고,상기 제 1 선택 게이트와 상기 제 2 선택 게이트 사이에 있는 하나 이상의 측벽 게이트는 하나 이상의 컨트롤 게이트로 각 워드 라인에 연결된 것을 특징으로 하는 기둥 구조를 갖는 NAND 플래시 메모리 어레이 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서,상기 반도체 스트립의 돌출된 기둥 양 측면에는 각각 상기 컨트롤 게이트에 의하여 동작되는 메모리셀이 형성되어 있고,상기 각 메모리셀은 비트 라인을 따라 직렬로 연결된 것을 특징으로 하는 기둥 구조를 갖는 NAND 플래시 메모리 어레이 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 전하트랩층은 질화막층인 것을 특징으로 하는 기둥 구조를 갖는 NAND 플래시 메모리 어레이 |
| 5 |
5 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 각 반도체 스트립에 돌출된 기둥 형상 및 상기 각 절연체 스트립에 돌출된 기둥 형상은 사각 기둥 형상이고,상기 각 반도체 스트립에 돌출된 사각 기둥 형상의 두께는 30 내지 50 nm 이고,상기 각 반도체 스트립에 돌출된 사각 기둥에 도핑된 불순물의 농도는 1x1016/cm3 내지 3x1018/cm3 인 것을 특징으로 하는 기둥 구조를 갖는 NAND 플래시 메모리 어레이 |
| 6 |
6 준비된 반도체 기판에 초기 이온을 주입하는 단계와;상기 이온 주입된 기판에 비트 라인 방향으로 실리콘 핀(fin)을 형성하는 단계와;상기 핀 사이의 절연(isolation)을 위하여 상기 기판 상부에 산화막을 증착하는 단계와;소정의 평탄화 공정을 통하여 상기 실리콘 핀 상부에 있는 산화막층을 제거하는 단계와;실리콘 핀 상부가 드러난 상기 기판 상부에 감광막을 증착하는 단계와;상기 감광막을 워드 라인 방향으로 패터닝하는 단계와;상기 패터닝된 감광막을 따라 실리콘 및 산화막을 식각한 후 상기 감광막을 제거하여 소정의 깊이를 가지는 트렌치와 절연된 실리콘 기둥을 형성하는 단계와;상기 트렌치가 형성된 기판 전면에 연속적인 증착 공정을 통하여 전하트랩층을 포함하는 2개 또는 3개의 유전층을 형성하는 단계와;상기 유전층 상부에 전도성 물질을 증착하고 식각하여 트렌치 양측에 서로 이격되어 측벽 게이트를 형성하는 단계와;상기 측벽 게이트가 형성된 트렌치와 핀의 상부 전면에 이온 주입하여 소스/드레인을 형성하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 기둥 구조를 갖는 NAND 플래시 메모리 어레이 제조방법 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서,상기 실리콘 핀(fin)을 형성하는 단계는,상기 이온 주입된 기판에 산화막과 질화막을 순차적으로 증착하는 단계와;상기 질화막 상부에 소정의 패터닝 공정을 수행하는 단계와;상기 패터닝된 마스크에 따라 실리콘을 식각하여 실리콘 핀을 형성하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 기둥 구조를 갖는 NAND 플래시 메모리 어레이 제조방법 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서,상기 실리콘 핀 상부에 있는 산화막층을 제거하기 위한 평탄화 공정은 CMP 공정인 것을 특징으로 하는 기둥 구조를 갖는 NAND 플래시 메모리 어레이 제조방법 |
| 9 |
9 제 8 항에 있어서,상기 2개 또는 3개의 유전층을 형성하는 단계의 연속 증착 공정에는 상기 전하트랩층으로 질화막층을 증착하는 공정이 포함된 것을 특징으로 하는 기둥 구조를 갖는 NAND 플래시 메모리 어레이 제조방법 |
| 10 |
10 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 트렌치를 형성하는 단계의 상기 실리콘 및 산화막의 식각은 상기 트렌치의 바닥에 산화막이 일부 남아 비트 라인 방향으로 돌출된 기둥 형상을 갖는 하나 이상의 절연체 스트립이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 기둥 구조를 갖는 NAND 플래시 메모리 어레이 제조방법 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서,상기 측벽 게이트를 형성하는 단계의 상기 전도성 물질은 폴리실리콘 또는 금속이고,상기 전도성 물질의 식각은 비등방성 식각인 것을 특징으로 하는 기둥 구조를 갖는 NAND 플래시 메모리 어레이 제조방법 |
| 12 |
12 제 10 항에 있어서,상기 소스/드레인을 형성하는 단계의 이온 주입 공정은 상기 트렌치 바닥 및 핀 상부에 있는 유전층을 제거한 후 또는 상기 유전층을 제거하기 전에 실시하는 것을 특징으로 하는 기둥 구조를 갖는 NAND 플래시 메모리 어레이 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP20004915 | JP | 일본 | FAMILY |
| 2 | US08324060 | US | 미국 | FAMILY |
| 3 | US20080296659 | US | 미국 | FAMILY |
| 4 | US20120058619 | US | 미국 | FAMILY |
| 5 | WO2007148856 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP2008004915 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US2008296659 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | US2012058619 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 4 | US8324060 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 5 | WO2007148856 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0777016-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20060620 출원 번호 : 1020060055596 공고 연월일 : 20071116 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20071030 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 기둥 구조를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 364,500 원 | 2007년 11월 09일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2010년 11월 02일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 364,800 원 | 2011년 11월 30일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2012년 11월 06일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 556,000 원 | 2013년 10월 30일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 556,000 원 | 2014년 11월 04일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 556,000 원 | 2015년 10월 28일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 900,000 원 | 2016년 02월 19일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 900,000 원 | 2017년 10월 23일 | 납입 |
| 제 12 년분 | 금 액 | 450,000 원 | 2018년 11월 01일 | 납입 |
| 제 13 년분 | 금 액 | 510,000 원 | 2019년 11월 01일 | 납입 |
| 제 14 년분 | 금 액 | 525,300 원 | 2020년 11월 18일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.06.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0433383-15 |
| 2 | 명세서등보정서 | 2006.11.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0885191-79 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2007.04.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2007.05.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0026913-66 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2007.05.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0303239-69 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2007.07.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0489451-02 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2007.07.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0489454-38 |
| 8 | 등록결정서 | 2007.10.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0584683-85 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1410030576 |
|---|---|
| 세부과제번호 | b0008643 |
| 연구과제명 | 특허경비지원 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 한국산업기술진흥협회 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200604~201103 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
| [1020060128888] | 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020060122415] | 당귀 추출물 또는 이로부터 분리한 쿠마린계 화합물을 유효성분으로 함유하는 폐암 예방용 조성물 | 새창보기 |
| [1020060119502] | 시스-디(티오시아나토)-Ｎ,Ｎ'-비스(2,2'-비피리딜-4,4'-디카르복시산)루테늄(Ⅱ)의 개선된 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060119300] | 경화된 β-사이클로덱스트린 중합체 분말과 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060113004] | [염료감응형 태양전지]콜로이달 템플레이트를 이용한 다공성 광전극 제조 기술 | 새창보기 |
| [1020060112218] | 영가 철 나노와이어의 합성방법 및 지하수처리 적용 | 새창보기 |
| [1020060107440] | 이동형 기기의 전력 발생장치 및 이를 구비한자가발전시스템 | 새창보기 |
| [1020060105809] | 차단층을 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극 및 이의제조방법 | 새창보기 |
| [1020060101803] | 1,2-디[2-메톡시-4-(2-카르복실비닐)]페녹시에탄 화합물을유효성분으로 함유하는 파킨슨병 예방 및 치료용 약학적조성물 | 새창보기 |
| [1020060101078] | 계면활성제로 코팅된 바이메탈성 나노 철 입자 | 새창보기 |
| [1020060099903] | 탄소소재층을 포함하는 염료감응 태양전지용 상대전극 및이의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060096794] | 멀티캐스트 기반 다자간 협업 환경에서의 유디피멀티캐스트 터널링 방법 및 그 시스템 | 새창보기 |
| [1020060094974] | 플루오로알킬렌옥시기가 치환된 페닐에틸실란 화합물 및 이를 중합한 고분자 | 새창보기 |
| [1020060094002] | 가스크로마토그래피-질량분석기를 이용한 두 생체시료군 간대사체 차별성 분석 방법 | 새창보기 |
| [1020060093541] | 고삼 추출물을 포함하는 성기능 장애 개선용 조성물 | 새창보기 |
| [1020060092805] | 정합필터의 간략한 계산을 사용한 초음파 거리 정밀측정방법 | 새창보기 |
| [1020060092255] | 고전력을 위한 내부전계전극을 갖는 갈륨나이트라이드기반의 고전자 이동도 트랜지스터 구조 | 새창보기 |
| [1020060090703] | 금속 실리사이드 - ＳｉＣ 복합재료의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020060090214] | 청색 발광 형광체 및 이를 포함하는 냉음극 형광램프 | 새창보기 |
| [1020060090139] | 터치스크린(유연입력장치) 제조기술 | 새창보기 |
| [1020060089628] | 전압 제어 발진기의 이득 측정 방법 및 이를 이용하는주파수 합성기 | 새창보기 |
| [1020060089617] | 전압 제어 발진기의 출력 클럭으로 동작하는 스위치드커패시터 네트워크를 이용한 위상 고정 루프 및 제어방법 | 새창보기 |
| [1020060089063] | 영상 디스플레이 장치 | 새창보기 |
| [1020060088891] | 혈관신생-촉진 단백질 약물에 대한 서방형 국소 약물전달시스템 | 새창보기 |
| [1020060086833] | 유체영동기반 세포분리용 미세유체칩 및 이를 이용한혈액분리방법 | 새창보기 |
| [1020060085421] | (ｎ˘ａ, ｎ˘(2ａ-2),ｎ˘(ａ-1),ｎ,0,1) ＧＤ－ＰＢＩＢＤ를이용한 공모 방지 핑거프린트 코드 생성 방법 | 새창보기 |
| [1020060084802] | 브러쉬를 이용하여 분자배열을 유도한 유기 기반태양전지의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060083697] | 조합화학적 기법에 의한 신촉매, 재료 및 바이오분자구조분석용 공초점 라만／자외선-가시광／형광 분광기 | 새창보기 |
| [1020060083577] | 주사형 광가교 수화젤, 이를 이용한 생분해성 이식조직,주사형 약물전달 제제 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060083325] | 방광용적 측정센서 및 이를 이용한 방광관리 시스템과 그방법 | 새창보기 |
| [1020060082461] | 고속 터보 기기의 무급유 베어링용 중온 코팅제 및 그 코팅방법 | 새창보기 |
| [1020060081823] | 솔더범프 및 솔더볼 형성 장치 및 방법 | 새창보기 |
| [1020060080746] | 소결성이 우수한 질화알루미늄 분말 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060079501] | 순방향 오류정정 복호화 방법 및 복호화기. | 새창보기 |
| [1020060079000] | 비광축 스톱을 이용한 2.5차원 단층 영상용 현미경 시스템 | 새창보기 |
| [1020060078894] | 다당류-기능화 나노입자 및 수화젤 담체를 포함하는복합체, 이를 포함하는 서방형 약물전달 제제, 뼈충진제 및이들의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060077332] | 열 스위치 | 새창보기 |
| [1020060076382] | 지역 점유맵 인스턴스를 이용한 햅틱 렌더링 방법과 장치,및 이를 이용한 햅틱 시스템 | 새창보기 |
| [1020060076272] | 퀴나졸린-2,4-디온 유도체의 위치선택적 환원방법 | 새창보기 |
| [1020060074714] | 광섬유 격자를 제조하는 방법과 장치, 및 이에 따른 광섬유격자가 형성된 광섬유 | 새창보기 |
| [1020060074389] | 내열성 초극세 섬유상 분리막 및 이를 이용한 이차전지 | 새창보기 |
| [1020060073581] | 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의마이크로/나노 패턴화 방법 | 새창보기 |
| [1020060071796] | 유산균 및 콜라겐을 유효성분으로 포함하는 관절염 예방 및치료용 조성물 | 새창보기 |
| [1020060070869] | 오일 열화 실시간 모니터링 방법 및 장치 | 새창보기 |
| [1020060070528] | 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법 | 새창보기 |
| [1020060069998] | 폴리이소시아네이트 중합용 금속카보네이트 개시제 및 이를이용한 폴리이소시아네이트의 중합방법 | 새창보기 |
| [1020060069861] | 펌프의 냉각 장치 | 새창보기 |
| [1020060068804] | 단백질 또는 펩타이드의 경점막 운반 시스템 | 새창보기 |
| [1020060068801] | 항암제에 대한 경점막 운반 시스템 | 새창보기 |
| [1020060068619] | 대장모델 생성 방법, 충돌 검사 방법 및 이를 이용한내시경 시뮬레이션 방법 | 새창보기 |
| [1020060068618] | 굽혀진 트러스 코어를 구비한 가변형 샌드위치 패널 및 그제조방법 | 새창보기 |
| [1020060068542] | 정전하를 이용한 유리 절단 방법 및 그의 유리 절단 장치 | 새창보기 |
| [1020060066698] | 인공위성 자세 제어 명령 분배를 위한 동적 제어 할당 방법 | 새창보기 |
| [1020060065877] | 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020060064287] | 횡바이패스 다채널 열교환기 | 새창보기 |
| [1020060064037] | 형광 이미징 법을 이용한 5-HT6 수용체 리간드 고효율 검색법 | 새창보기 |
| [1020060063140] | 신규 치환된―１Ｈ―퀴나졸린―２,４―디온 유도체, 이의제조방법 및 이를 함유하는 약학적 조성물 | 새창보기 |
| [1020060057043] | 강자성체를 이용한 스핀 트랜지스터 | 새창보기 |
| [1020060056831] | 압축기체를 이용한 필라멘트 및 시트 형태의 생분해성폴리에스테르 고분자 소재의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060055596] | 기둥 구조를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그제조방법 | 새창보기 |
| [1020060055320] | Ｅ-실렉틴 면역어드헤신 | 새창보기 |
| [1020060055313] | 발암성 돌연변이원 검색용 마커 유전자 및 이를 이용한발암성 돌연변이원 후보 물질 스크리닝 방법 | 새창보기 |
| [1020060055307] | 신장독성 및 부작용 유발 약물 검색용 바이오마커 및 이를이용한 신장독성 및 부작용 유발 약물 검색 방법 | 새창보기 |
| [1020060054236] | 조직공학용 다공성 뼈-연골 복합 지지체의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020060053914] | 미세입자 정렬분리용 미세유체칩 및 이를 이용한 미세입자분리방법 | 새창보기 |
| [1020060053008] | 디지털 워터마킹을 이용한 이미지 전송의 손실 은닉 방법 | 새창보기 |
| [1020060050471] | 방향 스위치를 이용한 문자 입력장치 및 이를 이용한이동통신기기 | 새창보기 |
| [1020060050353] | 배율 타원 근사법을 이용한 렌즈 굴절력 측정 방법 | 새창보기 |
| [1020060049625] | 최소침습용 골수강 내 금속정 | 새창보기 |
| [1020060046149] | 두 개의 엑소 메틸렌을 가지는 고리가 접합된 락탐화합물과이의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060045931] | 시각장애인을 위한 길안내 서비스 시스템 및 방법 | 새창보기 |
| [1020060045204] | 나노 크기의 다공성 금속 유리 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060042665] | 다진 마늘의 녹변 억제 방법 및 상기 방법에 의해 제조된다진 마늘 | 새창보기 |
| [1020060042653] | 이미다졸륨 염을 갖는 광경화성 단량체, 상기 이미다졸륨염을 함유하는 항균성 광경화형 조성물 및 상기조성물로부터 제조되는 항균성 고분자 재료 | 새창보기 |
| [1020060042345] | 고속 개루프 자동 주파수 보정 회로를 가지는 위상 고정루프 | 새창보기 |
| [1020060042278] | 대장염 치료용 약학적 조성물 | 새창보기 |
| [1020060041510] | 유도 브릴루앙 위상 공액 거울을 이용한 공초점 레이저유리 절단장치 | 새창보기 |
| [1020060041469] | 탄소 나노튜브에 흡착된 메탈로센 촉매, 이를 이용한올레핀 중합방법 및 올레핀 중합체 | 새창보기 |
| [1020060039038] | 다시점 화상 복호화기, 다시점 화상 데이터 처리 시스템,다시점 화상 데이터 처리 방법 및 이를 수행하는프로그램을 기록한 기록매체 | 새창보기 |
| [1020060038839] | ＴＲＰ 채널의 블로커를 포함하는 치통치료제 및 이의스크리닝방법 | 새창보기 |
| [1020060038023] | 목적단백질 및 코펙터를 재생시키는 효소를 동시에 세포표면에 표면발현시키는 방법 | 새창보기 |
| [1020060037547] | 신규 2-페닐-인단-2-카르복실산 에스테르 유도체, 이의약학적으로 허용되는 염, 이의 제조방법 및 이의 용도 | 새창보기 |
| [1020060036128] | ＣＲＤ 및 ＳＲＤ를 이용한 대사흐름 분석방법 | 새창보기 |
| [1020060035315] | 전기화학적 에칭법을 이용한 마이크로 탐침 제조방법 및 그장치 | 새창보기 |
| [1020060034643] | 새로운 조성의 황색 발광 Ｃｅ３＋부활 실리케이트황색형광체, 그 제조방법 및 상기 형광체를 포함하는 백색발광 다이오드 | 새창보기 |
| [1020060033565] | 마이크로 컨트롤러의 프로그램 카운터 및 그 제어방법 | 새창보기 |
| [1020060032485] | 구리 촉매 존재하에서 Ｎ―설포닐아미드 화합물의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060032426] | 점진적 국소 단조장치 및 이를 이용한 단조방법 | 새창보기 |
| [1020060032387] | 발광다이오드 | 새창보기 |
| [1020060031052] | 트리플루오로비닐옥시기를 포함하는 불소계 벤즈이미다졸 단량체 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060030687] | 디스플레이 장치의 패터닝 방법 | 새창보기 |
| [1020060030237] | 소형 공기 블로워 장치 | 새창보기 |
| [1020060028250] | ＭＥＭＳ용 폴리머 선형 엑츄에이터 및 이를 이용한 뇌신경신호 측정장치의 마이크로 매니퓰레이터 | 새창보기 |
| [1020060027664] | 순수광학이성질체 제조용 분자각인 고분자 분리막 및 이의제조방법 | 새창보기 |
| [1020060026357] | 수중 용존산소 제거장치 | 새창보기 |
| [1020060024928] | 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 및 접착제 조성물 | 새창보기 |
| [1020060024806] | 이종통신간의 상호간섭조절장치 | 새창보기 |
| [1020060023178] | 유변유체를 이용한 영상의 형상정보 촉감전달장치 및 그방법 | 새창보기 |
| [1020060022717] | 분무장치를 포함하는 연료 개질기, 연료 개질기용 분무기및 연료 개질 방법 | 새창보기 |
| [1020060021419] | 인체를 이용한 통신채널에서의 광대역 펄스신호 수신장치 | 새창보기 |
| [1020060021319] | 모아레 원리의 2π 모호성과 위상천이 수단이 없도록실시되는 3차원 형상 측정장치 및 그 방법 | 새창보기 |
| [1020060020707] | 완충고정 방식의 골두 표면치환 장치 | 새창보기 |
| [1020060017613] | 폴리머/세라믹 복합 내장형 커패시터의 미세패턴 형성방법 | 새창보기 |
| [1020060016433] | 나노 입자형 리튬염을 포함하는 고체 고분자 전해질과 그조성물 | 새창보기 |
| [1020060014277] | 기능성 작용기를 포함하는 블록공중합체, 블록공중합체의제조방법 및 동 공중합체를 포함하는 고분자 전해질 | 새창보기 |
| [1020060014055] | 형광빛 측정에 의한 오일 산화도 실시간 모니터링방법 및장치 | 새창보기 |
| [1020060013726] | 변형된 ＡＭＰ-활성화 단백질 키나아제, 그의 제조 방법 및그의 용도 | 새창보기 |
| [1020060008499] | 여과막이 구비된 플로우셀에 의한 막 오염도측정장치 | 새창보기 |
| [1020060008217] | 격자 정합된 ＩｎＧａＡｓ/ＩｎＧａＡｓＰ 다중 양자우물구조의 광소자용 에피박막층과 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060007475] | 미세 공간 대류 조립 방법을 이용한 콜로이드 결정의제조방법 | 새창보기 |
| [1020060003613] | 직접 메탄올 연료전지용 바이폴라 플레이트의 구조 및 유로형상, 이를 포함하는 직접 메탄올 연료전지 | 새창보기 |
| [1020060003011] | 연속 파형 초광대역 레이저 광원 공진기 및 이를 이용한의료용 진단기기 | 새창보기 |
| [1020060002907] | 고세장비 마이크로채널 가공방법과 그 장치 및 이를 이용한마이크로 히트파이프 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060001107] | 크기불변특징변환(ＳＩＦＴ)를 이용한 디지털 워터마킹방법 | 새창보기 |
중요키워드
| [KST2016009033][서울대학교] | 나노 팁 구조를 갖는 저항성 메모리 소자 및 이를 이용한 메모리 어레이와 그 제조방법(RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE HAVING NANO-SCALE TIP, MEMORY ARRAY USING THE SAME AND FABRICATION METHOD THEREOF) | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2015159288][서울대학교] | 상변화 메모리 셀 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015159625][서울대학교] | 함몰된 채널에 분리 게이트를 갖는 플래시 메모리 소자와이를 이용한 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015159989][서울대학교] | 저항변화기록소자에 이용되는 스위칭 다이오드 및 이를이용한 저항변화기록소자와 저항변화 랜덤 액세스 메모리 | 새창보기 |
| [KST2015159788][서울대학교] | 차단 게이트 라인을 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이와 그동작 및 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015137540][서울대학교] | 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2017007743][서울대학교] | 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 및 이의 프로그래밍 방법(Method of initializing and programing 3 dimensional non-volatile memory device) | 새창보기 |
| [KST2015135007][서울대학교] | 워드라인 더블 패터닝 공정방법 및 이에 의하여 구현된 낸드 플래시 메모리 어레이 | 새창보기 |
| [KST2015160753][서울대학교] | 복수개의 도핑층을 갖는 전하트랩 메모리 셀의 구조 및 그 제조방법과 동작방법 | 새창보기 |
| [KST2015159156][서울대학교] | 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2016016716][서울대학교] | 저항 변화 메모리 소자(Resistive random access memory) | 새창보기 |
| [KST2015159958][서울대학교] | 수직채널에 더블 스플릿 게이트를 갖는 메모리 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015159071][서울대학교] | 복수개의 도핑층을 갖는 전하트랩 메모리 셀을 이용한 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 동작방법 | 새창보기 |
| [KST2015135300][서울대학교] | 칼코제나이드계 박막 증착방법 | 새창보기 |
| [KST2015160002][서울대학교] | 수직 적층구조를 갖는 앤드형 플래시 메모리 어레이와 그제작방법 및 동작방법 | 새창보기 |
| [KST2015136740][서울대학교] | 비트라인의 커패시턴스 차이를 줄이기 위한 3차원 채널 적층형 낸드 플래시 메모리 어레이 | 새창보기 |
| [KST2015160451][서울대학교] | 수직채널 이중 게이트 구조를 갖는 메모리 셀 | 새창보기 |
| [KST2015160721][서울대학교] | 저항변화기록소자, 그 제조방법, 정보기록방법 및정보판독방법 | 새창보기 |
| [KST2015160911][서울대학교] | 상변화 메모리 소자 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015160069][서울대학교] | 저항변화기록소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015142970][서울대학교] | 전자이주 효과를 이용한 메모리 셀 | 새창보기 |
| [KST2015136779][서울대학교] | 재구성 가능한 전자 소자 및 이의 동작 방법 | 새창보기 |
| [KST2015137450][서울대학교] | 셀 스트링 및 상기 셀 스트링에서의 읽기 방법 | 새창보기 |
| [KST2016016184][서울대학교] | 생흡수성 및 생분해성 물질로 제조되는 비휘발성 저항 기억 소자(Bioresorbable and Biodegradable non-volatile resistive memory device) | 새창보기 |
| [KST2015159048][서울대학교] | 가변 저항 구조물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 상변화메모리 장치 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015159333][서울대학교] | 다중 비트 상변화 메모리 소자의 단위 셀 | 새창보기 |
| [KST2015136776][서울대학교] | 재구성 가능한 전자 소자 및 이의 동작 방법 | 새창보기 |
| [KST2015135702][서울대학교] | 스트링선택트랜지스터들의 문턱전압을 모니터링하는 ＳＳＬ 상태 확인 빌딩을 구비한 3차원 적층형 낸드 플래시 메모리 어레이, 그 모니터링 및 구동방법 | 새창보기 |
| [KST2015160224][서울대학교] | 전하트랩 플래시 기억소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015160182][서울대학교] | 핀분리층이 내재된 수직 채널의 노아 플래시 메모리 어레이 | 새창보기 |
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|