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다중 비트 상변화 메모리 소자의 단위 셀
- 기술번호 : KST2015159333
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 하나의 단위 셀 내에서 상변화층이 모두 동일한 선폭을 가져도 각각의 상태를 독립적으로 제어할 수 있는 상변화 메모리 소자의 단위 셀 구조를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 상변화층과, 상기 상변화층과 동일 층 내에서 상기 상변화층과 평행하게 배치된 보조 저항층을 구비하는 상변화 메모리 소자의 단위 셀을 제공한다. 상변화 메모리 소자, 하부전극, 발열체, 상변화 물질, 보조 저항층, 병렬, 결정질상, 비정질상 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) |
| CPC | G11C 11/5678(2013.01) G11C 11/5678(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020060034258 (2006.04.14) |
| 출원인 | 재단법인서울대학교산학협력재단 |
| 등록번호/일자 | 10-0868321-0000 (2008.11.05) |
| 공개번호/일자 | 10-2007-0102295 (2007.10.18) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20081111) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.05.08) |
| 심사청구항수 | 48 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이경우 | 대한민국 | 서울 관악구 |
| 2 | 김기범 | 대한민국 | 서울 관악구 |
| 3 | 박영욱 | 대한민국 | 경기 오산시 |
| 4 | 이태연 | 대한민국 | 서울 강남구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 신성특허법인(유한) | 대한민국 | 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.04.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0261990-74 |
| 2 | 전자문서첨부서류제출서 Submission of Attachment to Electronic Document |
2006.04.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-5031576-30 |
| 3 | 출원심사청구서 Request for Examination |
2007.05.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0342486-31 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.01.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.02.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0007057-32 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.02.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0093053-93 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.04.07 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0249740-64 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.04.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0249758-85 |
| 10 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.08.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0435268-24 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 상변화층;상기 상변화층과 동일 층 내에서 상기 상변화층과 평행하게 배치된 보조 저항층을 구비하는 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 2 |
2 다수의 상변화층;상기 상변화층과 동일 층 내에서 상기 상변화층과 교번적으로 서로 평행하게 배치된 다수의 보조 저항층을 구비하는 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 3 |
3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 보조 저항층은 상기 상변화층이 결정질상일 때의 비저항과 비정질상일 때의 비저항 사이의 비저항을 갖는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 4 |
4 제 3 항에 있어서, 상기 상변화층은 결정질상일 때 10-6Ω·m의 비저항을 가지고, 비정질상일 때10-1Ω·m의 비저항을 가지는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서, 상기 보조 저항층은 10-3Ω·m~10-4Ω·m의 비저항을 갖는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 6 |
6 제 3 항에 있어서, 상기 상변화층과 상기 보조 저항층은 상기 동일 층 내에서 동일한 부피 분율을 갖도록 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 7 |
7 제 3 항에 있어서, 상기 상변화층과 상기 보조 저항층은 상기 동일 층 내에서 서로 다른 부피 분율을 갖도록 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 8 |
8 제1 상변화층;상기 제1 상변화층 상에 형성된 전도층; 상기 전도층 상에 형성된 제2 상변화층; 및상기 제2 상변화층과 동일 층 내에서 상기 제2 상변화층과 평행하게 배치된 보조 저항층을 구비하는 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 9 |
9 제1 상변화층;상기 제1 상변화층 상에 형성된 전도층; 상기 전도층 상에 형성된 다수의 제2 상변화층; 및상기 제2 상변화층과 동일 층 내에서 상기 제2 상변화층과 교번적으로 평행하게 배치된 다수의 보조 저항층을 구비하는 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 10 |
10 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 보조 저항층은 상기 제2 상변화층이 결정질상일 때의 비저항과 비정질상일 때의 비저항 사이의 비저항을 갖는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 제2 상변화층은 결정질상일 때 10-6Ω·m의 비저항을 가지고, 비정질상일 때10-1Ω·m의 비저항을 가지는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 12 |
12 제 11 항에 있어서, 상기 보조 저항층은 10-3Ω·m~10-4Ω·m의 비저항을 갖는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 13 |
13 제 10 항에 있어서, 상기 제2 상변화층과 상기 보조 저항층은 상기 동일 층 내에서 동일한 부피 분율을 갖도록 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 14 |
14 제 10 항에 있어서, 상기 제2 상변화층과 상기 보조 저항층은 상기 동일 층 내에서 서로 다른 부피 분율을 갖도록 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 15 |
15 제 10 항에 있어서, 상기 제1 상변화층은 상기 제2 상변화층과 동일한 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 16 |
16 제 10 항에 있어서, 상기 제1 상변화층의 선폭은 상기 제2 상변화층과 상기 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭과 동일한 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 17 |
17 제 10 항에 있어서, 상기 제1 상변화층의 선폭은 상기 제2 상변화층과 상기 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭과 서로 다른 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 18 |
18 제 8 항에 있어서, 상기 제2 상변화층은 상기 보조 저항층 사이에 배치된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 19 |
19 제 8 항에 있어서, 상기 보조 저항층은 상기 제2 상변화층 사이에 배치된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 20 |
20 제 9 항에 있어서, 상기 보조 저항층은 서로 다른 부피 분율로 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 21 |
21 제 9 항에 있어서, 상기 제2 상변화층은 서로 다른 부피 분율로 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 22 |
22 제1 상변화층;상기 제1 상변화층 상에 형성된 제1 전도층; 상기 제1 전도층 상에 형성된 제2 상변화층; 상기 제2 상변화층과 동일 층 내에서 상기 제2 상변화층과 평행하게 배치된 제1 보조 저항층; 상기 제1 보조 저항층 상에 형성된 제2 전도층; 상기 제2 전도층 상에 형성된 제3 상변화층; 및상기 제3 상변화층과 동일 층 내에서 상기 제3 상변화층과 평행하게 배치된 제2 보조 저항층을 구비하는 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 23 |
23 제1 상변화층;상기 제1 상변화층 상에 형성된 제1 전도층; 상기 제1 전도층 상에 형성된 다수의 제2 상변화층; 상기 제2 상변화층과 동일 층 내에서 상기 제2 상변화층과 교번적으로 평행하게 배치된 다수의 제1 보조 저항층; 상기 제1 보조 저항층 상에 형성된 제2 전도층; 상기 제2 전도층 상에 형성된 다수의 제3 상변화층; 및상기 제3 상변화층과 동일 층 내에서 상기 제3 상변화층과 교번적으로 평행하게 배치된 다수의 제2 보조 저항층을 구비하는 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 24 |
24 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서, 상기 제1 보조 저항층은 상기 제2 상변화층이 결정질상일 때의 비저항과 비정질상일 때의 비저항 사이의 비저항을 갖는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 25 |
25 제 24 항에 있어서, 상기 제2 상변화층은 결정질상일 때 10-6Ω·m의 비저항을 가지고, 비정질상일 때 10-1Ω·m의 비저항을 가지는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 26 |
26 제 24 항에 있어서, 상기 제2 상변화층과 상기 제1 보조 저항층은 상기 동일 층 내에서 동일한 부피 분율을 갖도록 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 27 |
27 제 24 항에 있어서, 상기 제2 상변화층과 상기 보조 저항층은 상기 동일 층 내에서 서로 다른 부피 분율을 갖도록 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 28 |
28 제 24 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 상변화층은 동일한 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 29 |
29 제 24 항에 있어서, 상기 제1 상변화층의 선폭은 상기 제2 상변화층과 상기 제1 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭과 동일한 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 30 |
30 제 24 항에 있어서, 상기 제1 상변화층의 선폭은 상기 제3 상변화층과 상기 제2 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭과 동일한 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 31 |
31 제 22 항에 있어서, 상기 제2 상변화층은 상기 제1 보조 저항층 사이에 배치된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 32 |
32 제 22 항에 있어서, 상기 제3 상변화층은 상기 제2 보조 저항층 사이에 배치된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 33 |
33 제 22 항에 있어서, 상기 제1 보조 저항층은 상기 제2 상변화층 사이에 배치된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 34 |
34 제 22 항에 있어서, 상기 제2 보조 저항층은 상기 제3 상변화층 사이에 배치된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 35 |
35 제 23 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 보조 저항층은 각각 해당 층 내에서 서로 다른 부피 분율로 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 36 |
36 제 23 항에 있어서, 상기 제2 및 제3 상변화층은 각각 해당 층 내에서 서로 다른 부피 분율로 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 37 |
37 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서, 상기 제2 보조 저항층은 상기 제3 상변화층이 결정질상일 때의 비저항과 비정질상일 때의 비저항 사이의 비저항을 갖는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 38 |
38 제 37 항에 있어서, 상기 제3 상변화층은 결정질상일 때 10-6Ω·m의 비저항을 가지고, 비정질상일 때 10-1Ω·m의 비저항을 가지는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 39 |
39 제 37 항에 있어서, 상기 제3 상변화층과 상기 제2 보조 저항층은 상기 동일 층 내에서 동일한 부피 분율을 갖도록 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 40 |
40 제 37 항에 있어서, 상기 제3 상변화층과 상기 제2 보조 저항층은 상기 동일 층 내에서 서로 다른 부피 분율을 갖도록 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 41 |
41 제 37 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 상변화층은 동일한 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 42 |
42 제 37 항에 있어서, 상기 제1 상변화층의 선폭은 상기 제2 상변화층의 선폭과 상기 제1 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭과 동일한 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 43 |
43 제 37 항에 있어서, 상기 제1 상변화층의 선폭은 상기 제3 상변화층의 선폭과 상기 제2 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭과 동일한 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 44 |
44 제 37 항에 있어서, 상기 제1 상변화층이 상기 제2 및 제3 상변화층보다 부피 분율이 크고, 상기 제2 상변화층이 상기 제3 상변화층의 부피 분율보다 크게 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 45 |
45 제 37 항에 있어서, 상기 제1 상변화층의 선폭은 상기 제2 상변화층의 선폭과 상기 제1 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭과 서로 다른 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 46 |
46 제 37 항에 있어서, 상기 제1 상변화층의 선폭은 상기 제3 상변화층의 선폭과 상기 제2 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭과 서로 다른 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 47 |
47 제 37 항에 있어서, 상기 제2 상변화층의 선폭과 상기 제1 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭은 상기 제1 전도층 또는 제2 전도층의 선폭과 동일하거나, 다른 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 48 |
48 제 37 항에 있어서, 상기 제3 상변화층의 선폭과 상기 제2 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭은 상기 제1 전도층 또는 제2 전도층의 선폭과 동일하거나, 다른 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0868321-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20060414 출원 번호 : 1020060034258 공고 연월일 : 20081111 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080821 청구범위의 항수 : 48 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 다중 비트 상변화 메모리 소자의 단위 셀 존속기간(예정)만료일 : 20161106 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 1,113,000 원 | 2008년 11월 06일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 1,315,200 원 | 2011년 11월 30일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 1,644,000 원 | 2013년 05월 06일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 1,096,000 원 | 2013년 10월 28일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 1,924,000 원 | 2014년 11월 04일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 1,924,000 원 | 2015년 10월 28일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.04.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0261990-74 |
| 2 | 전자문서첨부서류제출서 | 2006.04.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-5031576-30 |
| 3 | 출원심사청구서 | 2007.05.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0342486-31 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.01.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 6 | 선행기술조사보고서 | 2008.02.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0007057-32 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2008.02.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0093053-93 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.04.07 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0249740-64 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.04.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0249758-85 |
| 10 | 등록결정서 | 2008.08.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0435268-24 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345071055 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A2003 |
| 연구과제명 | 재료연구인력양성사업단 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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