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전자이주 효과를 이용한 메모리 셀

  • 기술번호 : KST2015142970
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전자이주 현상을 이용한 메모리 셀이 개시된다. 본 발명에 따른 메모리 셀은 전류가 흐름에 따라 전자이주 효과가 나타나는 물질로 이루어지는 메모리부(100), 메모리부(100)에 전압을 인가하기 위하여 메모리부(100)의 양단에 각각 연결되는 제1(120) 및 제2 전극(130), 메모리부(100)의 저항 변화를 감지하기 위하여 메모리부(100)의 중간 부근에 연결되는 제3 전극(140), 제1 전극(120)과 연결되는 제1 액세스 트랜지스터(110a), 및 제2 전극(130)과 연결되는 제2 액세스 트랜지스터(110b)를 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 메모리 셀은 전자이주 재료에 흐르는 전류의 밀도 차이를 수월하게 제어할 수 있으므로 비휘발성 메모리를 생산함에 있어서 면적 효율적이면서 생산 비용이 절감되는 효과가 있다. 전자이주(electromigration), 메모리, 기록장치
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 27/2436(2013.01) H01L 27/2436(2013.01)
출원번호/일자 1020070123778 (2007.11.30)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0903418-0000 (2009.06.10)
공개번호/일자 10-2009-0056569 (2009.06.03) 문서열기
공고번호/일자 (20090618) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주영창 대한민국 서울 강남구
2 권기원 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0866575-42
2 보정요구서
Request for Amendment		 2007.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0173818-70
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0026126-21
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0041806-10
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0538866-55
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0879252-49
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.12.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0879300-43
10 등록결정서
Decision to grant		 2009.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0156647-48
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전류가 흐름에 따라 전자이주 효과가 나타나는 물질로 이루어지는 메모리부; 상기 메모리부에 전압을 인가하기 위하여 상기 메모리부의 양단에 각각 연결되는 제1 및 제2 전극; 상기 메모리부의 저항 변화를 감지하기 위하여 상기 메모리부의 중간에 연결되는 제3 전극; 상기 제1 전극과 연결되는 제1 액세스 트랜지스터; 및 상기 제2 전극과 연결되는 제2 액세스 트랜지스터 를 포함하되, 상기 메모리부의 상기 제1 전극과 상기 제3 전극간의 저항값과 상기 메모리부의 상기 제2 전극과 상기 제3 전극간의 저항값의 편차를 감지하는 것을 특징으로 하는 메모리 셀
2 2
제1항에 있어서, 상기 전류가 흐름에 따라 전자이주 효과가 나타나는 물질은 단일 원소로 이루어진 물질 혹은 두 가지 이상의 원소로 이루어진 물질 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 메모리 셀
3 3
단일 기판 상에 복수개의 메모리 셀이 배열되어 구성되는 메모리 장치로서, 상기 복수개의 메모리 셀 각각은, 전류가 흐름에 따라 전자이주 효과가 나타나는 물질로 구성되는 메모리부; 상기 메모리부에 전압을 인가하기 위하여 상기 메모리부의 양단에 각각 연결되는 제1 및 제2 전극; 상기 메모리부의 저항 변화를 감지하기 위하여 상기 메모리부의 중간에 연결되는 제3 전극; 상기 제1 전극과 연결되는 제1 액세스 트랜지스터; 및 상기 제2 전극과 연결되는 제2 액세스 트랜지스터 를 포함하되, 상기 메모리부의 상기 제1 전극과 상기 제3 전극간의 저항값과 상기 메모리부의 상기 제2 전극과 상기 제3 전극간의 저항값의 편차를 감지하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
4 4
제3항에 있어서, 상기 제1 액세스 트랜지스터간을 연결하는 비트 라인과, 상기 제2 액세스 트랜지스터간을 연결하는 상보 비트 라인과, 상기 제1 및 제2 트랜지스터간을 연결하는 워드라인, 상기 제3 전극간을 연결하는 감지 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
5 5
제4항에 있어서, 상기 메모리부의 저항 변화를 감지하기 위하여 상기 비트 라인 및 상기 상보 비트 라인과 연결되는 감지 증폭기(sense amplifier)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
6 6
제4항에 있어서, 상기 감지 라인에 감지 허용 신호를 입력하기 위하여 상기 감지 라인에 연결되는 감지 허용 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.