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양자점-블록공중합체 하이브리드 및 이의 제조 방법과 분산 방법, 그리고 양자점 블록공중합체 하이브리드를 포함하는 발광 소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015135409
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 양자점-블록공중합체 하이브리드는 양자점과 상기 양자점을 둘러싼 블록공중합체를 포함한다. 상기 블록공중합체는 상기 양자점과 화학 결합을 이루는 황을 포함하는 기능기를 가진다. 발광 소자는 양자점-블록공중합체를 포함한 발광 소자를 포함한다. 양자점-블록공중합체 하이브리드는 양자점을 형성하고, 황을 포함하는 기능기를 가지는 블록공중합체를 형성한 후, 양자점과 블록공중합체를 혼합하고, 혼합물에 에너지를 가하여 양자점에 상기 기능기를 화학 결합시켜 제조한다. 양자점-블록공중합체 하이브리드는 하이브리드와 매트릭스 고분자를 톨루엔과 같은 용매에 용해시키고 용액을 교반함으로써 양자점을 매트릭스 고분자내에 분산시킨다. 양자점은 스핀 코팅, 드랍 캐스팅 또는 닥터 블레이드 법으로 기판 상에 형성된다.
Int. CL H01L 51/54 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) C09K 11/06 (2006.01.01)
CPC C09K 11/025(2013.01) C09K 11/025(2013.01) C09K 11/025(2013.01) C09K 11/025(2013.01) C09K 11/025(2013.01)
출원번호/일자 1020100025437 (2010.03.22)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1744904-0000 (2017.06.01)
공개번호/일자 10-2011-0106176 (2011.09.28) 문서열기
공고번호/일자 (20170621) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.20)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강종혁 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 신중한 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 박재병 대한민국 서울 서초구
4 이동훈 대한민국 경상남도 양산시 양주로 **,
5 차국헌 대한민국 서울특별시 관악구
6 이성훈 대한민국 서울특별시 관악구
7 배완기 대한민국 서울특별시 관악구
8 임재훈 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0180900-81
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0027349-15
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0269096-85
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0808397-35
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0276056-17
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0386589-21
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
13 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
14 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0071312-57
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0549808-41
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0936411-50
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0936452-11
18 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0065874-60
19 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.02.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0180870-51
20 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0180869-15
21 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0183339-90
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
양자점; 및상기 양자점을 둘러싼 블록공중합체를 포함하며, 상기 블록공중합체는 상기 양자점과 화학 결합을 이루는 폴리(스티렌-비-시스테아민 아크릴아미드)인 것을 특징으로 하는 양자점-블록공중합체 하이브리드
2 2
제1항에 있어서,상기 화학 결합은 상기 양자점을 중심으로 한 배위 결합인 것을 특징으로 하는 양자점-블록공중합체 하이브리드
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 양자점은 II-VI족 원소들, III-V족 원소들, IV족 원소들, IV-VI족 원소들로 이루어진 것을 특징으로 하는 양자점-블록공중합체 하이브리드
5 5
제4항에 있어서,상기 양자점은 단일 코어 구조, 코어-단일 쉘 구조 또는 코어-다중 쉘 구조 중 어느 하나의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 양자점-블록공중합체 하이브리드
6 6
제4항에 있어서,상기 II족 원소는 아연 카드뮴 및 수은으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이며, 상기 III족 원소는 알루미늄, 갈륨, 인듐으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이며, 상기 IV족 원소는 실리콘, 게르마늄, 주석, 납으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이며, 상기 V족 원소는 질소, 인 및 비소로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이며, 상기 VI족 원소는 황, 셀레늄, 텔루르로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점-블록공중합체 하이브리드
7 7
기판; 및상기 기판 상에 형성된 양자점-블록공중합체 하이브리드층을 포함하며,상기 하이브리드층은 양자점; 및상기 양자점을 둘러싼 블록공중합체를 포함하며, 상기 블록공중합체는 상기 양자점과 화학 결합을 이루는 폴리(스티렌-비-시스테아민 아크릴아미드)인 것을 특징으로 하는 발광 소자
8 8
삭제
9 9
제7항에 있어서,상기 양자점은 II-VI족 원소들, III-V족 원소들, IV족 원소들, IV-VI족 원소들로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 소자
10 10
제9항에 있어서,상기 양자점은 단일 코어 구조, 코어-단일 쉘 구조 또는 코어-다중 쉘 구조 중 어느 하나의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자
11 11
제9항에 있어서,상기 II족 원소는 아연 카드뮴 및 수은으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이며, 상기 III족 원소는 알루미늄, 갈륨, 인듐으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이며, 상기 IV족 원소는 실리콘, 게르마늄, 주석, 납으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이며, 상기 V족 원소는 질소, 인 및 비소로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이며, 상기 VI족 원소는 황, 셀레늄, 텔루르로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 소자
12 12
제7항에 있어서,상기 기판과 상기 하이브리드층 사이에 형성된 발광 다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
13 13
제12항에 있어서,상기 발광 다이오드는 광을 방출하며, 상기 양자점은 상기 광을 흡수하고 가시광선을 방출하는 띠 간격을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자
14 14
양자점을 형성하는 단계;황을 포함하는 기능기를 가지는 블록공중합체를 형성하는 단계;상기 양자점과 상기 블록공중합체를 혼합하는 단계; 및상기 혼합물에 에너지를 가하여 상기 양자점에 상기 기능기를 화학 결합시키는 단계를 포함하고,상기 블록공중합체는 폴리(스티렌-비-시스테아민 아크릴아미드)인 것을 특징으로 하는 양자점-블록공중합체 하이브리드 제조 방법
15 15
삭제
16 16
제14항에 있어서,상기 양자점은 II-VI족 원소들, III-V족 원소들, IV족 원소들, IV-VI족 원소들로 이루어진 것을 특징으로 하는 양자점-블록공중합체 하이브리드 제조 방법
17 17
제16항에 있어서,상기 양자점은 단일 코어 구조, 코어-단일 쉘 구조 또는 코어-다중 쉘 구조 중 어느 하나의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 양자점-블록공중합체 하이브리드 제조 방법
18 18
제16항에 있어서,상기 II족 원소는 아연 카드뮴 및 수은으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이며, 상기 III족 원소는 알루미늄, 갈륨, 인듐으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이며, 상기 IV족 원소는 실리콘, 게르마늄, 주석, 납으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이며, 상기 V족 원소는 질소, 인 및 비소로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이며, 상기 VI족 원소는 황, 셀레늄, 텔루르로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점-블록공중합체 하이브리드 제조 방법
19 19
제14항의 방법으로 양자점-블록공중합체 하이브리드를 제조하는 단계;상기 하이브리드와 매트릭스 고분자를 용매에 용해시키는 단계; 및상기 용액을 교반하는 단계로 이루어지는 양자점-블록공중합체 하이브리드 분산 방법
20 20
삭제
21 21
제19항에 있어서,상기 하이브리드와 상기 매트릭스 고분자의 조성비, 양자점-블록공중합체의 그래프팅 밀도(grafting density), 또는 상기 매트릭스 고분자의 분자량을 조절하여 양자점의 분산도를 조절하는 것을 특징으로 하는 양자점-블록공중합체 하이브리드 분산 방법
22 22
제19항에 있어서,상기 매트릭스 고분자는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지 또는 상기 수지들의 하이브리드 수지인 것을 특징으로 하는 양자점-블록공중합체 하이브리드 분산 방법
23 23
제19항에 있어서,상기 매트릭스 고분자는 폴리스티렌인 것을 특징으로 하는 양자점-블록공중합체 하이브리드 분산 방법
24 24
제23항에 있어서,상기 용매는 톨루엔인 것을 특징으로 하는 양자점-블록공중합체 하이브리드 분산 방법
25 25
기판을 준비하는 단계; 및상기 기판 상에 제19항의 방법으로 분산된 양자점-블록공중합체 하이브리드로 박막을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자 제조 방법
26 26
제25항에 있어서, 상기 박막 형성 단계는 상기 분산된 양자점을 스핀 코팅, 드랍 캐스팅 또는 닥터 블레이드 법으로 상기 기판 상에 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 발광소자 제조 방법
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2 EP02371926 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02371926 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP02371926 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 JP05736167 JP 일본 FAMILY
6 JP23195810 JP 일본 FAMILY
7 US08766315 US 미국 FAMILY
8 US20110227034 US 미국 FAMILY

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3 EP2371926 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2371926 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP2371926 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
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7 JP5736167 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 US2011227034 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US8766315 US 미국 DOCDBFAMILY
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