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유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015141284
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판 위에 형성되는 소스 및 드레인; 상기 소스 및 드레인을 포함하는 상기 기판 전면에 형성되는 무기 채널층; 상기 무기 채널층 전면에 형성되는 절연층; 상기 절연층 전면에 형성되는 무기 배리어층; 및 상기 무기 배리어층 위에 형성되는 게이트를 포함하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터가 개시된다.무기채널층, 무기배리어층, 이동도, 동작전압, 누설전압, flexibility
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01)
CPC H01L 29/78681(2013.01) H01L 29/78681(2013.01)
출원번호/일자 1020060009629 (2006.02.01)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0674575-0000 (2007.01.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.01)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전형탁 대한민국 서울특별시 노원구
2 장호정 대한민국 충남 천안시
3 박형호 대한민국 서울 서대문구
4 김인회 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)
2 정현영 대한민국 서울특별시 금천구 벚꽃로 ***, ****호-** (가산동, 대륭포스트타워*차)(정특허법률사무소)
3 임평섭 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로 ***-*, *층(당산동*가, 정우빌딩)(임특허법률사무소)
4 홍승규 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2006-0076235-36
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0081292-00
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0025186-94
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 형성되는 소스 및 드레인;상기 소스 및 드레인을 포함하는 상기 기판 전면에 형성되는 무기 채널층;상기 무기 채널층 전면에 형성되는 절연층;상기 절연층 전면에 형성되는 무기 배리어층; 및상기 무기 배리어층 위에 형성되는 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터
2 2
청구항 1에 있어서,상기 기판은 유리, 또는 폴리이미드(Polyimide), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate), 폴리노르보넨(Polynorbornene), 폴리아크릴레이트(Polyacrylate), 폴리비닐알콜(Polyvinylalcohol), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate) 및 폴리에테르설폰(Polyethersulfone)으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터
3 3
청구항 1에 있어서,상기 무기 채널층은 ZnS, ZnSe, ZnTe 중 어느 하나의 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터
4 4
청구항 1 또는 3에 있어서,상기 무기 배리어층은 고유전율 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터
5 5
청구항 4에 있어서,상기 고유전율 박막은 산화알루미늄(Al2O3), 산화탄탈륨(Ta2O5), 산화란타늄(La2O5), 산화이트륨(Y2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화지르코늄(ZrO2) 및 산화하프늄(HfO2)으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터
6 6
기판 위에 소스 및 드레인을 형성하는 단계;상기 소스 및 드레인을 포함하여 상기 기판 전면에 원자층 증착법을 적용하여 무기 채널층을 형성하는 단계;상기 무기 채널층 위에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 위에 원자층 증착법을 적용하여 무기 배리어층을 형성하는 단계; 및상기 무기 배리어층 위에 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
7 7
청구항 6에 있어서,상기 원자층 증착법으로 다이렉트 또는 리모트 플라즈마 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 다이렉트 또는 리모트 플라즈마의 소스로 H2, O2, N2, NO, NO2, N2O, NH3, Ar 플라즈마 중의 어느 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
9 9
청구항 6에 있어서, 상기 무기 배리어층을 형성하는데 사용되는 소스는 할로겐 소스 또는 유기금속 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
10 10
청구항 6에 있어서,상기 무기 채널층은 할로겐 소스나 DEZ(Diethyl Zinc)의 유기금속 소스인 Zn-소스를 제 1 소스로 하고, H2S, H2Se 또는 H2Te를 제 2 소스로 하여 상기 원자층 증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
11 11
청구항 6에 있어서,상기 무기 배리어층은 Al-소스, Ta-소스, La-소스, Y-소스, Ti-소스, Zr-소스 또는 Hf-소스 중 어느 하나를 제 1 소스로 하고, O-소스를 제 2 소스로 하여 상기 원자층 증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
12 12
기판 위에 형성되는 소스 및 드레인;상기 소스 및 드레인을 포함하는 상기 기판 전면에 형성되는 제 1 무기 배리어층;상기 무기 배리어층 전면에 형성되는 무기 채널층;상기 무기 채널층 전면에 형성되는 절연층;상기 절연층 전면에 형성되는 제 2 무기 배리어층; 및상기 제 2 무기 배리어층 위에 형성되는 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터
13 13
기판 위에 형성되는 게이트;상기 게이트를 포함하는 상기 기판 전면에 형성되는 무기 배리어층;상기 무기 배리어층 전면에 형성되는 절연층;상기 절연층 전면에 형성되는 무기 채널층;상기 무기 채널층 위에 형성되는 소스 및 드레인; 및상기 소스 및 드레인을 포함하여 상기 무기 채널층 전면에 형성되는 무기절연 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.