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갈륨나이트라이드 소자에 대한 엑시머 레이저 펄스를이용한 후처리 어닐링 방법

  • 기술번호 : KST2015159073
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 후처리 어닐링 (post annealing) 기술에 관한 것으로, GaN 소자의 드레인 전류 증가, 트랜스 컨덕턴스(transconductance) 증가, 누설 전류 감소 및 항복 전압 (breakdown voltage) 증가를 위하여 GaN 소자가 제작된 뒤 소자에 엑시머 레이저 펄스 (excimer laser pulse)를 가하는 것이다. 본 발명에 따른 엑시머 레이저 펄스를 이용한 후처리 어닐링 방법은 공정이 용이하며 쇼트키 게이트 (Schottky gate)의 열화 없이 GaN 소자의 전기적 특성을 개선할 수 있다. 후처리 어닐링, 엑시머 레이저, GaN, 높은 전자이동도 트랜지스터
Int. CL H01L 29/778 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자 1020040097125 (2004.11.24)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0625215-0000 (2006.09.11)
공개번호/일자 10-2006-0057928 (2006.05.29) 문서열기
공고번호/일자 (20060918) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.11.24)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하민우 대한민국 서울특별시 관악구
2 이승철 대한민국 서울특별시 동작구
3 한민구 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이건주 대한민국 서울 종로구 명륜동*가 ***-* 미화빌딩 이건주특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2004-0551433-65
2 보정요구서
Request for Amendment		 2004.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0083519-86
3 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2004-0588292-79
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.03.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0024433-71
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0259894-32
7 의견서
Written Opinion		 2006.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0467842-01
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0467841-55
9 등록결정서
Decision to grant		 2006.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0435065-94
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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삭제
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GaN층 위에 게이트 전극이 형성된 구조를 포함하는 반도체 소자의 전기적 특성 개선방법에 있어서, 상기 반도체 소자는 높은 전자이동도 트랜지스터(high electron mobility transistor: HEMT)이며, 상기 게이트 전극 형성 후 엑시머 레이저 펄스를 이용하여 후처리 어닐링함을 특징으로 하는 GaN 소자에 대한 엑시머 레이저 펄스를 이용한 후처리 어닐링 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 높은 전자이동도 트랜지스터의 전기적 특성은 상기 레이저 펄스의 에너지, 레이저 펄스의 횟수, 레이저 펄스를 쏘는 각도, 레이저 펄스의 파장, 레이저 펄스의 스폿 사이즈 또는 레이저 펄스의 지속시간 등에 따라 조절할 수 있음을 특징으로 하는 GaN 소자에 대한 엑시머 레이저 펄스를 이용한 후처리 어닐링 방법
4 3
제 2 항에 있어서, 상기 높은 전자이동도 트랜지스터의 전기적 특성은 상기 레이저 펄스의 에너지, 레이저 펄스의 횟수, 레이저 펄스를 쏘는 각도, 레이저 펄스의 파장, 레이저 펄스의 스폿 사이즈 또는 레이저 펄스의 지속시간 등에 따라 조절할 수 있음을 특징으로 하는 GaN 소자에 대한 엑시머 레이저 펄스를 이용한 후처리 어닐링 방법
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