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다층 자성 박막 스택 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자(Multilayered magnetic thin film stack and nonvolatile memory device having the same)

  • 기술번호 : KST2016008748
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기 터널링 접합(MTJ)를 이용한 비휘발성 자기 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 다층 자기 박막 스택은 터널링 장벽층, 상기 터널링 장벽층의 제 1 면 상에 형성된 자기 고정층, 및 상기 터널링 장벽층의 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면 상에 형성된 자기 자유층을 포함하는 자기 터널링 접합을 포함하는 다층 자기 박막 스택으로서, 상기 자기 고정층 및 상기 자기 자유층 중 적어도 하나는, FeZr 합금층 및 상기 FeZr 합금층과 상기 터널링 장벽층 사이에 (001) bcc 구조의 제 1 자성층을 포함한다.
Int. CL H01L 43/08 (2006.01.01) G11C 11/15 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020140132940 (2014.10.02)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2060419-0000 (2019.12.23)
공개번호/일자 10-2016-0039798 (2016.04.12) 문서열기
공고번호/일자 (20191230) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.17)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상호 대한민국 경기도 남양주시
2 이태영 대한민국 경기도 이천시
3 원영찬 대한민국 서울특별시 은평구
4 이성래 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 경기도 이천시
2 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0943266-10
2 보정요구서
Request for Amendment		 2014.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0180512-11
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2014.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0997947-04
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-1142915-61
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0017017-47
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0130528-61
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0415070-67
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0415078-21
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2019.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0625124-06
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-1097709-96
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.10.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-1097741-47
15 등록결정서
Decision to grant		 2019.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0920223-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
터널링 장벽층, 상기 터널링 장벽층의 제 1 면 상에 형성된 자기 고정층, 및 상기 터널링 장벽층의 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면 상에 형성된 자기 자유층을 포함하는 자기 터널링 접합을 포함하는 다층 자기 박막 스택으로서,상기 자기 고정층 및 상기 자기 자유층 중 적어도 하나는,FeZr 합금층 및 상기 FeZr 합금층과 상기 터널링 장벽층 사이에 (001) bcc 구조의 제 1 자성층을 포함하며,상기 FeZr 합금층은 bcc Fe 구조와 육방정계 Zr의 혼합 결정상 구조를 가지며,상기 FeZr 합금층은 상기 제 1 자성층이 배치되는 제 1 면과 상기 제 1 면에 반대되는 제 2 면을 가지며, 상기 다층 자기 박막 스택은 상기 FeZr 합금층의 상기 제 2 면 상에 배치되는 제 2 자성층을 더 포함하며,상기 제 2 자성층은 다층 구조를 포함하며, 상기 다층 구조는 적어도 하나 이상의 비자성 금속층 및 적어도 하나 이상의 코발트 함유 자성층이 적어도 1회 이상 서로 교번하여 적층된 초격자 구조를 갖는 다층 구조를 포함하며,상기 비자성 금속층은, 백금(Pt), 로듐(Rh), 하프늄(Hf), 팔라듐(Pd), 탄탈륨(Ta), 오스뮴(Os), 저머늄(Ge), 이리듐(Ir), 금(Au), 은(Ag) 또는 이의 합금을 포함하며,상기 제 1 자성층과 상기 제 2 자성층은 상기 FeZr 합금층에 의해 자기적으로 결합되어, 상기 FeZr 합금층 및 상기 제 2 자성층을 포함하는 적층 구조가 강자성체로 기능하며,상기 다층 구조는 fcc (111)의 최밀 성장면을 갖는 다층 자기 박막 스택
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 터널링 장벽층은, Al2O3, MgO, TiO2, AlN, RuO, SrO, Si3N4, CaO, HfO2, Ta2O5, ZrO2, SiC, SiO2, SiON, 또는 이들 중 2 이상의 적층 박막을 포함하는 다층 자기 박막 스택
3 3
제 1 항에 있어서,상기 FeZr 합금층의 지르코늄(Zr)의 원자 몰비는 25 원자% 내지 75 원자%의 범위 내인 다층 자기 박막 스택
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 FeZr 합금층의 평균 두께는, 0
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 자성층은, 순수 철(Fe), 코발트-철(CoFe), 코발트-철-붕소(CoFeB) 또는 이들 중 2 이상의 적층 구조를 포함하는 다층 자기 박막 스택
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 터널링 장벽층은 MgO (001)을 포함하고, 상기 제 1 자성층은 코발트-철-붕소(CoFeB) 및 코발트-철(CoFe) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 다층 자기 박막 스택
7 7
제 1 항에 있어서,상기 FeZr 합금층의 상기 제 2 면이 상기 다층 구조의 제 1 코발트 함유 자성층과 접하는 다층 자기 박막 스택
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
서로 인접하는 제 1 자성층 및 제 2 자성층; 및상기 제 1 자성층과 상기 제 2 자성층 사이에 삽입되어, 상기 제 1 자성층과 상기 제 2 자성층을 구조적으로 탈결합시키면서 상기 제 1 자성층과 상기 제 2 자성층을 자기적으로 결합시키는 FeZr 합금층을 포함하며,상기 FeZr 합금층은 bcc Fe 구조와 육방정계 Zr의 혼합 결정상 구조를 가지며,상기 FeZr 합금층은 상기 제 1 자성층이 배치되는 제 1 면과 상기 제 1 면에 반대되고 상기 제 2 자성층이 배치되는 제 2 면을 가지며,상기 제 2 자성층은 다층 구조를 포함하며, 상기 다층 구조는 적어도 하나 이상의 비자성 금속층 및 적어도 하나 이상의 코발트 함유 자성층이 적어도 1회 이상 서로 교번하여 적층된 초격자 구조를 갖는 다층 구조를 포함하며,상기 비자성 금속층은, 백금(Pt), 로듐(Rh), 하프늄(Hf), 팔라듐(Pd), 탄탈륨(Ta), 오스뮴(Os), 저머늄(Ge), 이리듐(Ir), 금(Au), 은(Ag) 또는 이의 합금을 포함하며,상기 제 1 자성층과 상기 제 2 자성층은 상기 FeZr 합금층에 의해 자기적으로 결합되어, 상기 FeZr 합금층 및 상기 제 2 자성층을 포함하는 적층 구조가 강자성체로 기능하며,상기 다층 구조는 fcc (111)의 최밀 성장면을 갖는 다층 자기 박막 스택
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 제 1 자성층은 (001) bcc 구조를 가지며, 상기 FeZr 합금층이 접하는 상기 제 1 자성층의 일 면과 반대되는 타 면 상에 상기 제 1 자성층의 결정화를 위한 템플릿 층을 더 포함하는 다층 자기 박막 스택
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 템플릿 층은 MgO (001)을 포함하는 다층 자기 박막 스택
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 다층 자기 박막 스택은 수직 이방성을 갖는 다층 자기 박막 스택
15 15
제 11 항에 있어서, 상기 FeZr 합금층의 지르코늄(Zr)의 원자 몰비는 25 원자% 내지 75 원자%의 범위 내인 다층 자기 박막 스택
16 16
제 11 항에 있어서, 상기 FeZr 합금층의 평균 두께는, 0
17 17
제 11 항에 있어서,상기 FeZr 합금층의 상기 제 2 면이 상기 다층 구조의 제 1 코발트 함유 자성층과 접하는 다층 자기 박막 스택
18 18
삭제
19 19
제 11 항에 있어서, 상기 제 1 자성층은 CoFeB 및 CoFe 중 적어도 어느 하나를 포함하며, 상기 제 2 자성층은 비자성 금속층 및 코발트 함유 자성층이 적어도 1 회 이상 교번하여 적층된 다층 구조를 포함하는 다층 자기 박막 스택
20 20
제 1 항 또는 제 11 항 기재의 다층 자기 박막 스택을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09755140 US 미국 FAMILY
2 US20160099407 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2016099407 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9755140 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.