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반구 형상의 양각 패턴의 돔형 어레이를 갖는 유연기판; 및 상기 유연기판의 일면 상에 형성된 금속박막;을 포함하되,상기 유연기판은 실리콘 기판의 일부에 대하여 습식 산화 공정으로서 열산화를 수행하여 실리콘산화돔을 형성한 후에 상기 실리콘산화돔을 제거함으로써 형성된 상기 실리콘산화돔에 대응되는 음각 패턴을 갖는 실리콘 마스터 몰드 상에 코팅전사하여 구현된 것이며, 상기 유연기판의 상기 양각 패턴은 상기 실리콘 마스터 몰드의 상기 음각 패턴에 대응되되, 상기 실리콘 마스터 몰드의 상부 표면에서 상기 음각 패턴으로 연결되는 부분이 각진 부분이 없이 부드러운 곡면으로 이루어짐으로써, 상기 유연기판의 상부 표면에서 상기 양각 패턴으로 연결되는 부분이 부드러운 곡면으로 이루어지며, 상기 양각 패턴의 종단면은 각진 부분이 없이 제 1 곡선 및 제 2 곡선이 부드럽게 연결되어 이루어지되, 상기 제 1 곡선은 상기 유연기판의 상부 표면과 부드럽게 연결되며, 상기 제 1 곡선과 상기 제 2 곡선이 만나는 지점은 변곡점을 형성하는, 마찰대전 에너지하베스터 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 유연기판은 PDMS 기판을 포함하며, 상기 금속박막은 티타늄과 알루미늄의 적층박막, 탄탈륨과 구리의 적층박막, 티타늄과 은의 적층박막 또는 크롬과 금의 적층박막을 포함하는, 마찰대전 에너지하베스터 구조체
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제 1 항 및 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유연기판은 제 1 유연기판 및 제 2 유연기판을 포함하되, 상기 제 1 유연기판의 양각패턴과 상기 제 2 유연기판의 양각패턴은 서로 마주보도록 배치되며,상기 금속박막은 상기 제 1 유연기판의 양각패턴이 구현되는 면 상에 형성된 제 1 금속박막 및 상기 제 2 유연기판의 양각패턴이 구현되는 면의 반대면 상에 형성된 제 2 금속박막을 포함하며,상기 제 1 금속박막과 상기 제 2 금속박막을 전기적으로 연결하는 연결부;를 더 포함하는, 마찰대전 에너지하베스터 구조체
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실리콘 기판의 일부에 대하여 습식 산화 공정을 수행하여 실리콘산화돔을 형성한 후에 상기 실리콘산화돔을 제거함으로써 구현된, 음각 패턴의 돔형 어레이를 갖는 실리콘 마스터 몰드이며, 상기 실리콘 마스터 몰드의 상부 표면에서 상기 음각 패턴으로 연결되는 부분이 부드러운 곡면으로 이루어지는, 실리콘 마스터 몰드를 준비하는 제 1 단계;상기 실리콘 마스터 몰드 상에 폴리머, 유기물질 또는 유전체 물질 중 적어도 어느 하나를 코팅전사하여 양각 패턴의 돔형 어레이를 갖는 유연기판을 형성하는 제 2 단계;상기 유연기판의 일면 상에 금속박막을 형성하는 제 3 단계;를 포함하는, 마찰대전 에너지하베스터 구조체의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 제 1 단계는 실리콘 기판을 준비하는 단계; 상기 실리콘 기판 상에 블로킹패드 패턴을 형성하는 단계; 상기 블로킹패드 패턴에 의하여 노출되는 상기 실리콘 기판에 대하여 습식 산화 공정을 수행함으로써 상기 실리콘 기판의 일부로부터 실리콘산화돔(silicon oxide dome)을 형성하는 단계; 및 상기 실리콘산화돔을 제거함으로써 음각 패턴의 돔형 어레이를 갖는 실리콘 마스터 몰드를 형성하는 단계;를 포함하는, 마찰대전 에너지하베스터 구조체의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 실리콘산화돔을 형성하는 단계는 상기 실리콘산화돔의 측부가 상기 블로킹패드 패턴의 하부로 성장하는 단계를 포함하는, 마찰대전 에너지하베스터 구조체의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 실리콘 마스터 몰드를 형성하는 단계에서, 상기 음각 패턴의 종단면은 각진 부분이 없이 제 1 곡선 및 제 2 곡선이 부드럽게 연결되어 이루어지되, 상기 제 1 곡선은 상기 실리콘 마스터 몰드의 상부 표면과 부드럽게 연결되며, 상기 제 1 곡선과 상기 제 2 곡선이 만나는 지점은 변곡점을 형성하는, 마찰대전 에너지하베스터 구조체의 제조방법
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