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에이에프엠을이용한비휘발성메모리소자와해당메모리소자의운영방법
- 기술번호 : KST2015111276
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 실리콘 기판의 상부에 소정 두께의 실리콘 산화막이 형성되어 있으며 실리콘 산화막의 내부에 제1 전도성 물질의 이온 주입으로 인해 전자의 포획가능한 소정크기를 갖는 다수개의 나노 크리스탈들이 형성되어 있는 반도체 소자를 제공하고 그에 따라 미소부분에 국부적으로 전계를 걸어 줄 수 있는 AFM 팁을 상기 반도체 소자의 소정 높이에 위치시키는 제 1 단계와, 제 1 과정을 통하여 소정의 높이를 유지하는 상태에서 AFM 팁에 특정 임계전압 이상의 전압을 걸어주어 AFM 팁 아래 의 특정부분에 전기적 필드를 형성되는 제 2 단계와, 제 2 단계를 통하여 형성된 전기적 필드에 의하여 실리콘 산화막 내부에 형성되어 있는 나노 크리스탈에 실리콘 기판으로부터 발생된 자유전자가 포획되는 제 3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다수개의 나노 크리스탈들이 형성되어 있는 반도체 소자를 이용한 데이터 저장 방법을 제공한다.비휘발성 메모리, 운영방법, AFM |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1019970030776 (1997.07.03) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0265692-0000 (2000.06.16) |
| 공개번호/일자 | 10-1999-0008697 (1999.02.05) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20000915) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (1997.07.03) |
| 심사청구항수 | 5 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 손희수 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 홍성철 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이원희 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 출원심사청구서 Request for Examination |
1997.07.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-1997-0097155-94 |
| 2 | 특허출원서 Patent Application |
1997.07.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-1997-0097153-03 |
| 3 | 대리인선임신고서 Notification of assignment of agent |
1997.07.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-1997-0097154-48 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
1999.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0002352-05 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
1999.01.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0008675-76 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
1999.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0025779-69 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
1999.03.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0041039-77 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
1999.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0085486-82 |
| 9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
1999.09.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-1999-0293604-51 |
| 10 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
1999.11.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-1999-5405419-42 |
| 11 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
1999.12.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-1999-5434731-52 |
| 12 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
2000.01.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2000-5029459-86 |
| 13 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2000.02.28 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2000-5060173-06 |
| 14 | 의견서 Written Opinion |
2000.02.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2000-5060172-50 |
| 15 | 등록사정서 Decision to grant |
2000.06.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2000-0138066-88 |
| 16 | FD제출서 FD Submission |
2000.07.12 | 수리 (Accepted) | 2-1-2000-5112889-10 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2004.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2004-0001933-29 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2004.03.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2004-0012166-74 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 24 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 25 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 비휘발성 메모리 소자에 있어서, 실리콘 기판의 상부에 소정 두께로 형성되는 실리콘 산화막과; 상기 실리콘 산화막에 Ge이온 또는 Si 이온등으로 이루어진 제 1 전도성 물질이 이온 주입된 뒤 열처리 공정을 통하여 결정화되어 상기 실리콘 산화막의 내부에 형성되는 다수개의 나노 크리스탈들을 포함하여 소정 영역에 임계치 이상의 전계가 걸리는 경우 실리콘 기판으로부터 해당 영역의 나노 크리스탈들이 자유전자를 포획함으로써 정보를 저장하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 |
| 2 |
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| 3 |
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| 4 |
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| 5 |
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| 6 |
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| 7 |
7 실리콘 기판의 상부에 소정 두께의 실리콘 산화막이 형성되어 있으며 상기 실리콘 산화막의 내부에 제1 전도성 물질의 이온 주입으로 인해 전자의 포획가능한 소정크기를 갖는 다수개의 나노 크리스탈들이 형성되어 있는 반도체 소자를 이용하여, 미소부분에 국부적으로 전계를 걸어 줌으로써 해당 영역의 나노 크리스탈에 자유전자가 포획되어 정보를 저장하고 있는 반도체 소자의 데이터 억세스 방법에 있어서: 미소부분에 국부적으로 전계를 걸어 줄 수 있는 AFM 팁을 상기 반도체 소자의 소정 높이에 위치시키는 제 1 단계와; 상기 제 1 단계를 통해 소정의 높이를 유지하는 상태에서 상기 AFM 팁에 특정 임계전압 이하의 제1논리 전압을 걸어주는 제 2 단계와; 상기 제 2 단계를 통해 소정크기의 전압을 유지하고 있는 AFM 팁을 사용하여 상기 반도체 소자의 표면을 스캔하는 제 3 단계; 및 상기 제 3 단계를 통해 상기 AFM 팁이 상기 반도체 소자의 표면을 스캔하는 동안에 상기 제2단계에서 상기 AFM 팁에 걸리는 전압의 성격에 따라 위치의 변동에 의해 저장된 데이터의 논리값을 인식하기 위해 상기 AFM 팁이 상기 반도체 소자의 표면으로부터 떨어져 있는 높이를 검출하는 제 4 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다수개의 나노 크리스탈들이 형성되어 있는 반도체 소자를 이용한 데이터 억세스 방법 |
| 8 |
8 (삭제) |
| 9 |
9 제7항에 있어서, 상기 제 4 단계에서는 상기 제 2 단계에서 상기 AFM 팁에 걸리는 전압이 음전압인 경우 전하를 포획한 영역의 나노 크리스탈들에 의해 척력이 발생되면 이를 논리 1로 인식하는 것을 특징으로 하는 다수개의 나노 크리스탈들이 형성되어 있는 반도체 소자를 이용한 데이터 억세스 방법 |
| 10 |
10 제7항에 있어서, 상기 제 4 단계에서는 상기 제 2 단계에서 상기 AFM 팁에 걸리는 전압이 양전압인 경우 전하를 포획한 영역의 나노 크리스탈들에 의해 인력이 발생되면 이를 논리 1로 인식하는 것을 특징으로 하는 다수개의 나노 크리스탈들이 형성되어 있는 반도체 소자를 이용한 데이터 억세스 방법 |
| 11 |
11 (삭제) |
| 12 |
12 (삭제) |
| 13 |
13 실리콘 기판의 상부에 소정 두께의 실리콘 산화막이 형성되어 있으며 상기 실리콘 산화막의 내부에 제1 전도성 물질의 이온 주입으로 인해 전자의 포획 가능한 소정크기를 갖는 다수개의 나노 크리스탈들이 형성되어 있는 반도체 소자를 이용하여, 미소부분에 국부적으로 전계를 걸어 줌으로써 해당 영역의 나노 크리스탈에 자유전자가 포획되어 정보를 저장하고 있는 반도체 소자의 데이터 소거 방법에 있어서: 소정 크기 이상의 면적을 갖는 팁이 상기 반도체 소자의 표면중 임의로 설정되는 특정 영역을 스캔하는 경우 상기 팁에 특정 임계전압 이상의 역전계를 걸어주어 상기 나노 크리스탈에 포획되어 있는 자유전자를 상기 실리콘 기판의 채널로 복귀시키는 것을 특징으로 하는 다수개의 나노 크리스탈들이 형성되어 있는 반도체 소자에서의 데이터 소거 방법 |
| 14 |
14 (삭제) |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US05978256 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US5978256 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0265692-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 19970703 출원 번호 : 1019970030776 공고 연월일 : 20000915 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20000613 청구범위의 항수 : 5 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 에이에프엠을이용한비휘발성메모리소자와해당메모리소자의운영방법 존속기간(예정)만료일 : 20090617 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 135,000 원 | 2000년 06월 17일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 149,000 원 | 2003년 05월 30일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 149,000 원 | 2004년 03월 31일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 185,000 원 | 2005년 05월 31일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 320,000 원 | 2006년 05월 30일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 320,000 원 | 2006년 12월 07일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2008년 05월 30일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 출원심사청구서 | 1997.07.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-1997-0097155-94 |
| 2 | 특허출원서 | 1997.07.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-1997-0097153-03 |
| 3 | 대리인선임신고서 | 1997.07.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-1997-0097154-48 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 1999.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0002352-05 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 1999.01.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0008675-76 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 1999.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0025779-69 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 1999.03.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0041039-77 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 1999.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0085486-82 |
| 9 | 의견제출통지서 | 1999.09.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-1999-0293604-51 |
| 10 | 지정기간연장신청서 | 1999.11.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-1999-5405419-42 |
| 11 | 지정기간연장신청서 | 1999.12.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-1999-5434731-52 |
| 12 | 지정기간연장신청서 | 2000.01.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2000-5029459-86 |
| 13 | 명세서등보정서 | 2000.02.28 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2000-5060173-06 |
| 14 | 의견서 | 2000.02.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2000-5060172-50 |
| 15 | 등록사정서 | 2000.06.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2000-0138066-88 |
| 16 | FD제출서 | 2000.07.12 | 수리 (Accepted) | 2-1-2000-5112889-10 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2004.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2004-0001933-29 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2004.03.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2004-0012166-74 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 24 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 25 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
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| 과제정보가 없습니다 |
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