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비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
- 기술번호 : KST2015112616
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.이러한 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 소자는 기판에 이격되어 형성된 소오스와 드레인, 소오스와 드레인 사이의 채널 상에서 기판에 대하여 수직으로 형성되어, 채널로부터 공급된 전하를 저장하는 탄소나노튜브들을 포함하는 메모리셀 및 메모리셀 상에 형성되어 채널로부터 메모리셀로 유입되는 전하량을 조절하는 게이트를 포함한다.이러한 본 발명에 따르면, 비휘발성 메모리 소자의 데이터 보존시간을 증가시켜 전하저장능력이 개선된 비휘발성 메모리 소자와 그 제조방법을 제공하는 효과가 있다.탄소나노튜브, 전하저장지역, 비휘발성 메모리 소자, 축합반응 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2011.01) H01L 21/8247 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01) |
| CPC | H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020060119559 (2006.11.30) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0843336-0000 (2008.06.26) |
| 공개번호/일자 | 10-2008-0049222 (2008.06.04) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20080703) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | 심판사항 |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2006.11.30) |
| 심사청구항수 | 20 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최양규 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 김국환 | 대한민국 | 대전 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김성호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0888401-98 |
| 2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2007.10.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0579963-46 |
| 3 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2007.12.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0884496-55 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2007.12.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0884494-64 |
| 5 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2008.04.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0198609-52 |
| 6 | 명세서 등 보정서(심사전치) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2008.04.25 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 7-1-2008-0017680-88 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.06.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0335476-02 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판에 이격되어 형성된 소오스와 드레인;상기 소오스와 상기 드레인 사이의 채널 상에서 상기 기판에 대하여 수직으로 형성되어, 상기 채널로부터 공급된 전하를 저장하는 탄소나노튜브들을 포함하는 메모리셀; 및 상기 메모리셀 상에 형성되어 상기 채널로부터 상기 메모리셀로 유입되는 전하량을 조절하는 게이트;를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서,상기 메모리셀은상기 채널 상에 형성된 터널링 산화막;상기 터널링 산화막 상에 형성되어, 상기 채널로부터 공급된 전하를 저장하는 탄소나노튜브들;상기 터널링 산화막 상의 상기 탄소나노튜브들 사이에 형성되어, 상기 탄소나노튜브들 간의 전하의 이동을 방지하는 절연막; 및상기 절연막 상에 형성되어, 상기 채널로부터 공급된 전하가 상기 게이트로 이동하는 것을 방지하는 블로킹 산화막;을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 |
| 3 |
3 제 2항에 있어서,상기 터널링 산화막과, 상기 블로킹 산화막과 또는 상기 절연막은실리콘옥사이드(SIO2), 알루미늄옥사이드(Al2O3), 지르콘옥사이드(ZrO2), 지르콘실리케이트(Zr silicate), 하프늄옥사이드(HfO2) 또는 하프늄실리케이트(Hf silicate) 중 하나로 이루어진 비휘발성 메모리 소자 |
| 4 |
4 삭제 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브들은 단 가닥의 단일벽탄소나노튜브(single-walled carbon nanotube)들 또는 단 가닥의 다중벽탄소나노튜브(multi-walled carbon naontube)들인 비휘발성 메모리 소자 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서,상기 채널은 튜브 타입인 비휘발성 메모리 소자 |
| 7 |
7 제 6항에 있어서,상기 채널은 탄소나노튜브, 실리콘나노튜브, 보론나이트라이드 나노튜브(BN nanotube) 또는 갈륨포스페이트나노튜브(Gallium phosphate nanotube) 중 하나인 비휘발성 메모리 소자 |
| 8 |
8 제 1항에 있어서,상기 기판은 실리콘을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 |
| 9 |
9 (a) 기판 상에 터널링 산화막을 형성하는 단계;(b) 상기 터널링 산화막 상에 탄소나노튜브들을 형성하는 단계;(c) 상기 탄소나노튜브들 사이의 상기 터널링 산화막 상에 절연막을 형성하는 단계;(d) 상기 절연막 상에 블로킹 산화막을 형성하는 단계;(e) 상기 블로킹 산화막 상에 게이트를 형성하는 단계; 및(f) 상기 기판에 소오스와 드레인을 형성하는 단계;를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법 |
| 10 |
10 제 9항에 있어서,상기 (b)단계는(b-1) 상기 터널링 산화막이 형성된 기판을 황산과 과산화수소를 포함하는 용액에 넣고, 초음파 처리를 하여 상기 터널링 산화막 상에 수산화기(OH-)를 형성하는 단계;(b-2) 상온에서 암모늄 퍼설페이트(ammonium persulfate, APS) 용액을 상기 수산화기와 반응시켜 상기 터널링 산화막에 아미노 단층막(amino monolayer)을 형성하는 단계; 및(b-3) 탄소나노튜브들에 형성된 카르복시기(COOH-)와 상기 터널링 산화막에 형성된 아미노 단층막을 축합반응시켜, 상기 탄소나노튜브들을 상기 터널링 산화막에 대하여 수직으로 형성하는 단계;를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
| 11 |
11 제 10항에 있어서,상기 (b-1)단계에서상기 용액에 포함된 황산의 질량은 상기 용액의 질량의 0 |
| 12 |
12 제 10항에 있어서,상기 (b-1)단계에서상기 초음파 처리는 40 ℃ 이상 60 ℃ 이하의 온도에서, 30분 이상 120분 이하의 시간 동안 수행되는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
| 13 |
13 제 10항에 있어서,상기 (b-3)단계에서상기 탄소나노튜브는 단 가닥의 단일벽탄소나노튜브(single-walled carbon nanotube) 또는 단 가닥의 다중벽탄소나노튜브(multi-walled carbon naontube)인 비휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
| 14 |
14 제 9항에 있어서,상기 (b)단계는(b-1) 상기 터널링 산화막 상에 촉매물질을 증착하는 단계;(b-2) 상기 촉매물질을 패터닝하는 단계;(b-3) 상기 패터닝된 촉매물질 상에 열화학기상증착법 또는 플라즈마화학기상증착법에 의하여 탄소나노튜브들을 상기 터널링 산화막에 대하여 수직으로 형성하는 단계;를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
| 15 |
15 제14 항에 있어서,상기 촉매물질은 니켈, 철, 코발트 또는 니켈, 철 또는 코발트 중 하나 이상을 포함하는 합금 중 하나인 비휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
| 16 |
16 제 14항에 있어서,상기 (b-2)단계에서상기 촉매물질을 극자외선리소그래피(extreme ultra violet lithography) 공정 또는 전자빔리소그래피(E-beam lithography)공정 등에 의하여 패터닝하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
| 17 |
17 제 14항에 있어서,상기 (b-3)단계에서,상기 탄소나노튜브는 단 가닥의 단일벽탄소나노튜브(single-walled carbon nanotube) 또는 단 가닥의 다중벽탄소나노튜브(multi-walled carbon naontube)인 비휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
| 18 |
18 제 9항에 있어서,상기 (f)단계에서 상기 소오스와 상기 드레인 사이의 채널을 튜브 타입으로 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법 |
| 19 |
19 제 18항에 있어서,상기 채널을 탄소나노튜브, 실리콘나노튜브, 보론나이트라이드 나노튜브(BN nanotube) 또는 갈륨포스페이트나노튜브(Gallium phosphate nanotube) 중 하나로 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법 |
| 20 |
20 제 9항에 있어서,상기 터널링 산화막, 상기 블록킹 산화막 또는 상기 절연막은 실리콘옥사이드(SIO2), 알루미늄옥사이드(Al2O3) 지르콘옥사이드(ZrO2), 지르콘실리케이트(Zr silicate), 하프늄옥사이드(HfO2) 또는 하프늄실리케이트(Hf silicate) 중 하나로 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
| 21 |
21 제 9항에 있어서,상기 기판은 실리콘을 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0843336-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20061130 출원 번호 : 1020060119559 공고 연월일 : 20080703 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080624 청구범위의 항수 : 20 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20130627 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 483,000 원 | 2008년 06월 27일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2011년 06월 01일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2012년 06월 05일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0888401-98 |
| 2 | 의견제출통지서 | 2007.10.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0579963-46 |
| 3 | [명세서등 보정]보정서 | 2007.12.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0884496-55 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2007.12.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0884494-64 |
| 5 | 거절결정서 | 2008.04.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0198609-52 |
| 6 | 명세서 등 보정서(심사전치) | 2008.04.25 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 7-1-2008-0017680-88 |
| 7 | 등록결정서 | 2008.06.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0335476-02 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345072327 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R0A-2007-000-20028-0 |
| 연구과제명 | 나노소자를위한trans-scale융합기술개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200707~201206 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415083996 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10029944 |
| 연구과제명 | 고신뢰성3차원NFGM소자개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 경북대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200408~201107 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
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| 번호 | 심판번호(숫자) | 심판번호(문자) | 사건의표시 | 청구일 | 심결일자 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 2008101003714 | 2008원3714 | 2006년 특허출원 제0119559호 거절결정불복심판 | 2008.04.24 | 2008.06.24 |