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투명 전자소자용 투명 메모리

  • 기술번호 : KST2014044816
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명 전자소자용 투명 메모리에 관한 것으로서, 투명 기판 상에 순차적으로 형성된 하부 투명 전극층, 적어도 하나 이상의 투명 저항 변화 물질층으로 형성된 데이터 스토리지 영역 및 상부 투명 전극층을 포함하며, 상기 투명 저항 변화 물질층은, 상기 하부 투명 전극층과 상부 투명 전극층 사이에 소정의 전압 인가에 따른 저항 변화로 스위칭 특성을 가지고, 광학적 밴드갭(band-gap)이 3 eV 이상이며 가시광선 투과율이 80 %이상인 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리이며, 이와 같은 본 발명에 의해 투명도가 대단히 높고 낮은 스위칭 전압에서도 저항 변화에 따른 스위칭 특성을 가지며 또한 장기간이 경과한 후에도 저항 변화 메모리의 스위칭 특성을 유지할 수 있는 투명한 저항 변화 메모리를 제공할 수 있다. 투명 저항 변화 물질, 투명, 투명 전극, 투명 기판, RRAM, 투명 메모리.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090038099 (2009.04.30)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1016266-0000 (2011.02.14)
공개번호/일자 10-2010-0054074 (2010.05.24) 문서열기
공고번호/일자 (20110225) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080112792   |   2008.11.13
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.30)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서중원 대한민국 대전광역시 유성구
2 임굉수 대한민국 대전광역시 유성구
3 박재우 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 양지환 대한민국 대전광역시 유성구
5 강상정 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0263694-14
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0535942-61
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0053808-77
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0053809-12
5 등록결정서
Decision to grant
2011.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0059615-48
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 기판 상에 순차적으로 형성된 하부 투명 전극층, 적어도 하나 이상의 투명 저항 변화 물질층으로 형성된 데이터 스토리지 영역 및 상부 투명 전극층을 포함하며, 상기 투명 저항 변화 물질층은, 상기 하부 투명 전극층과 상부 투명 전극층 사이에 소정의 전압 인가에 따른 저항 변화로 스위칭 특성을 가지고, 광학적 밴드갭(band-gap)이 3 eV 이상이며 가시광선 투과율이 80 %이상인 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 데이터 스토리지 영역은, 적어도 2개 이상의 투명 저항 변화 물질층이 이종 접합(heterojunction)으로 형성된 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 투명 저항 변화 물질층은, 전이 금속 산화물(transition metal oxide)로서, 아연(Zn), 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 이트륨(Y), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 나이오븀(Nb), 몰리브덴(Mo) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 투명 저항 변화 물질층은, 자기 저항을 갖는 금속 산화물로서, 자기 저항을 갖는 금속 물질로 망간(Mn)을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 투명 저항 변화 물질층은, 강유전체 물질로서, 스트론튬(Sr), 지르코늄(Zr) 또는 티타늄(Ti)의 화합물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리
6 6
제 3 항에 있어서, 상기 데이터 스토리지 영역은, 적어도 2개 이상의 투명 저항 변화 물질층으로 형성되며, 각 투명 저항 변화 물질층은 서로 다른 산소의 조성을 갖는 한 종류의 전이 금속 산화물로 형성된 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 하부 투명 전극층 및 상기 상부 투명 전극층 각각은, 투명 전도성 산화물(transparent conducting oxide, TCO), 투명 전도성 폴리머 또는 투명 전도성 탄소나노튜브(carbon nano tube, CNT) 중 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 투명 전도성 산화물은, 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2), 산화인듐아연(IZO), 산화인듐주석아연(ITZO) 또는 산화인듐주석(ITO) 중 어느 하나이며, 상기 투명 전도성 폴리머는 PEDOT-PSS 또는 폴리아닐린(PANi)인 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 투명 기판은 유리(glass), 폴리머(polymer) 또는 플라스틱(plastic) 중 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리
10 10
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 수직 방향으로 서로 평행하며 일정간격씩 이격되어 배치된 복수개의 투명 비트 전극라인; 및 수평 방향으로 서로 평행하며 일정간격씩 이격되어 배치된 복수개의 투명 워드 전극라인이 형성되되, 상기 투명 비트 전극라인과 상기 투명 워드 전극라인이 교차되는 교차지점 상의 상기 투명 비트 전극라인과 투명 워드 전극라인 사이에 상기 데이터 스토리지 영역이 형성되어, 상기 교차지점 상의 투명 비트 전극라인이 상부 투명 전극층이 되고, 상기 교차지점 상의 투명 워드 전극라인이 하부 투명 전극층이 되는 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 투명 비트 전극라인과 상기 투명 워드 전극라인이 교번하여 다층 구조로 형성되며, 상기 데이터 스토리지 영역을 중심으로 상부에 위치하는 투명 비트 전극라인 또는 투명 워드 전극라인이 상부 투명 전극층이 되고, 하부에 위치하는 투명 비트 전극라인 또는 투명 워드 전극라인이 하부 투명 전극층이 되는 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리
12 12
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부 투명 전극층과 상부 투명 전극층 사이에 소정의 전압 인가를 제어하기 위한 투명 박막 스위칭 트랜지스터를 더 포함하여 하나의 메모리 셀을 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 하부 투명 전극층이 상기 투명 박막 스위칭 트랜지스터의 소스 전극과 연결되며, 상기 투명 박막 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극 신호에 따라 상기 메모리 셀이 동작하는 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리
14 14
제 13 항에 있어서, 수직 방향으로 서로 평행하며 일정간격씩 이격되어 배치된 복수개의 투명 비트 전극라인; 및 수평 방향으로 서로 평행하며 일정간격씩 이격되어 배치된 복수개의 투명 워드 전극라인이 형성되되, 상기 투명 비트 전극라인과 상기 투명 워드 전극라인이 교차되는 교차지점 상의 상기 투명 비트 전극라인과 투명 워드 전극라인 사이에 상기 메모리 셀이 형성되어, 상기 메모리 셀의 투명 박막 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 교차지점 상의 투명 워드 전극라인에 연결되고, 상기 교차지점의 투명 비트 전극라인이 상부 투명 전극층이 되는 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 비트 전극라인과 상기 워드 전극라인이 교번하여 다층 구조로 형성되며, 상기 데이터 스토리지 영역을 중심으로 상부에 위치하는 비트 전극라인 또는 워드 전극라인이 상부 투명 전극층이 되고, 하부에 위치하는 비트 전극라인 또는 워드 전극라인은 상기 메모리 셀의 투명 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102282673 CN 중국 FAMILY
2 US08426841 US 미국 FAMILY
3 US20120132882 US 미국 FAMILY
4 WO2010055988 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102282673 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 US2012132882 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US8426841 US 미국 DOCDBFAMILY
4 WO2010055988 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.