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부유 게이트를 감싸는 차단막 또는 접지막을 이용하여누화(크로스-톡) 효과를 최소화하는 플래쉬 메모리 제조방법 및 구조.

  • 기술번호 : KST2015118019
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플래쉬 메모리 제작 방법 및 그 구조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 부유 게이트를 감싸는 차단막 또는 접지막을 이용하여 누화(Cross-Talk) 효과를 최소화하는 플래쉬 메모리 구조 및 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 부유 게이트를 감싸는 차단막 또는 접지막을 이용하여 누화효과를 최소화하는 플래쉬 메모리 구조 및 제조 방법은, (a) 실리콘 기판, 터널링 산화막, 부유 게이트, 제어 절연막 및 제어 게이트 물질을 순차적으로 형성하는 단계; (b) 게이트 마스크로 게이트 영역을 패터닝 하는 단계; (c) 소오스 및 드레인 영역 형성을 위하여 불순물을 주입하는 단계; (d) 절연막을 증착하여 형성하는 단계; (e) 차단막을 증착하여 형성하는 단계; (f) 비등방성 식각법을 이용하여 제어 게이트 위에 있는 절연막 상부에 위치한 차단막을 제거하는 단계; (g) 제어 게이트 상부에 위치한 절연막을 제거하고 실리사이데이션(Silicidation)을 통해서 차단막과 제어 게이트를 연결하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 플래쉬 메모리, 부유 게이트, 제어 게이트, 누화, Cross-Talk, Floating Gate
Int. CL H01L 27/115 (2011.01) H01L 21/8247 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01)
출원번호/일자 1020050002292 (2005.01.10)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0734235-0000 (2007.06.26)
공개번호/일자 10-2006-0081856 (2006.07.13) 문서열기
공고번호/일자 (20070702) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.01.10)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류승완 대한민국 대전광역시 유성구
2 최양규 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2005-0013301-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.03.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0025309-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0390892-36
5 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2006.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0637714-53
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0637694-27
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2006-0726443-40
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.10.09 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2006-0726407-17
9 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document		 2006.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0131853-50
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2006-0806138-84
11 서류반려안내서
Notification for Return of Document		 2006.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0143736-42
12 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0888603-14
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0009544-14
14 의견서
Written Opinion		 2007.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2007-0009521-75
15 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2007.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0212195-36
16 의견서
Written Opinion		 2007.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0415245-35
17 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.06.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0415232-42
18 등록결정서
Decision to grant		 2007.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0343978-18
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 실리콘 기판, 터널링 산화막, 부유 게이트, 제어 절연막 및 제어 게이트 물질을 순차적으로 형성하는 단계;(b) 게이트 마스크로 게이트 영역을 패터닝 하는 단계;(c) 소오스 및 드레인 영역 형성을 위하여 불순물을 주입하는 단계;(d) 절연막을 증착하여 형성하는 단계;(e) 차단막을 증착하여 형성하는 단계;(f) 비등방성 식각법을 이용하여 제어 게이트 위에 있는 절연막 상부에 위치한 차단막을 제거하는 단계;(g) 제어 게이트 상부에 위치한 절연막을 제거하고 실리사이데이션(Silicidation)을 통해서 차단막과 제어 게이트를 연결하는 단계;를 포함하는, 부유 게이트를 감싸는 차단막 또는 접지막을 이용하여 크로스 톡 효과를 최소화하는 플래쉬 메모리 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (d)단계에서의 절연막은 산화막이거나 2
3 3
제1항에 있어서, 상기 (e)단계에서의 차단막은 금속 또는 폴리실리콘인, 부유 게이트를 감싸는 차단막 또는 접지막을 이용하여 크로스 톡 효과를 최소화하는 플래쉬 메모리 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 (e)단계에서의 차단막은 금속을 경사지게 증착하는 방법인 경사 스퍼터링(Oblique Sputtering) 또는 경사 증착(Oblique Evaporation)을 이용하여 형성되는, 부유 게이트를 감싸는 차단막 또는 접지막을 이용하여 크로스 톡 효과를 최소화하는 플래쉬 메모리 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 (g)단계에서 제어 게이트와 차단막의 실리콘이 실리사이데이션 과정에서 사용되는 Ti를 통한 빠른 확산으로, 제어 게이트와 차단막 사이에 있는 절연막 윗부분에서 TiSix가 형성되어 제어 게이트와 차단막이 연결되는, 부유 게이트를 감싸는 차단막 또는 접지막을 이용하여 크로스 톡 효과를 최소화하는 플래쉬 메모리 제조 방법
7 7
(a) 실리콘 기판, 터널링 산화막, 부유 게이트, 제어 절연막 및 제어 게이트 물질을 순차적으로 형성하는 단계; (b) 게이트 마스크로 게이트 영역을 패터닝 하는 단계; (c) 소오스 및 드레인 영역 형성을 위하여 불순물을 주입하는 단계; (d) 절연막을 증착하는 단계; (e) 접지막을 형성하는 단계; (f) 화학/기계적인 연마 공정 또는 평탄화(etch-back) 방법으로 소자의 윗부분에 있는 접지막을 제거하는 단계; 를 포함하는, 부유 게이트를 감싸는 차단막 또는 접지막을 이용하여 크로스 톡 효과를 최소화하는 플래쉬 메모리 제조 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 (f)단계에서의 접지막은 게이트를 따른 어느 한 방향으로 한줄로 형성되는 것이 아니라 단일 메모리 소자를 둘러싸게 형성되는, 부유 게이트를 감싸는 차단막 또는 접지막을 이용하여 크로스 톡 효과를 최소화하는 플래쉬 메모리 제조 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 (a)단계에서 부유 게이트의 재질은 나노 크리스탈(nanocrystal), 질화막 및 폴리실리콘인, 부유 게이트를 감싸는 차단막 또는 접지막을 이용하여 크로스 톡효과를 최소화하는 플래쉬 메모리 제조 방법
10 10
제1항 내지 제4항과 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항의 부유 게이트를 감싸는 차단막 또는 접지막을 이용하여 크로스 톡 효과를 최소화하는 플래쉬 메모리 제조 방법에 의하여 제작된, 플래쉬 메모리 소자
11 11
제10항에 있어서, 상기 플래쉬 메모리 소자는 NAND 또는 NOR 인, 플래쉬 메모리 소자
12 12
제10항에 있어서, 상기 플래시 메모리 소자는 CMOS(Complementary Metal―Oxide―Semiconductor) 트랜지스터, FinFET(Field-Effect Transistors), U-FET(glooved MOSFET) 또는 UTB(ultra-thin body) 중 어느하나의 단일소자에 적용되는, 플래쉬 메모리 소자
13 13
제7항에 있어서,상기 (a)단계에서 부유 게이트의 재질은 나노 크리스탈(nanocrystal), 질화막 및 폴리실리콘인, 부유 게이트를 감싸는 차단막 또는 접지막을 이용하여 크로스 톡효과를 최소화하는 플래쉬 메모리 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.