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이중블록공중합체를 기반으로 한 마이셀 템플릿으로 합성된 금속 나노크리스탈이 삽입된 3차원 구조의 비휘발성 메모리의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015113382
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 금속 나노크리스탈이 삽입된 3차원 구조 비휘발성 메모리의 제조방법은 기판상에 적층된 매몰절연층상에 상기 매몰절연층 평면과 평행한 일 방향으로 연장된 실리콘 기둥을 형성하는 단계; 상기 실리콘 기둥의 중앙부의 측벽상에 터널링 절연층을 형성하는 단계; 상기 터널링 절연층 상에 금속 나노크리스탈을 균일하게 산포하도록 형성하는 단계; 상기 터널링 절연층 상에 제어절연층을 형성하되, 상기 금속 나노크리스탈이 파묻히도록 상기 제어절연층을 형성하는 단계; 상기 실리콘 기둥의 양 측단 각각에 소스 및 드레인을 형성하는 단계; 및 상기 제어절연층을 감싸도록 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 금속 나노크리스탈을 형성하는 단계는, 마이셀 용액을 제조하는 단계; 상기 마이셀 용액에 금속 선구물질을 로딩(loading)하는 단계; 상기 금속 선구물질이 로딩된 마이셀 용액에 적어도 상기 터널링 절연층을 침수시킨 뒤 일정 속도로 빼 내어 상기 터널링 절연층상에 마이셀 템플릿을 형성하는 단계; 상기 마이셀 템플릿을 산소 플라즈마처리하여 나노크리스탈을 합성하는 단계; 및 상기 나노크리스탈을 수소 분위기에서 열처리하는 단계를 포함한다. 비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory), 금속 나노크리스탈(Metal Nanocrystal), 3차원 구조의 다중게이트(3-dimensional Multiple Gate), 이중블록공중합체(Diblock Copolymer), 마이셀 템플릿(Micellar Template)
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020090010374 (2009.02.09)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1026346-0000 (2011.03.25)
공개번호/일자 10-2010-0091071 (2010.08.18) 문서열기
공고번호/일자 (20110404) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.09)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전광역시 유성구
2 김청진 대한민국 대전광역시 유성구
3 류승완 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0079736-27
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0082929-14
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0459813-18
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.12.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0822338-12
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0822286-25
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0604463-00
7 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.03.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0008140-27
8 등록결정서
Decision to grant
2011.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0163760-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
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기판상에 적층된 매몰절연층상에 상기 매몰절연층 평면과 평행한 일 방향으로 연장된 실리콘 기둥을 형성하는 단계; 상기 실리콘 기둥의 중앙부의 측벽상에 터널링 절연층을 형성하는 단계; 상기 터널링 절연층 상에 금속 나노크리스탈을 균일하게 산포하도록 형성하는 단계; 상기 터널링 절연층 상에 제어절연층을 형성하되, 상기 금속 나노크리스탈이 파묻히도록 상기 제어절연층을 형성하는 단계; 상기 실리콘 기둥의 양 측단 각각에 소스 및 드레인을 형성하는 단계; 및 상기 제어절연층을 감싸도록 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 금속 나노크리스탈을 형성하는 단계는, 마이셀 용액을 제조하는 단계; 상기 마이셀 용액에 금속 선구물질을 로딩(loading)하는 단계; 상기 금속 선구물질이 로딩된 마이셀 용액에 적어도 상기 터널링 절연층을 침수시킨 뒤 일정 속도로 빼 내어 상기 터널링 절연층상에 마이셀 템플릿을 형성하는 단계; 상기 마이셀 템플릿을 산소 플라즈마처리하여 나노크리스탈을 합성하는 단계; 및 상기 나노크리스탈을 수소 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는, 3차원 구조 비휘발성 메모리의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 마이셀 용액을 제조하는 단계는 PS-PVP 공중합체를 75°C의 톨루엔에 용해시키는 단계; 및 상기 PS-PVP 공중합체가 용해된 용액을 상온으로 식히는 단계를 포함하는, 3차원 구조 비휘발성 메모리의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 수소 분위기에서 열처리하는 온도는 400-500°C인, 3차원 구조 비휘발성 메모리의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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