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기판의 적어도 일면 상에 돌기 형상의 볼록부(凸) 또는 오목부(凹)가 단독으로 또는 함께 혼용되어 주기적으로 반복되는 입체 형상의 패턴을 부여하는 단계;상기 패턴이 부여된 기판 상에 그래핀을 성장시켜, 상기 그래핀 상에 돌기 형상의 볼록부(凸) 또는 오목부(凹)가 단독으로 또는 함께 혼용되어 주기적으로 반복되는 입체 형상의 패턴 형상을 갖는 3차원 그래핀 구조체를 형성하는 단계;상기 3차원 그래핀 구조체와 기판 사이에 가스를 삽입하여 이들의 결합력을 감소시키는 단계;상기 3차원 그래핀 구조체를 접착성 지지체와 결합시켜 상기 기판으로부터 분리하는 단계;상기 3차원 그래핀 구조체를 절연성 기판 상에 결합시키는 단계; 및상기 접착성 지지체를 제거하는 단계;를 포함하는 3차원 그래핀 구조체의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 가스가 수소기체인 것인 3차원 그래핀 구조체의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 가스 삽입 공정이 600oC 내지 1,200oC의 온도에서 1분 내지 60분 동안 수행되는 것인 3차원 그래핀 구조체의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 가스의 압력이 500 내지 800 torr인 것인 3차원 그래핀 구조체의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 접착성 지지체가 열이형 테이프인 것인 3차원 그래핀 구조체의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 접착성 지지체의 접착 강도가 열에 의해 조절되는 것인 3차원 그래핀 구조체의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 절연성 기판이 실리콘 산화물 필름인 것인 3차원 그래핀 구조체의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 기판이 SiC 웨이퍼인 것인 3차원 그래핀 구조체의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀이 에피택셜 그래핀인 것인 3차원 그래핀 구조체의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 기판의 패턴이 포토리소그래피에 의해 얻어진 것인 3차원 그래핀 구조체의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 3차원 그래핀 구조체의 패턴이 내부가 비어 있는 반구형, 원기둥형 또는 보울형의 오목부 또는 볼록부가 주기적으로 반복되는 것인 3차원 그래핀 구조체의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀의 성장이 불활성 분위기하에 1,000oC 내지 2,000oC의 온도에서 1분 내지 1시간 동안 열처리에 의해 수행되는 것인 3차원 그래핀 구조체의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 3차원 그래핀 구조체의 패턴이 상기 기판 상에 적층된 그래파이트화 촉매 금속 상에 형성된 것인 3차원 그래핀 구조체의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 기판이 그래파이트화 촉매 금속인 것인 3차원 그래핀 구조체의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀의 성장 공정에서 별도의 탄소 공급원이 존재하는 것인 3차원 그래핀 구조체의 전사방법
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