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표면 요철 패턴이 있는 템플릿 기판 상에 양자 나노입자 배열을 제작하는 단계;템플릿 상에 제작된 양자 나노입자 배열 상에 고분자 박막을 코팅하는 단계;접착 필름으로 고분자 박막을 떼어냄으로써 양자 나노입자 배열과 템플릿을 분리하는 단계;양자 나노입자 배열을 다양한 기판 상에 전사 하는 단계를 포함하는 양자 나노입자 배열 제작 및 나노-전사 프린팅 방법
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제1항에 있어서상기 템플릿은,블록 공중합체 자기 조립 기반 리소그래피 또는 E-beam 리소그래피 패터닝 공정을 이용하여 원하는 크기의 유기패턴을 형성하는 단계; 및RIE (reactive ion etching) 공정을 이용하여 상기 유기패턴으로부터 SiO2로 이루어진 요철 형태의 표면 패턴을 가지도록 제작하는 단계;를 통하여 제작되는 양자 나노입자 배열 제작 및 나노-전사 프린팅 방법
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제 2항에 있어서, 상기 템플릿 표면 패턴의 너비는 1 nm ~ 1 cm, 깊이는1 nm ~ 1 cm 인 양자 나노입자 배열 제작 및 나노-전사 프린팅 방법
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제 2항에 있어서, 상기 템플릿 표면은 표면 에너지가 낮은 PDMS 브러쉬 고분자 코팅 처리를 수행하는 것으로 33mN/m 이하의 표면 에너지를 가지는 양자 나노입자 배열 제작 및 나노-전사 프린팅 방법
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제 1항에 있어서, 상기 표면 요철 패턴이 있는 템플릿 기판 상에 양자 나노입자를 배열하는 단계는 미리 제작된 양자 나노입자 용액의 양자 나노입자 농도, 용매의 종류 또는 스핀코팅 rpm 속도 조건을 조절하는 방법으로 템플릿의 요철 패턴 내에 양자 나노입자의 자기 조립을 유도하는 단계인 양자 나노입자 배열 제작 및 나노-전사 프린팅 방법
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제 5항에 있어서, 상기 양자 나노입자를 배열하는 단계는, 양자 나노입자 용액의 용매가 14 ~ 16 MPa1/2의 용해 파라미터 값을 갖는 용매를 이용하는 단계인 양자 나노입자 배열 제작 및 나노-전사 프린팅 방법
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제 5항에 있어서, 상기 양자 나노입자 배열을 제작하는 단계는, 양자 나노입자 용액의 양자 나노입자 크기가 정렬에 사용되는 템플릿 패턴의 선폭보다 작은 양자 나노입자를 사용하는 단계인 양자 나노입자 배열 제작 및 나노-전사 프린팅 방법
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제 1항에 있어서, 상기 템플릿 상에 제작된 양자 나노입자 배열 상에 고분자 박막을 코팅하는 단계는, 표면 에너지가 PDMS 의 표면에너지인 23 mN/m 이상의 값을 가지고, 80,000 gmol-1이하의 분자량을 가지며, 유리 전이 온도가 상온 (25℃)보다 높은 고분자를 이용하여 박막을 형성하는 단계인 양자 나노입자 배열 제작 및 나노-전사 프린팅 방법
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제 8항에 있어서, 상기 고분자 박막을 코팅하는 단계는, 스핀코팅을 사용해 단층 박막으로 도포하는 단계인 양자 나노입자 배열 제작 및 나노-전사 프린팅 방법
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제 1항에 있어서, 상기 접착 필름으로 고분자 박막을 떼어냄으로써 양자 나노입자 배열과 템플릿을 분리하는 단계는, 일반적인 접착 필름을 균일하게 부착하고 떼어냄으로써 양자 나노입자 배열을 포함하는 고분자 박막을 접착 필름에 부착시킨 채로 제작하는 단계인 양자 나노입자 배열 제작 및 나노-전사 프린팅 방법
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제 1항에 있어서, 상기 양자 나노입자 배열을 다양한 기판 상에 전사 하는 단계는, 양자 나노입자 배열이 접착되어 있는 고분자 박막과 접착 필름을 양자 나노입자 배열과 최종 기판과 맞닿도록 접촉시킨 후 떼어냄으로써 양자 나노입자 배열을 기판 상에 전사 시키는 단계인 양자 나노입자 배열 제작 및 나노-전사 프린팅 방법
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제 11항에 있어서, 상기 양자 나노입자 배열을 기판 상에 전사 시키는 과정에서 사용되는 기판의 표면 에너지는 양자 나노입자 배열과 접촉하고 있는 고분자 박막보다 높은 표면 에너지를 가지고 있는 기판을 사용하는 단계인 양자 나노입자 배열 제작 및 나노-전사 프린팅 방법
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제 12항에 있어서, 상기 기판은 금속, 산화물, 반도체 및 고분자 중 어느 하나로 이루어진 양자 나노입자 배열 제작 및 나노-전사 프린팅 방법
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