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선택적 무전해 도금을 이용한 플렉서블 기판의 금속 패턴형성 방법

  • 기술번호 : KST2014022052
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플렉서블 기판의 금속 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 플렉서블 기판의 금속 패턴 형성 방법은, 기판 베이스 위에 잉크젯 프린팅 방법에 의하여 자기조립 단분자층의 패턴을 형성하는 자기조립 단분자층 형성단계; 상기 자기조립 단분자층 형성단계에서 패터닝된 자기조립 단분자층에 촉매입자를 흡착시키는 촉매 흡착단계; 및 상기 촉매 흡착단계에서 흡착된 촉매입자 위에 무전해 도금을 이용하여 금속 패턴을 형성하는 금속 도금단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 잉크젯 프린팅 방법으로 자기조립 단분자층을 형성하여 선택적으로 촉매 입자를 흡착시킴으로써, 무전해 도금을 이용하는 간단한 공정으로 접착력이 뛰어난 플렉서블 기판의 금속 패턴을 형성할 수 있는 효과가 있다. 플렉서블 기판, 폴리이미드 기판 베이스, 잉크젯 프린팅, 자기조립 단분자층
Int. CL H05K 3/18 (2006.01)
CPC H05K 3/125(2013.01) H05K 3/125(2013.01) H05K 3/125(2013.01) H05K 3/125(2013.01) H05K 3/125(2013.01)
출원번호/일자 1020080047696 (2008.05.22)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0975084-0000 (2010.08.04)
공개번호/일자 10-2009-0121680 (2009.11.26) 문서열기
공고번호/일자 (20100811) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.22)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이내응 대한민국 경기도 과천시
2 김현우 대한민국 부산광역시 동구
3 김덕진 대한민국 부산광역시 사하구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0364965-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.04.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2009-0030618-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0509453-78
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0090977-41
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0149517-24
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0149499-90
8 등록결정서
Decision to grant
2010.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0330886-05
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 베이스 위에 잉크젯 프린팅 방법에 의하여 자기조립 단분자층의 패턴을 형성하는 자기조립 단분자층 형성단계; 상기 자기조립 단분자층 형성단계에서 패터닝된 자기조립 단분자층에 촉매입자를 흡착시키는 촉매 흡착단계; 및 상기 촉매 흡착단계에서 흡착된 촉매입자 위에 무전해 도금 뒤에 전해도금을 추가적으로 행하여 금속패턴을 형성하는 금속 도금단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판의 금속 패턴 형성 방법
2 2
기판 베이스 위에 절연체 고분자층을 형성한 뒤에 음각 패턴을 형성하여 트렌치를 형성하는 트렌치 형성단계; 상기 트렌치 형성단계에서 제작된 트렌치 안에 잉크젯 프린팅 방법에 의하여 자기조립 단분자층을 형성하는 자기조립 단분자층 형성단계; 상기 자기조립 단분자층 형성단계에서 형성된 자기조립 단분자층에 촉매를 흡착시키는 촉매 흡착단계; 및 상기 촉매 흡착단계에서 흡착된 촉매입자 위에 무전해 도금 뒤에 전해도금을 추가적으로 행하여 금속패턴을 형성하는 금속 도금단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판의 금속 패턴 형성 방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 자기조립 단분자층 형성단계를 실시하기 전에 상기 기판 베이스와 자기조립 단분자층의 반응성 향상을 위하여 기판 베이스의 표면을 처리하는 표면처리단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판의 금속 패턴 형성 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 표면처리단계의 표면처리 방법이 기판 베이스의 표면에 -OH 결합을 형성하는 산소 플라즈마 표면처리 방법인 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판의 금속 패턴 형성 방법
5 5
삭제
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판 베이스가 폴리이미드로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판의 금속 패턴 형성 방법
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 자기조립 단분자층 형성단계에서 사용되는 자기조립 단분자 화합물이 아민기, 아미드기 및 피리딘기를 포함하는 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판의 금속 패턴 형성 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 아민기, 아미드기 및 피리딘기를 포함하는 군에서 선택되는 자기조립 단분자가 3-아미노프로필트리에톡시실란(3-aminopropyltriethoxysilane), 3-아미노프로필트리에톡시실록산(3-aminopropyltriethoxysiloxane), n-(6-아미노헥실)아미노프로필트리메톡시실란(n-(6-aminohexyl)aminoprophyltrimethoxysilane), 3-아미노프로필트리메톡시실란(3-aminopropyltrimethoxysilane), 3-아미노티올페놀(3-aminothiolphenol), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane), 트리메톡시실릴프로필디에틸렌트리아민(trimethoxysilylpropyldiethylenetriamine), (아미노에틸아미노메틸)페네틸트리메톡시실란((aminoethylaminomethyl)phenethyltrimethoxysilane), 4-비닐피리딘 (4-vinyl pyridine)을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판의 금속 패턴 형성 방법
9 9
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속 도금단계에서 사용되는 금속이 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag) 및 금(Au) 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판의 금속 패턴 형성 방법
10 10
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 촉매 흡착단계에서 사용되는 촉매가 팔라듐(Pd)인 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판의 금속 패턴 형성 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 촉매 흡착단계에서 팔라듐(Pd) 촉매를 흡착시키는 과정이 상온보다 높은 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판의 금속 패턴 형성 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 온도가 40℃~80℃인 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판의 금속 패턴 형성 방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 촉매 흡착단계에서 팔라듐(Pd) 촉매를 흡착시키기 위해 염화팔라듐(PdCl2), 염화주석(SnCl2) 및 염산(HCl)이 함유된 전처리 용액에서 상기 자기조립 단분자층이 형성된 기판 베이스를 처리하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판의 금속 패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.