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원자 힘 현미경 리소그래피 기술을 이용한 박막의 패터닝 방법

  • 기술번호 : KST2015141332
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원자 힘 현미경 리소그래피 기술을 이용한 박막의 패터닝 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판 상부에 박막의 증착, 유기물 레이스트의 도포 및 마스크용 물질의 증착 과정을 수행하고, 현미경 탐침과 기판 사이에 작용하는 nN 단위의 미세한 힘을 이용하여 직경이 10 ~ 20 nm인 탐침으로 최상층의 마스크용 박막을 리소그라피하여 노출된 유기물 레이스트 일부를 O2 플라즈마 에싱(ashing)하여 패터닝한 후에, 상기 패터닝된 부분의 유기물 레이스트를 이용하여 박막을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 원자 힘 현미경 리소그래피 기술을 이용한 박막의 패터닝 방법에 관한 것이다. 이로써 본 발명은 스크래치 리소그래피 기술을 이용해 수십 nm 선폭의 패턴을 쉽게 제작 할 수 있으며, 기존 전자 빔 리소그래피 장비가 가지고 있는 전자 산란에 의해 생기는 패턴의 손상이 없고, 유기물의 두께 조절이 자유자재로 가능하므로 다양한 조건에서의 식각이 용이한 효과를 얻게 된다.원자 힘 현미경, 패너닝, 트렌치, 식각, 마스크, 리소그래피, 박막
Int. CL H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC G03F 7/2049(2013.01) G03F 7/2049(2013.01) G03F 7/2049(2013.01) G03F 7/2049(2013.01)
출원번호/일자 1020060107903 (2006.11.02)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0826587-0000 (2008.04.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080430) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.02)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이해원 대한민국 경기 성남시 분당구
2 표얼 대한민국 서울 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 임승섭 대한민국 서울특별시 종로구 율곡로*길 *(수송동, 로얄팰리스스위트) ***호(특허법인임앤정)
2 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0804731-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.07.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.08.10 수리 (Accepted) 9-1-2007-0046671-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0440956-12
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0734270-15
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.10.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0734269-79
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0025902-77
8 등록결정서
Decision to grant
2008.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0063842-52
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
기판 상에 박막을 증착하는 단계;상기 박막 상에 유기물 레지스트를 도포하는 단계;상기 유기물 레지스트 상에 마스크용 물질을 3 ~ 10 nm 두께로 증착하는 단계;상기 마스크용 물질 상에 원자 힘 현미경을 이용한 리소그라피에 의해 상기 마스크용 물질의 일부를 제거하여 상기 유기물 레지스트의 일부를 노출시키는 단계; 및상기 노출된 유기물 레지스트 부분을 O2 플라즈마 에싱 공정을 통하여 제거하여 패터닝하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자 힘 현미경 리소그래피 기술을 이용한 박막의 패터닝 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 증착은 직류전력 100 ~ 300 W, 공정압력 0
3 3
제 1 항에 있어서,상기 유기물 레지스트 도포는 30 ~ 60 초 동안 2000 ~ 5000 rpm 속도로 도포하는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 원자 힘 현미경을 이용한 리소그라피는 온도 20 ~ 35 ℃, 습도 30 ~ 50 %하에서 0
5 5
제 1 항에 있어서,상기 박막은 탄탈 또는 티탄을 포함하는 금속, 규산화물, 탄탈화물 및 티탄화물로부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 마스크용 물질은 금속, 세라믹 소재, 및 실리콘 옥사이드 중에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.