| 1 |
1
하부전극의 적어도 일면을 덮으면서, 상기 하부전극의 일면의 일부를 노출시키는 포어가 형성된 절연층;상기 포어에 의해 노출된 상기 절연층의 적어도 일측면과 상기 하부전극의 일면의 일부를 덮으면서, 리세스된 영역을 포함하는 발열성 전극;상기 리세스된 영역을 매립하면서 상기 발열성 전극상에 형성된 상변화물질층; 및상기 상변화물질 상에 적층된 상부전극을 포함하는 상변화 메모리소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 포어는 상기 하부전극의 적어도 일면에 적어도 하나 또는 복수 개가 형성된 것을 특징으로 하는 상변화 메모리소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 발열성 전극은 상기 상변화물질층의 적어도 일면을 감싸는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 발열성 전극은 상기 균일한 두께를 가진 전극인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 발열성 전극은 상기 포어의 측벽 하부로 갈수록 두꺼워지는 전극인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리소자
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 발열성 전극은 균일한 두께를 가진 부분을 포함할 수 있는 전극과 상기 포어의 하부로 갈수록 두꺼워지는 전극의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 상변화물질과 상부전극 사이에 하나 또는 복수 개의 배리어층을 더 형성할 수 있고, 상기 배리어층은 Ti층, TiAlN층, TiSiN층 또는 TiN층 중에서 선택된 적어도 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리소자
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 메모리소자의 한 개의 구조 혹은 여러 개의 구조를 이용하여, 상기 상변화 물질층이 하나 또는 복수 개의 저항값 중 하나로 세트될 수 있는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 메모리소자의 한 개의 구조 혹은 여러 개의 구조를 이용하여, 상기 상변화 물질층이 하나 또는 복수개의 저항값 중 하나로 세트되는 상기 메모리 소자를 집적화시킨 것을 특징으로 하는 상변화 메모리소자
|
| 10 |
10
하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극의 적어도 일면을 덮는 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층을 식각하여 상기 하부전극의 일면의 일부를 노출시키는 포어를 형성하는 단계;상기 포어의 적어도 일측면을 덮는 발열성 전극을 블랭킷 방식으로 형성하여 상기 발열성 전극에 의한 리세스된 영역을 형성하는 단계; 및상기 리세스된 영역을 채우면서, 상기 발열성 전극 상에 적층된 상변화물질층을 형성하는 단계를 포함하는 상변화 메모리소자의 제조방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 발열성 전극은 상기 상변화물질의 적어도 일면을 감싸는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리소자의 제조방법
|
| 12 |
12
제10항에 있어서, 상기 발열성 전극은 균일한 두께를 가진 부분을 포함할 수 있는 전극과 상기 포어의 하부로 갈수록 두꺼워지는 전극의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리소자의 제조방법
|
