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상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015082141
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 상변화 메모리는 반도체 기판 위의 게이트 전극 및 상기 게이트 전극 양 옆으로 상기 반도체 기판에 형성된 제1 및 제2 불순물 영역을 포함하는 트랜지스터; 상기 제1 불순물 영역과 전기적으로 연결되는 비트라인; 및 상기 제2 불순물 영역과 전기적으로 연결되는 상변화 저항소자를 포함하되, 상기 상변화 저항소자는 도핑된 SiGe 층으로 형성된 하부 전극; 상기 하부 전극과 접촉하는 상변화층; 및 상기 상변화층과 연결된 상부 전극을 포함한다. 하부 전극으로 비저항이 높고, 열전도도가 낮은 도핑된 SiGe 를 채용함으로써 리셋 전류를 줄일 수 있고, 상변화 메모리 전체의 전력 소모를 줄일 수 있다. 상변화 메모리, 리셋 전류, 하부 전극, SiGe
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020060124118 (2006.12.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0889743-0000 (2009.03.13)
공개번호/일자 10-2008-0052083 (2008.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20090324) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.07)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승윤 대한민국 대전 유성구
2 윤성민 대한민국 대전 서구
3 이남열 대한민국 대전 유성구
4 박영삼 대한민국 대전 서구
5 유병곤 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0908886-76
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.08.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0051446-21
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0614289-47
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0874949-57
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0874947-66
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0269431-76
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0394142-38
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.06.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0394143-84
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0596227-49
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0054960-18
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0054962-10
13 등록결정서
Decision to grant		 2009.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0074473-00
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 위의 게이트 전극 및 상기 게이트 전극 양 옆으로 상기 반도체 기판에 형성된 제1 및 제2 불순물 영역을 포함하는 트랜지스터;상기 제1 불순물 영역과 전기적으로 연결되는 비트라인; 및상기 제2 불순물 영역과 전기적으로 연결되는 상변화 저항소자를 포함하되,상기 상변화 저항소자는 도핑된 SiGe 층으로 형성된 하부 전극;상기 하부 전극과 접촉하는 상변화층; 및상기 상변화층과 연결된 상부 전극을 포함하는 상변화 메모리 소자
2 2
제1 항에 있어서, 상기 SiGe 층은 n-형 불순물 또는 p-형 불순물로 도핑된 상변화 메모리 소자
3 3
제1 항에 있어서, 상기 SiGe 층은 인(P) 또는 보론(B)을 포함하는 불순물로 도핑된 상변화 메모리 소자
4 4
제1 항에 있어서, 상기 SiGe 층의 도핑 농도는 1019~1021/㎤ 의 범위인 상변화 메모리 소자
5 5
제1 항에 있어서, 상기 SiGe 층의 비저항은 3,000~8,000 μΩ·㎝ 인 상변화 메모리 소자
6 6
제1 항에 있어서, 상기 상변화층은 황(S), 셀레늄(Se), 텔루륨(Te)을 포함하는 칼코겐(chalcogen) 화합물로 이루어진 상변화 메모리 소자
7 7
제6 항에 있어서, 상기 칼코겐(chalcogen) 화합물은 InSe, Sb2Te, SbSe, GeTe, Ge2Sb2Te5(GST), InSbTe, GaSeTe, SnSb2Te, AgInSbTe, (Ge, Sn)SbTe 및 GeSb(Se, Te)을 포함하는 상변화 메모리 소자
8 8
제1 항에 있어서, 상기 반도체 기판과 상기 하부 전극 사이의 전도성 기층을 더 포함하는 상변화 메모리 소자
9 9
제8 항에 있어서, 상기 전도성 기층은 다결정 실리콘, 실리사이드, 텅스텐, 알루미늄 또는 구리의 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어진 상변화 메모리 소자
10 10
반도체 기판; 및상기 반도체 기판 위의 상변화 저항소자로서, 상기 상변화 저항소자는 p형 불순물로 도핑된 SiGe 층으로 형성된 하부 전극; 상기 하부 전극과 접촉하는 상변화층; 및 상기 상변화층과 연결된 상부 전극을 포함하는 상변화 메모리 소자
11 11
제10 항에 있어서, 상기 SiGe 층은 보론(B)을 포함하는 불순물로 도핑된 상변화 메모리 소자
12 12
제10 항에 있어서, 상기 SiGe 층의 도핑 농도는 1019~1021/㎤ 의 범위인 상변화 메모리 소자
13 13
제10 항에 있어서, 상기 SiGe 층의 비저항은 3,000~8,000 μΩ·㎝ 인 상변화 메모리 소자
14 14
제10 항에 있어서, 상기 상변화 저항소자는 상기 반도체 기판 위의 전도성 기판 위에 형성되어 있고, 상기 전도성 기층은 다결정 실리콘, 실리사이드, 텅스텐, 알루미늄 또는 구리의 적어도 어느 하나를 포함하도록 이루어진 상변화 메모리 소자
15 15
반도체 기판 위의 게이트 전극 및 상기 게이트 전극 양 옆으로 상기 반도체 기판의 제1 및 제2 불순물 영역을 포함하는 트랜지스터를 형성하는 단계; 및상기 제2 불순물 영역과 전기적으로 연결되는 상변화 저항소자를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 상변화 저항소자를 형성하는 단계는 도핑된 SiGe 층으로 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극과 접촉하도록 상변화층을 형성하는 단계; 및상기 상변화층과 연결되도록 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
16 16
제15 항에 있어서, 상기 하부 전극을 형성하는 단계는 SiGe 막을 증착하는 단계; 상기 SiGe 막에 인 또는 보론을 도핑하는 단계를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
17 17
제15 항에 있어서, 상기 하부 전극을 형성하는 단계는 SiGe 막을 증착하면서 인시츄로 인(P) 또는 보론(B)을 도핑하는 단계를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
18 18
제15 항에 있어서, 도핑 농도가 1019~1021/㎤ 이 되도록 상기 SiGe 층에 인 또는 보론을 도핑하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
19 19
제15 항에 있어서, 상기 SiGe 층의 비저항이 3,000~8,000 Ω·㎝ 이 되도록 상기 SiGe층을 형성하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
20 20
반도체 기판 위에 상변화 저항소자를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 상변화 저항소자를 형성하는 단계는 상기 반도체 기판 위에 p형 불순물로 도핑된 SiGe 층으로 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극과 접촉하도록 상변화층을 형성하는 단계; 및상기 상변화층과 연결되도록 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
21 21
제20 항에 있어서, 상기 반도체 기판 위에 전도성 기층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 상변화 저항소자를 형성하는 단계는 상기 상변화 저항소자를 상기 전도성 기층 위에 형성하는 것이되, 상기 전도성 기층은 다결정 실리콘, 실리사이드, 텅스텐, 알루미늄 또는 구리의 적어도 어느 하나를 포함하도록 형성하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
22 22
제20 항에 있어서, 상기 하부 전극을 형성하는 단계는 SiGe 막을 증착하는 단계; 상기 SiGe 막에 보론(B)을 도핑하는 단계를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
23 23
제20 항에 있어서, 상기 하부 전극을 형성하는 단계는 SiGe 막을 증착하면서 인시츄로 보론(B)을 도핑하는 단계를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
24 24
제20 항에 있어서, 도핑 농도가 1019~1021/㎤ 이 되도록 상기 SiGe 층에 보론(B)을 도핑하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
25 25
제20 항에 있어서, 상기 SiGe 층의 비저항이 3,000~8,000 Ω·㎝ 이 되도록 상기 SiGe층을 형성하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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1 US2008135825 US 미국 DOCDBFAMILY
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