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３ 차원 상변화 메모리 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015141910
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 3차원 상변화 메모리는 채널; 상기 채널 내의 일부 영역에 형성되는 컨택트 홀; 상기 채널과 연결되고, 수직적으로 적층되는 복수의 제1 전도층들; 및 상기 복수의 제1 전도층들 또는 채널과 연결되는 상변화 물질을 포함한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 27/11551(2013.01)
출원번호/일자 1020130154557 (2013.12.12)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1511871-0000 (2015.04.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150413) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.12)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-1137926-07
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-1138663-62
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0821660-15
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0095625-30
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0106483-02
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0106481-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 등록결정서
Decision to grant		 2015.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0192171-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
3차원 상변화 메모리에 있어서,채널; 상기 채널 내의 일부 영역에 형성되는 컨택트 홀; 상기 채널과 연결되고, 수직적으로 적층되는 복수의 제1 전도층들; 및상기 복수의 제1 전도층들 또는 채널과 연결되는 상변화 물질을 포함하는 3차원 상변화 메모리
2 2
제1항에 있어서,상기 채널이 갖는 측벽의 면 중에서 일부에 맞닿고, 상기 상변화 물질을 가열하는 히터층을 더 포함하는 3차원 상변화 메모리
3 3
제2항에 있어서,상기 히터층 내부에 형성되는 제2 전도층을 더 포함하는 3차원 상변화 메모리
4 4
제2항에 있어서,상기 채널이 갖는 측벽의 면 중에서 상기 히터층과 맞닿는 면과 다른 면과 맞닿도록 형성되는 절연막을 더 포함하는 3차원 상변화 메모리
5 5
제2항에 있어서,상기 상변화 물질은상기 히터층 내부에 형성되는 3차원 상변화 메모리
6 6
제1항에 있어서,상기 상변화 물질은상기 복수의 제1 전도층들 각각의 상층 또는 하층에 놓여지는 3차원 상변화 메모리
7 7
제1항에 있어서,상기 채널의 내부 영역은 비대칭적으로 형성되는 3차원 상변화 메모리
8 8
제1항에 있어서,상기 복수의 제1 전도층들 사이에 형성되는 복수의 절연층들을 포함하는 3차원 상변화 메모리
9 9
3차원 상변화 메모리를 제조하는 방법에 있어서,수직적으로 적층된 복수의 제1 전도층들을 형성하는 단계;채널을 형성하기 위하여 상기 복수의 제1 전도층들의 일부를 수직적으로 에칭하는 단계;컨택트 홀을 형성하기 위하여 상기 채널 내의 일부 영역을 에칭하는 단계; 및상기 컨택트 홀의 내부에서 히터층을 형성하는 단계를 포함하는 3차원 상변화 메모리를 제조하는 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 수직적으로 적층된 복수의 제1 전도층들을 형성하는 단계는상기 복수의 제1 전도층들 사이에 배치되는 복수의 절연층들을 형성하는 단계를 포함하는 3차원 상변화 메모리를 제조하는 방법
11 11
제9항에 있어서,상기 형성된 채널을 절연막으로 채우는 단계를 더 포함하는 3차원 상변화 메모리를 제조하는 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 컨택트 홀을 형성하기 위하여 상기 채널 내의 일부 영역을 에칭하는 단계는상기 절연막과 상기 복수의 제1 전도층들 사이의 영역을 에칭하는 단계를 포함하는 3차원 상변화 메모리를 제조하는 방법
13 13
제11항에 있어서,상기 컨택트 홀의 내부에서 히터층을 형성하는 단계는상기 절연막과 상기 복수의 제1 전도층들 사이에 히터층을 형성하는 단계를 포함하는 3차원 상변화 메모리를 제조하는 방법
14 14
제9항에 있어서,상기 컨택트 홀 내부에서 상변화 물질 또는 제2 전도층을 형성하는 단계를 더 포함하는 3차원 상변화 메모리를 제조하는 방법
15 15
제9항에 있어서,상기 복수의 제1 전도층들 각각의 상층 또는 하층에 놓여지는 상변화 물질을 형성하는 단계를 더 포함하는 3차원 상변화 메모리를 제조하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 정보통신기술인력양성사업 B4G 이동통신 시스템 네트워크 가상화 기반기술 연구 및 인력 양성